Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты)

 

1. Способ определения подвижности неосновных носителей заряда, основанный на приложении к полупровода1иковому образцу электрического поля, о тличающийся TeMj что, с целью повышения точности определения подвижности в полупроводника:с с малой диффузионной длиной в области смешанной проводимости и упрощения способа, образец помещают в магнитное поле так что векторное произведение вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поЬя направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, регистрируют зависимость отрицательной люминесценции на этой поверхности от величины магнитного поля, находят минимальный сигнал отрицательной люминесценции, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формуле / неосн в m где jMjjpQg - подвижность неосновных носителей заряда; Втиндукция магнитного (соответствующая минимальному сигналу лкминесценции ); С скорость света, причем величину электрического поля выбирают соответствующей линейному участку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитного :ПОЛЯ. 2. Способ определения подвижности неосновных носителей заряда, о: основанный на приложении к полупроо ;водн иков ому образцу элек триче ско го 4 СХ поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности оп4 ределения подвижности в полупроводниках с малой диффузионной длиной в области смешш1 ой проводимости и упрощения способа образец помещают в магнитное поле так, что векторное произведение вектора напряженно .сти электрического поля и вектора индукции магнитного поля направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, облучают ЭТУ поверхность излучением с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной

СОЮЗ СОВЕТСКИХ COIKNOh

РЕСПУБЛИК

L 21/66; С Ot R 31/26

4(И) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

fl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВЧ:ОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Р невем В (21) 3616566/18-25 (22) О 7 .07 . 83 (46) 07.06. 85. Бюл. И 21 (72) С.С. Болгов, В.А. Ботте, А.И. Липтуга, В.К. Малютенко, В.И. Пипа и Е.И. Яблоновский (71) Институт полупроводников

АН Украинской CCP (53) 621.382 (088.8) (56) 1. Haynes J.R., Shockley M.

The mobility and lifetime of injected -holes and electrons in Ge.

"J. Phys. Rev." 1951, 81, р. 835.

2. Schneider M. Schlister К.

Anomalously enhanced plasma diff ision transverse to à magnetic field .in п-Се. - "J. Phys. Chem. Зо1"., 1979, v. 41, р. 813-820.

3 ° Arthui J.Â. et а1. Carrier

Extraction in Germanium. The proceed of the Phys. Soc. 1955, 68, part. 1, Р0421В;р.43-50 (прототип). (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕ.ОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА (ЕГО ВАРИАНТЫ). (57) 1. Способ определения подвижности неосновных носителей заряда, основанный на приложении к полунроводниковому образцу электрического доля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения подвижности в полупроводниках с малой диффузионной длиной в области смешанной проводимости и упрощения способа, образец помещают в магнитное поле так, что векторное произведение вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, регистрируÄÄ SUÄÄ 1160484 ют зависимость отрицательной лкмйнесценции на этой поверхности от величины магнитного поля, находят минимальный сигнал отрицательной люминесценции, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формуле

i гдето- - подвижность неосновных неоен носителей заряда;

В„, — индукция магнитного поля (соответствующая мини, мальному сигналу люминесценции);

С вЂ” скорость света, причем величину электрического поля выбирают соответствующей линейному . участку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитного .поля.

2. Способ определения подвиж- . ности неосновных носителей заряда, основанный на приложении к полупро- © водниковому образцу электрического 4 поля, отличающийся тем, . 4 что, с целью повышения точности on- 06 ределения подвижности в полупровод- 4йЬ никах с малой диффузионной длиной в области смешанной проводимости и упрощения способа образец помещают в магнитное поле так, что векторное произведение вектора напря- Ъ» женности электрического поля и вектора индукции магнитного поля направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, облучают эту поверхность излучением с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, регистрируют зависимость отражения излучения от величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формуле

С

Унеоои. В„, где у„ „- подвижность неосновных носителей заряда;

11 60484

В„„— индукция магнитного поля (соответствующая максимальному сигналу отражения) ;

С вЂ” скорость света, причем величину электрического поля выбирают соответствующей линейному участку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитного поля.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля подвижности неосновных носителей заряда в узкоэонных материалах, используемых для изготовления полупроводниковых приборов. .Известен способ измерения подвижности неосновных носителей заряда, который включает,создание эмиттерного, коллекторного и двух омических контактов к полупроводниковому образцу, приложение к образцу электрического поля напряженностью Е .через омические контакты, инжекцвю пакета неосновных носителей заряда из эмиттера, измерение времени дрейфа 1 пакета неосиовных носителей заряда s электрическом поле от эмиттериого контакта к коллекторному, измерение расстояния между эмиттерньм и коллекторным контактами Г, вычисление биполярной дрейфовой подвижности носителей заряда по фор-. муле Ре где 1 — время дрейфа пакета (вр™ установления режима истощения в кристалле).

В общем случае биполярная дрейфовая подвижность определяется соотношением

° 1ве= р н

kn Pp где Enwrap- подвижность электронов, дырок; п> Р— концентрация электронов, дырок.

В области примесной проводимости, когда и» р или р»п дрейф пакета инжектированных носителей заряда определяется неосновными носителями заряда и

lO P =Р напоен. где ф„е „- подвижность неосновных носителей заряда.

В области собственной проводимости когда n = p, согласно формуле (1) р,=О (3)

Из формул (2) и (3) винно, что в зависимости от степени собственности материала (соотношения в и P )

Jl может изменяться в широких пределах f1).

Недостатком этого способа является низкая точность определения

síà÷åHèÿpù „при переходе к смешанной проводимости. Точное вычисление подвижностей неосновных носителей по величинер затруднительно, так как неизвестны значения подвикнос30 ти носителей и концентраций электронов и дырок, определение которых представляет собой сложную задачу при смешанной проводимости полупроводника.

Кроме того, способ обладает низкой точностью в применении к уэкозонньи полупроводникам с характерными для них малыми диффузионными длинами Ь (L = 100 - 1 мкм), пос40 кольку коллекторные контакты имеют

3 конечные размеры порядка 10 мкм, что не позволяет точно определять расстояние между этими контактами и. в случае малых диффузионных длин приводит к значительным погрешностям. Точность измерений этого способа существенно ограничивается также шумами и нелинейностью коллектор ных контактов.

Способ сложен технологически для 1О измерений в полупроводниках с малой диффузионной длиной, так как cosдание выпрямляющих контактов на. образце трлщиной порядка 100 мкм является трудно осуществимой задачей.

Контактная инжекция неэффективна в узкозонных материалах при повышенных температурах, т.е. при тех условиях, когда наблюдается смешанная проводимость. Способ принципиально неприменим,для полупроводников с собственной проводимостью.

Известен также способ измерения 1 подвижности неосновных носителей заряда.по величине размытия пакета не- 2$ равновесных носителей заряда, в котором инжекция осуществляется оптическим путем, а регистрация про* изводится с помощью коллекторных контактов. При реализации способа используются скрещенные электрическое и магнитное поля (2) .

Недостатком способа является низкая точность определения подвижности при переходе к смешанной проводимости из-sa невозможности точного вычисления по используемой формуле и из-эа неопределенности расстояния между коллекторньии,контактами, обусловленной их конечными размерами,.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ определения подвижности неосновных носителей заряда, основанный на приложении к полупроводни- 4$ ковому образцу электрического поля.

Способ включает создание антизапорного и омического контактов к полупроводниковому образцу, приложение к этим контактам импульсного электри- О ческого поля, измерение времени установления режима истощения в кристалле t., измерение расстояния между антизапорным и омическим контак= тами f, измерение проводимости об- $$ разца в режиме истощениями}, освещение образца от внешнего источника излучения, измерение проводимости

484 4 образца при освещенииБ, вычисление подвижности неосновных носителей заряда по формуле б Е нФОсй då Ф Е

В отличие от других известных сйо= собов измерения подвижности шеоснов-. ных носителей в области смешанной проводимости в известном способе используется явление эксклюзии для изменения проводимости полуп1»оводникового образца от,смешанного типадо прнмесного f3) .

Недостатком известного. способа является низкая точность определения подвижности неосновных носителей заряда для материалов с малыми диффузионными длинами, характерными для узкозонных полупроводников при высо-. . ких температурах, что связано с неопределенностью расстояния между кон-. тактами, которая обусловлена конечностью их размеров. Эта погрешность велика, так как размер образца в . направлении движения носителей должен быть меньше растянутой диффузионной длины (диффузионная длина вдоль электрического поля), иначе процессы объемной генерации носителей будут подавлять процесс эксклюэии.

Кроме того, точность измерений значительно снижается из-за большой ошибки, связанной с определением времени вйтягивания неосновных носителей заряда, величина которого сильно искажается параэитньии индуктивностями и емкостями антизапорного контакта, самого образца и измерительной цепи. »

Точность способа существенно снижается из-за шумов и нелинейности эксклюзирующих контактов.

Способ сложен технологически для измерений в полупроводниках с малой диффузионной длиной, так как создание эксклюзирующих контактов в образце на расстоянии 10-100 мкм является трудно осуществимой saдачей. Следует отметить, что кон- . тактная эксклюэия не всегда эффективна,. в частности, в узкозонных материалах и при повышенных температурах, что создает дополнительные сложности.

Цель изобретения — повышение точности определения подвижности в полупроводниках с малой диффузионной длиной носителей в области сме1160484 шанной проводимости и упрощение способа..

Цель достигается тем, что еогласно способу опредеде йи подвижности неосновных носителей заряда, основанному йа приложении к полупроводниковому образцу электрического поля, обраэецпомещают в магнитное, поле так, что векторное произведение вектора напряженности электри-. ческого поля и вектора индукции магнитного поля направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, регистрируют зависимость отрицательной люминесценции на этой поверхности от величины магнитного поля, находят минимальный сигнал отрицательной люминесценции, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формуле с

У неоен. б е — подвижность неосновных где унесен носителей заряда;

В,„- индукция магнитного поля (соответствующая минимальному сигналу люминесценции); скорость света, причем величину. электрического поля выбирают соответствующей линейному участку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитного

ПОЛЯ.

Согласно способу по второму вари-. анту образец помещают в магнитное поле так, что векторное произведение вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля направлено вглубь образца перпендикулярно его поверхности, облучают эту поверхность излучением с энергией кванта,,меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, регистрируют зависимость отражения излучения от величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формуле

С ,Рнеосн,= где " — подвижность неосновных

Гнеосн носителей заряда;

 — индукция магнитного поля

fTl (соответствующая максимальному сигналу отражения); с - скорость света, причем величину электрического поля

3 выбирают соответствующей линейному участку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитного поля.

На фиг. 1 представлена схема изме © рительной, установки, первый вариант; на фиг. 2 --то же, второй вариант; на фиг. 3 — кривая, отвечающая пространственному распределению но- " :. сителей заряда в образце; на фиг. 4— кривая зависимости интенсивности рекомбинационного излучения P/Ð от величины магнитной индукции В; н а фиг. 5 — кривая зависимости о траженного сигнала К/Rz от величины магнитной индукции В. Йа фиг.. 3 и 4 обозначены: Р— интенсивность рекомбинационного излучения; Pp - равновесная интенсивность рекомбинационного излучения; R — коэффициент

Отражения; R - коэффициент отражения в ОтсутствиЕ внешних полей.

Схема устройства по первому варианту (фиг. 1) содержит полупроводниковый образец 1, источник 2

39 электрического напряжения, полюса электромагнита 3, систему 4 управления электромагнитом, фокусирующую систему 5, фотоприемник 6, усилитель

7, осциллограф 8.

Схема устройства по второму варианту (фиг. 2) содержит. полупроводниковый образец. 1, источник 2 электрического напряжения, полюса электро магнита 3, систему 4 управления элек 4а «тромагнитом, фотоприемник 6, усили-,. тель 7, осциллограф 8, источник 9 ,,I: излучения., Изображены также (фиг. 3) уровень

1О концентрации равновесно распределенных неосновных носителей заряда 10, уровень 11 концентрации нескомпенсированных примесей, распреде- . ление 12 неосновных носителей заряда при В > В, Сущность предлагаемого способа состоит в следующем.

В .отсутствие внешних полей из полупроводника выходит равновесный поток междузонного излучения Р, величина которого определяется равновесной концентрацией и„ носителей токапр =п . При наложении скрещен1160484 8 минесценции положение минимума связано с величиной магнитного поля выражением

С

В

Р неоСн 9 . Я.а. :

О q + q5

7 ных Е и В полей в таком направлении, чтобы дрейф электронно-дырочных пар происходил от поверхности, со стороны которой наблюдается

I излучение, вглубь полупроводника, концентрация носителей вблизи .этой грани становится меньше равновесного значения. Соответствующим образом уменьшается интенсивность рекомбинационного излучения, т.е. 1р наблюдается отрицательная люминесценция.

При сильном истощении приповерхностной,части полупроводника(np(<11 ) глубина модуляции рекомбинационного излучения практически становится равной значению Р„, т.е. максимальная амплитуда отрицательной ,люминесценции равна интенсивности равновесноro рекомбинационноro излучения свободных электронно-дырочных пар.

Зависимость сигнала отрицательной люминесценции P от электрического E и магнитного В полей имеет сле- дующую особенность: с увеличением магнитного поля при постоянном значении величины Е на образце интенсивность рекомбинационного излучения падает, проходит через минимум, а затем начинает возрастать (фиг. 4).

Такое поведение P теоретически предсказано, рассчитано и объяснено. Приводим конечный результат расчета и краткое объяснение сути эффекта.

Прн увеличении магнитного поля при Е = const уменьшается подвижность носителей тока из-за искрив- 40 ления траекторий их движения на длине свободного пробега. Падение подвижности неосновных носителей тока с ростом В замедляет отток пар от поверхности образца, в ре- 45 зультате чего на этой поверхности

1 интенсивность люминесценции возрастает. Минимум люминесценции наблюдается тогда, когда в приповерхностной области грани д, со SO стороны которой наблюдается люминесценция, реализуется обедненный слой, обладающий примесной проводимостью (фиг. 3). В слое с примесной проводимостью диффузионно- Я дрейфовые процессы определяются неосновными носителями и на полевой зависимости отрицательной люПоскольку исследуемое междузонное рекомбинационное излучение изза большого коэффициента поглощения (= 10 см ) выходит только из тонкого приповерхностного слоя, то остальная часть кристалла, в области которой может сохраняться смешанная проводимость, не влияет на величину Ю„,и не снижает точности определения я„ о „.-

Сущность второго варианта предлагаемого способа состоит в следующем.

В отсутствие внешних полей коэффициент отражения полупроводника для зондирующего излучения.с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны кристалла, равен где q — показатель преломления

1 полупроводника; — показатель преломления срег ды,. иэ которой излучение па;.. дает на кристалл (в данном случае — воздух, поэтому чг

Поглощение излучения в кристалле считают слабым, что для любого по- лупроводника можно выполнить путем подбора соответствующей длины волны о зондирующего излучения, приходящегося на область за краем собственного поглощения. Поэтому формула R уарощена — в ней отсутствует член, свя-: занный с поглощением (для большинства полупроводников область длин волн приходится на ближний ИК-диапазон). Показатель преломления полупроводника q, зависит от концентрации свободных носителей заряда

I 2

< р х 4% п„

< о(1 — г) и при ЯхЗ) = 0 в собственном полупроводнике определяется собственной равновесной концентрацией и;, здесь tdp — плазменная частота; ю — частота падающего на полупроводник излучения; е — заряд электро9 I 1бО 4 на; м»- эффективная масса носителей заряда 6 - диэлектрическая проницаемость решетки.

При наложении скрещенных полей в таком направлении, что дрейф S электронно-дырочных пар нронсходит от поверхности, со стороны которой на полупроводник падает излучение, вглубь кристалла, концентрация носителей вблизи этой грани становит- ® ся меньше равновесного значения..

Соответствующим образом увеличива-, ется показатель преломления кристалла и его отражательная способность

R. Â условиях сильного истощения приповерхностной части полупроводника (фc<4 ) наблюдается максималь2 ная модуляция величины R, так как прн этомы /м- 0. Однако, как и в случае отрицательной люминесценции, на 20 зависимость К от f. EzB) существенное влияние оказывает величина В..Здесь также на зависимости R от В при

Е const наблюдается экстремум. . Причина этого явления н его обьясве- 2S ние те же, что и в случае первого .варианта предлагаемого способа: падение подвижности неосновных носителей тока с ростом В замедляет отток электронно-дырочных пар от 30 поверхности образца. Поэтому (в области В> В„,) по мере увеличения

В у этой поверхности остаетея все больше и больше не поддавшихся поперечному вытягиванию электронночных пар, что сказывается в умеьшении q, и R. Иаксимальное значе-. ние отражения наблюдается при В„, C./Р неонам.

Зондирующее излучение, падающее на кристалл, отражается от поверхности образца, а также проникает вглубь полупроводника и претерпевает отражение на градиентах концентрации носителей заряда. Если сравнивать вклад в отраженный сигнал поверхности образца и градиентов концентрации внутри полупроводника, то можно сделать вывод, что вклад последних на 2-3 порядка меньше по сравнению с поверхностью..Это легко понять, учитывая, что на границе полупроводника показатель преломления резко меняется от 1 (воздух; qz 1) до q 3,5-4 (например, в ЯВЬ, Ge, CdHgTe и др.). Внутри полупроводника разница в показателях преломления sa счет градиента кон84 10 центрации порядка примерно 0,01, Таким образом, фактор, о котором идет речь, практически не влияет на определяемую величину В, а значит, и jk««„, что позволяет сделать вывод о высокой точности предлагаемого способа определения подвнжности неосновных носителей заряда.

По предлагаемому способу на образец следует подавать электрическое поле, не превышающее определенного уровня, достаточного для создания в кристалле ударной ионизации.

В противном случае процесс ударной ионизации искажает ход зависимости Р или R от В и ведет в конечном счете к ошибкам в измерении у евам ° К таким же последствиям. ведут процессы инжекции носителей из контактов, которые могут проявиться, если к образцу приложить большое поле Е. Чтобы исключить эти явления, необходимо перед измерением зависимости Р илн R от В снять вольт-амперную характеристику (BAX) образца, в результате чего выбрать

1для проведения измерений p gey,„ поле Е, соответствующее линейному участку этой характеристики. Измерения ВАХ следует проводить при

В = О, чтобы исключить возможное появление нелинейности на ВАХ, вызванное наличием магнитного поля.

В предлагаемом техническом решении изменение типа проводимости достигается без антиэапорных контактов и при определении подвижности, неосновных носителей нет необходимости определять межконтактное расстояние (, которое вследствие неопределенности глубины залегания антиэапорного контакта определяется с точностью до 10 мкм, что при малых диффузионных длинах порядка 1 — 100 мкм дает большую ошибку. Таким образом, устранение этой погрешности повышает точность определения подвижности неосновных носителей, примерно, на порядок, Кроме того, измеряются стационарные характеристики в отличие от известного,. где необходимо было определять время установления режима истощения в кристалле 1, которое должно быть меньше времени жизни . Для полупроводников с малой диффузионной длиной L = I/Æ, где D — - коэффициент диффузии неосновных носителей заряда, характерны малые времена жизни 1 = 1

100 нс. Непосредственное определение длительности столь коротких 5 импульсных сигналов связано с большими методическими трудностями и ошибка при определении параметра t может быть сравнима с измеряемой величиной:и даже превышать ее. 10

Параметр 1 очень сильно может искажаться паразитными емкостью и индуктивностью полупроводникового образца и антизапорного контакта, которые невозможно устранить tS и практически очень сложно рассчитать. При этом ошибка определения растет по мере уменьшения 1, а следовательно, и L.

Кроме того, на,точность опреде- . 20 ления значительное влияние оказывают шумы и нелинейность запорного контакта.

Таким образом, устраняя указанные погрешности определения Г и t, не- 25 обходимые для определения )инеоея. по известному способу, с помощью предлагаемого технического решения можно увеличить точность определения подвижности неосновных носите- 30, лей заряда на один-два порядка.

Кроме того, способ значительно упрощается, поскольку устраняется такая сложная технологическая операция, как создание антизапорных

35 контактов.

Пример 1. Образцы выполнены из р -inSb,с концентрацией нескомпенсированных акцепторов Na †Nd =

1б -3 — 10 см . Размеры образца соответственно равны 0,3.0,3-0,01 смз . Измерения проводят при Т = 300 К. Собственная концентрация носителей

1Ь -3 при этой температуре = 2 10 см

На образец чистым индием наносят омические контакты.

