Устройство для укладки полупроводниковых пластин

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УКЛАДКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержашее емкость в виде соосно размешенных цилиндров, причем в стенке внутреннего цилиндра емкости выполнены отверстия-сопла , соединенные с системой подачи сжатого газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности в работе и упрощения конструкции, оно снабжено закрепленными на внутреннем цилиндре лентами, которые пропущены в полость внутреннего цилиндра емкости через отверстия-сопла. Pue.i

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„ЯЦ„„1167673 А

1 11 4 Н 01 1 21/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

I

1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМЪГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3700680/24-21 (22) 10.02.84 (46) 15.07.85. Бюл. № 26 (72) И. Н. Туркин, А. Е. Шиллеров, М. Г. Ураевский и В. М. Бичев (71) Государственный ордена Октябрьской

Революции научно- исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (53) 621.317.7 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 702432, кл. Н 01 1 21/00, 18.10.76.

Иванов А. А., Автоматизация сборки миниатюрных и микроминиатюрных изделий, М., «Машиностроение», 1977, с: 23 (прототип) . (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УКЛАДКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащее емкость в виде соосно размещенных цилиндров, причем в стенке внутреннего цилиндра емкости выполнены отверстия-сопла, соединенные с системой подачи сжатого газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности в работе и упрощения конструкции, оно снабжено закрепленными на внутреннем цилиндре лентами, которые пропущены в полость внутреннего цилиндра емкости через отверстия-сопла.

1167673

Изобретение относится к технологическому оборудованию при производстве полупроводниковых пластин.

Цель изобретения — повышение производительности работы и упрощение конструкции.

На фиг. i представлено предлагаемое устройство, вид спереди; на фиг. 2 то же, вид сверху.

Устройство состоит из внутренней цилиндрической стенки 1, в которой выполнены отверстия-сопла 2, расположенные симметрично рядами по образующей стенке цилиндра, с обратной стороны которой укреплены одним концом гибкие элементы

3, например тефлоновые ленты или нити, а их незакрепленные концы свободно пропущены через отверстия 2. Стенка 1 заключена в замкнутый объем, образованный стенкой 4 и крышкой 5, а пространство между стенками I и 4, представляющее собой камеру 6, соединено через патрубок

7 с системой подачи сжатого газа.

Устройство работает следующим образом.

В рабочую камеру 6 через патрубок 7 подают сжатый газ, который, проходя через отверстия-сопла 2, натягивает нити 3, придавая им определенную жесткость, зависящую от величины рабочего давления. (верху в пространство, ограниченное внутренней стенкой 1 устройства, сбрасывается полупроводниковая пластина 8, края которой

Опираются на ленты 3, армирующие воздушные струи и в силу своей упругости амортизирующие удар при падении пластины, которая затем, преодолевая под действием своего веса жесткость симметрично расположенlIl>lx B горизонтальной плоскости ряда лент, замедленно опускается плоскостью в нижнюю часть устройства без удара при соприкосновении с дном или лежащей сверху пластиной.

Применительно к кремниевым пластинам диаметром 42 мм, обычно. применяемых для силовых полупроводниковыx приборов. каждая из лент шириной 1,7 мм и длиной 15 — 20 мм при рабочем давлении

0,1 кгс/см2 и диаметре отверстия-сопла

1,6 мм способна удерживать груз весом до 0,160 г. Следовательно, кремниевая пластина весом 1,60 r, опирающаяся кромкой на ленту на расстоянии 10 мм от плоскости сопла, может быть удержана с помощью десяти расположенных по окружности сопел с лентами при внутреннем

15 диаметре накопителя -60 мм. Для плавного опускания (укладки) пластин в вертикальном направлении достаточно(при заданном давлении) уменьшить количество сопел с лентами до 6 — 8, в результате чего пластина будет плавно соскальзывать

20 с одного каскада (ряда) лент на другой, не вызывая повреждения хрупких пластин.

Лля загрузки 100 шт пластин толщиной

0,6 мм высота цилиндра накопителя составляет 70 мм, количество сопел в ряду можно взять равным 6, число рядов — 6.

При изменении рабочего давления устройство может работать и в качестве дозатора и счетчика.

Устройство позволяет также проводить и обработку несухих пластин за счет замены

30 газовой рабочей среды на жидкостную

Так путем замены воздуха жидкостным травителем, например щелочным раствором, можно осуществлять травление пластин, регулируя время обработки пластин (время прохождения пластин по цилиндру) давлением жидкости через сопла.

Это все вместе создает условия для автоматизации операций по обработке полупроводниковых пластин.

}167673

Редактор В. Ковтун

Заказ 4441/50

Составитель В. Жеглов

Техред И. Верес Корректор А. Тяско

Тираж 679 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для укладки полупроводниковых пластин Устройство для укладки полупроводниковых пластин Устройство для укладки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх