Шихта для изготовления термостабильного конденсаторного керамического материала

 

ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРНОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, преимущественно для монолитных конденсаторов , содержащая твердый раствор LaAEOi - CaTiOj и добавку, образующу1о при обжиге алюмосиликат, о тличающаяся тем, что, с целью снижения температуры спекания материала без изменения его электрофизических параметров, она содержит в качестве добавки Ae(NO), гидролизат 81(ОСдН5-)4 и воду при следующем соотношении компонентов, мас.%: LaAEO, - CaTiO 77,30-89,65 AE(NOj), . 3,02-6,62 Si(OCjHy)4 2,59-5,70 ВодаОстальное (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

4(з1) С 04 В 35/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCKOlVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3650483/29-33 (22) 05.10.83 (46) 30.06.85. Бюл. № 24 (72) Л.П. Мудролюбова, A.È. Борисенко, Л.В. Николаева, Э.И. Продавцова, И.Б. Камушкина и Д.И. Кескинова (53) 666.655(088.8) (56) Керамические высокочастотные материалы для конденсаторов с жестким допуском по ТКЯ. "Электронная техника", серия 5, 1972, вып. 3, с. 28.

Авторское свидетельство СССР № 192050, кл. С 04 В 35/46, 1965. (54) (57) БИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТЕРМОСТАБИЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРНОГО,»SU „11 4226

КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, преимущественно для монолитных конденсаторов, содержащая твердый раствор

ЬаА10 — CaTiO> и добавку, образующую при обжиге алюмосиликат, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью снижения температуры спекания материала без изменения его электрофизических параметров, она содержит в качестве добавки

А 6(ИО 3)3 9НzÎ, гицролизат Б (ОС Н )4 и воду при следующем соотношении компонентов, мас.Ж:

ЬаА 10 э — СаТ10 > 77,30-89,65

А E(NOз)з 9Нг0 3,02-6,62

$3 (ОСЕНЮ)4 . 2,59-5,70

Вода Остальное

1164226

Компоненты

Состав, Ф

А ((ИОЗ) 9Н О 8i(OC>H<) Вода гидролизат

LaA Π— СаTiO, 6,62

77,30

83,47

89,65

5,70

10,38

4,82

4,15

7,56

3,02

2,59

4,74

Составитель Н. Соболева

Техред Т.Фанта Корректор Г. Решетник

Редактор С. Тимохина

Заказ 4151/21 Тираж 605 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при производстве высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов.

Целью изобретения является снижение температуры спекания материала без изменения его электрофизических параметров.

Для получения материала порошок предварительного синтезированного твердого раствора с удельной поверхностью 7000- 10000 см /r смешивают в мельнице с раствором из смеси азотнокислого алюминия А1(ИО3) 9Н О и гидролизата 8 (ОС Н )

При этом на 100 кг смеси добавляют 35 л воды для улучшения перемеь шивания компонентов. Смешивание проводят 3-4 ч. о

Шликер сушат при 80 С, протирают через сито 06 и прокаливают при

400-500 С в течение 1,5-2 ч, после чего шихту размалывают сухим способом в вибромельнице в течение 30 мин.

Прессуют образцы диаметром

20 мм, высотой 2 мм при .давлении

1000 KI/см, обжиг проводят на высокоглиноземистых подставках или высокожженом глиноземе при l3001340 С.

5 В таблице представлены составы материала.

Диэлектрическая проницаемость состава 1 составляет 39 при TKE =

= -5 ° 10 град. и 47 при ТКЕ =

-6

-ь

= -59 10 град, соответственно групп по ТКЯ MITO и М75, tp8 — 1° . 10, P, при 155 С = 5 10 Ом см; температура спекания 1300 С.

Диэлектрическая проницаемость состава 2 составляет 40 при TKF. =

= — 10 10 град и 48 при TKF = — 6

-1

= -62 10 град . соответственно для тех же групп по ТКЯ; tg 8 = 1 .10, Я„при 155 С = 7 10 Ом см; темпео в

20 ратура спекания 1320 С.

Диэлектрическая проницаемость состава 3 равна 40 при TKE = — 12 ° 10 град.

& и 49 при TKE = -70 ° 10 град ". соответственно для тех же групп по

ТКЕ; tg8 = 1 10 ;у, при 155 С

>3

8 10 Ом см, температура спекания 1340 С.