Для наблюдения больших сигналов лкиинесценции или отражения (удобно в,эксперименте) целесообразно на поверхности образца, где не- 10 обходимо реализовать обедненный слой, обеспечить скорость поверхностной рекомбинации несколько меньшую, чем на противоположной грани. С этой целью поверхность. образца у травят в травителе типа СР-4.

Далее при В = 0 снимают ВАХ образца, показавшую, что до 300 В/см

1160484 12 не наблюдается никаких нелинейностей проводимости. Поэтому дальнейшие измерения P, R = f(E, Н) проводят при Е = 150 В/см.

С помощью держателя образцы устанавливают между полюсами электромагнита, после чего к контактам образца подают импульсное электрическое поле, что обеспечивает мо- . дуляцию рекомбинационного излучения и исключает перегрев образца.

Люминесценция полупроводника фиксируется охлажденным до 77 К фотосопротивлением иэ Ge(Au). Сигнал с фотоприемника усиливается и поступает на осциллограф.

Путем регулировки тока питания ,. электромагнита находится минимум сигнала отрицательной люминесценции (фиг. 4), после чего по градуировке магнита находят значение магнитного поля В = 1,7 кГс. Расчеты по формуле у „ „. = С/В,п дают значение р б -10" см /B. c.

Полученная величина хорошо согласуется с. теоретическими расчетами.

Пример 2. Образцы выполнены из р -Cdogs Häîâ Tå с концентрацией нескомпенсированных доноров

8-10 . см з. Процедура подготовки образца и измерения проводится . по схеме предыдущего примера.

В,„ = 10 кГс, что по формуле (5) . дает значение Рнеосн. = .10" см /В с.

Это значение"хорошо совпадает. с теоретическими оценками подвижности в этом соединении.

Пример 3. Образцы выполнены из р --ХпЯЬ с концентрацией

;нескомпенсированных акцепторов

Na — Nd = 10® см з. Размеры образ-. ца 0,3 ° 0,3 0,01 см Измерения проводят при Т = 300 К. Собственная концентрация носителей при ,этой температуре 1 2 .10 "4 см з.

Омические контакты наносят индием, посредством контактов на образец подают импульсное электрическое поле. Обработка поверхности и выбор электрического поля посредством предварительного измерения ВАХ такие же, как в примере 1. Образец помещается между полюсами электромагнита, магнитное поле которого изменяется током питания. Поверхность образца облучают СО,-лазером мощностью 0,5 Вт, отраженный сигнал регистрируется .охлажденным до

1160484

13

77 К фотосопротнвлением на основе ,CdHgTe, соединенным с осциллографом.

Регулировкой тока питания электромагнита .находится минимум сигнала

Q/R. Соответствующее ему значение В составляет 1,7 кГс (фиг. 5). РасМ четы по формуле„ „, си» = .С/В дают

;значение ф„ ар .= 6 ° 10" см /В с.

Как .видно из примеров 1 — 3, по предлагаемому способу возможно 10 проведение измерений в импульсном режиме. При этом величины P u R представляют разницу между Р -P (Е,Н) и R (Е,Н)-R соответственно. Таким образом реализуется хорошо иэвест- 15 ная дифференциальная методика измерений, значительно повышающая точность результатов. Этот фактор выгодно отличает предлагаемое изобретение от аналогов.

l4

Предлагаемое техническое решение, сохраняя технико-экономические преи-,. мущества известного способа, обладает следующими преимуществами: измерение подвижности неосновных носителей заряда при неизвестной степени собственности материала и значениях подвижности основных носителей; расширение класса исследуемых материалов в .сторону полупроводников с малой диффузионной длиной; упрощение подготовки образЦа, а следовательно, и способа в целом, так как нет необходимости создавать антиэапорные контакты; расширение класса исследуемых материалов в сторону полупроводников с узкой запрещенной зоной, для которых при . высоких температурах невозможно создать неомические контакты.

1160484

1160484

Вмин

Фа5

ВНИИПИ Закаэ 3834/50 Тиран 679 Подннсное

Филиал ППП "Патент", г.Уигород, ул.Проектная, 4