Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИПИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ Ш1ЕНКАХ, основанный на плетении обмоток матриц на технологических струнах путем одновременного пропускания провода обмоток и основного ограничительного стержня через зев, образованный технологическими струнами, расположения провода и основного ограничительног стержня в зеве под углом к технолог ческим струнам, удерживания струн ограничительньм стержнем и регули рования зева с образованием обратно го зева, введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня, перемещения его по направлению к основному стержню до касания всеми технологическими струнами, последовательного удаления из технологических струн основного и дополнительного ограничительных стержней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц, после введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня сводят технологические струны обратного зева и располагают их друг относительно друга вдоль дополнительного .ограничительного стержня с понижением высот в направлении свободного конца провода и удерживают струны дополнительным ограничительным стержнем в данном положении, а удаление дополнительного ограничительного стержня из технологических струн обратного зева осуществляют перемещением его в направлении от свободного конца провода.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

4(si) G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ. лг.;;;,,.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 36523 78/24-24 (22) 11.10.83 (46) 30.06.85. Бюл. 9 24 (72) Н.И. Бавыкин, Л.Т. Лысый, Э.А. Парасюк и В.И. Шаповалов (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР !! 566267, кл. С 11 С 11/14, 1977.

2. Авторское свидетельство СССР

У 842959, кл. С 11 С 11/14, 1981 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЬ1Х ПЛЕНКАХ, основанный на плетении обмоток матриц на технологических струнах путем одновременного пропускания провода обмоток и основного ограничительного стержня через зев, образованный технологическими струнами, расположения провода и основного ограничительного стержня в зеве под углом к технологическим струнам, удерживания струн ограничительным стержнем и регулирования зева с образованием обратно„„SU „„1164786 A го зева, введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня, перемещения его по направлению к основному стержню до касания всеми технологическими струнами, последовательного удаления из технологических струн основного и дополнительного ограничительных стержней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления запоминающих матриц, после введения в обратный эев дополнительного ограничительного стержня сводят технологические струны обратного зева и располагают их друг относительно друга вдоль дополнительного .ограничительного стержня с понижением высот в направлении свободного конца провода и удерживают струны дополнительным ограничительным стержнем в данном положении, а удаление дополнительного ограничительного стержня из технологических струн обратного зева осуществляют перемещением егоs направлении от свободного конца провода.

1164186

I5

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памяти для запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных пленках (ЦМД).

Известен способ изготовления запоминающих матриц на ЦМЛ, основанный на плетении обмоток матриц на технологических струнах основы пу1ем пропускания провода и вместе с ним ограничительного стержня через зев, образованный взаимным смещением технологических струн, расположения приложенного в зеве провода по линии его формовки под углом к струнам, удерживания технологических струн в зоне плетения стержнем и регулирования зева, извлечения стержня из технологических струи в сторону свободного конца провода 1 .

Однако данный способ не обеспечивает равномерной по глубине формовки провода, проложенного в зеве под углом к струнам. Это обусловлено тем, что расстояния между стру-. нами по высоте в направлении провода не одинаковы и увеличиваются в сторону его свободного конца. Ограничительный стержень при регулировании зева выравнивает высоты струн, однако при извлечении иэ зева ограничительного стержня струны не фиксируются на одинаковых высотах в направлении провода и, переходя в противоположный зев (после извлечения стержня), формуют провод в направлении возрастания расстояний по высоте между ними. Это приводит к нарушению формы витков при подбивке к пакету сплетаемых обмоток матриц, снижает их качество и надежность.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является спо соб изготовления запоминающих матриц на ЦМП, заключающийся в том, что в обратный зев струн, образованный после зажатия ими ограничительного стержня, вводят дополнительный ограничительный стержень, перемещают последний по направлению.к основному до выравнивания усилий зажатия его участками струн, фиксируют дополнительный стержень в этом положении, после чего последовательно удаляют

55 основной и дополнительный стержни С23.

Недостатком известного способа является то, что при перемещении дополнительного стержня к основному увеличиваются усилия в струнах, действующие на основной стержень, и при извлечении стержня (основного) из зева сходящие с его конца струны резкими движениями дергают проложенный в зеве провод, увеличивают длину втягивания его свободного конца, что приводит к отклонению размеров витков обмоток матриц, точности их плетения, снижению качества и надежности.

Цель изобретения — повышение точ ности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ЦМП, основанному на плетении обмоток матриц на технологических струнах путем одновременного проПускания провода обмоток и основного ограничительного стержня через эев, образованный технологическими струнами, расположения провода и основного ограничительного стержня в зеве под углом к технологическим струнам, удерживания струн ограничительным стержнем и регулирования зева с образованием обратного зева, введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня, перемещения его по направлению к основному стержню до касания всеми технологическими струнами, последовательного удаления из технологических струн основного и дополнительного ограничительных стержней, после введения в обратный зев дополнительного ограничительного стержня сводят технологические струны обратного зева и располагают их друг относительно друга вдоль дополнительного ограничительного стержня с понижением высот в направлении свободного конца провода и удерживают струны дополнительным ограничительным стержнем в данном положении, а удаление дополнительного ограничительного стержня из технологических струн обратного зева осуществляют перемещением его в направлении от свободного конца провода.

1164786

Плетение обмоток запоминающих матриц осуществляют на любом приспособлении, устройстве или станке, имеющем зевообразующий механизм.

На фиг. 1 схематически показана операция введения в эев провода и ограничительного стержня на фиг.2операция регулирования основного зева и образования обратного зева; на фиг.3 — - операция введения в обратный 10 зев дополнительного ограничительного стержня с переменным сечением по длине; на фиг.4 -- операция расположения дополнительного ограничительного стержня относительно основ- 15 ного и эащемления его струнами; на фиг.5 — операция извлечения из зева основного ограничительного стержня и формования струнами провода; на фиг.6 — операция извлечения из 20 обратного зева дополнительного ограничительного стержня.

Устройство для осуществления предложенного способа содержит технологические струны 1, .вплетаемый 25 в них провод 2, основной ограничительный стержень 3 и дополнительный ограничительный стержень 4.

Предложенный способ осуществляют следующим образом. 30

В образованный между технологическими струнами 1 зев вводят провод 2 и основной ограничительный стержень 3, располагают провод 2 в зеве по линии формовки под. углом З5 к струнам 1, а стержень 3 располагают в зеве параллельно проводу. Удерживают провод 2 и стержень 3 в заданном положении и регулируют зев. Для этого перемещают струны 1 в сторону 40 закрывания зева. При этом струны 1 встречают на своем пути ограничительный стержень 3, который задерживает в открытом зеве участки струн 1 от вершин углов зева до мест каса- 45 ния со стержнем 3. Другие участки струн 1 от мест касания их со стержнем 3 сводят в плоскость нейтрального положения и,не меняя направле ния их движения, разводят в направле-50 нии открывания очередного зева и образуют между струнами 1 в местах их перекрестий со стержнем 3 обратный зев. В обратный зев вводят дополнительный ограничительный стер- . 55 жень 4 с изменяющимся по его длине сечением таким образом, что направ- . ляют его стороной с меньшим сечением в направлении свободного корца провода 2, располагают стержень 4 в зеве на зацанном расстоянии от основного стержня 3 и под заданным углом к струнам 1, после чего сводят струны обратного зева и защемляют ими дополнительный стержень 4 °

Затем извлекают основной стержень 3 из струн 1 путем перемещения его в сторону свободного конца провода 2. При этом струны 1 последовательно сходят с конца стержня 3, переходят через плоскость нх нейтрального положения, формируют провод 2 и открывают обратный зев на участке от дополнительного стержня

4 до вершин углов между струнами 1 в месте их отделения от сплетаемого пакета обмоток матриц. Струны 1 в сечении стержня 4 располагают в соответствии с его толщиной на различных расстояниях друг от друга.

При таком расположении струн 1 на стержне 4 прочсходит выравнивание расстояний (высот) между струнами 1 и в направлении формовки провода 2 и глубина его формовки каждой струной при перемещении стержня 3 получается одинаковой.

После извлечения из струн 1 стержня 3 и формовки струнами 1 провода 2 извлекают стержень 4 путем перемещения его в направлении от свободного конца провода 2, сводят струны 1 в плоскость их нейтрального положения и все дальнейшие операции повторяют.

Пример. Предложенный способ опробован для плетения обмоток

20-разрядной, 32-числовой матрицы.

Диаметр технологических струн

0,2 мм, шаг между струнами 0,5 мм.

Диаметр провода для обмоток матриц

0,08 мм, марка провода ПЭВТЛК.Между обмотками вплетали по 3 витка магнитного кипера. На концах матриц сплетали по 10 технологических витков, предохраняющих витки начальных рабочих обмоток матриц от повреждений при извлечении технологических струя из соленоидов обмоток, заполнении их стержнями с магнитной пленкой и монтаже матриц в накопитель памяти.

Основной ограничительный стержень выполнен в виде пластины иэ текстолита толщиной 0,5 мм, шириной 4 мм и длиной 100 мм. Дополни! 164786

Рис. 3

Фик Я тельный ограничительный стержень выполнен в виде клинообразной пластины из текстолита толщиной ее концов в 1 мм соответственно шириной 4 мм и длиной 120 мм. Основной стержень располагали в зеве паралO лельно проложенному под углом 30 к струнам проводу на расстоянии

5 мм .от него, а дополнительный стержень располагали в обратном зеве под прямым углом к струнам концом с меньшей толщиной в сторону: свободного конца провода и на расстоянии 25 мм от него. Стержень устанавливали толщиной 1,5 мм между струнами у свободного конца провода

Контроль плетения обмоток осуществляли визуально с применением окуляра 8-кратного увеличения.

В результате были получены числовые обмотки матрицы с одинаковыми по глубине формовки полувитками в соленоидах, без обрывов проводов, нарушения его изоляции, а плетение полотна числовых обмоток матриц не имели деформированных участков.

Предложенный способ по сравнению с известными позволяет широко варьировать параметрами зоны плетения зева (места и направления удерживания струн при регулировании зева в направлении формовки провода, высоты между струнами по линии формовки провода), параметрами обрат-. ного зева (места положения допол5 нительного стержня между струнами зева), размерами формуемых участков провода и обеспечивает оптимальные условия плетения обмоток матриц различных типоразмеров и на устройствах с различными механизмами зевообразования.

Кроме того, предложенный способ изготовления запоминающих матриц позволяет повысить такие показатели процесса плетения обмоток матриц, как равномерность- глубины формовки провода, воспроиэводимость идентичности Формовки провода, повышение точности размеров формовки, снижение брака, повышение качества и надежности.

Предложенный способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП обеспечит изготовление обмоток матриц заданных размеров ° повышение однородности их электрических и магнитных параметров, повышение выхода годных и качества матриц.

Годовой экономический эффект от

ЗО использования предложенного способа составит не менее 4,0 тыс.руб.

1164786

Составитель Ю. Розенталь

Техред М.Кузьма Корректор Г. Решетник

Topaz 584 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Редактор М. Дылын

Заказ 4193/49

Филиал ППП "Патент", г. Умгород, ул. Проектная,4

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

 

Наверх