Активный элемент ионного газового лазера

 

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИОННОГО ГАЗОВОГО ЛАЗЕРА, содержащий установленные на его торцах окна Брюстера из монокристалпического кварца. 2 а ю щ и с я тем, что. о т л и ч с целью упрощения технологии изготов ления, рабочие поверхности окон Брюстера выполнены перпендикулярно главной оптической оси кристалла, а толщина h окон удовлетворяет соотношению . h fc all l-Sfis g. m где - рабочая длина волны, мкм; tpg- угол преломпения материала окна, град; k - целое число

СОЮЗ СООЕТСНИХ

WIIHI5IÊ

РЕСПУБЛИК (я)5 H 01 S 3/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А В ТОРС340ММ СЗВЩВ1В ВЮ ВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОВРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ГАРИ fHHT СССР

1 (21) 3653216/25 .(22) 18.10о83 (46) 15 ° 04o91, Бюль !! 14 (72) В,Ф.Быковский, Б.II.Èèðåöêèé, Н Д.Королев, И.К.Дятлов и Б.Е.Константинов (53) 621. 375 ° 8(088. 8)(56) Патент СЯА !1 3993965, кл ° Н 01 S 3/02, опублик. !976.

Патент США И 4063803, кл, Н. 01 $ 3/02, опублик. 1977, (54) (57) AKTHBHblA ЭЛЕМЕНТ ИОННОГО

ГАЗОВОГО ЛАЗЕРА, содержащий установленные на его торцах окна Брюсте ра из монокристаплического кварца, /

Изобретение относится к области квантовой электроники и может 61ыть использовано GpH создании мощных иаи ных лазеров непрерывного действия на» инертных газах

Целью изобретения является упрощение технологии изготовления активного элемента.

На фиг.1 показан ионный лазер; на фиг. 2 - концевой патрубок активного .элемента с наконечником и выхадным окном.: Брюстера, на фиг.3 и 4 - экспе-. риментальные кривые, характеризующие изменение мощности излучения Н лазера от угла поворота g внутрнрезона .. торной кристаллической пластинки . Газовый лазер состоит из активнаго элемента ) с охпаждаеиам водой . разрядиым капилляром 2 из бериплке- . вой керамики, катодиым 3 и аиодным:

),.SUÄÄ 1169499 A 1

2 о т л и. ч а ю шийся. тем, что, с целью упрощения технологии изготов ления, рабочие поверхности-окон Брюстера выполнены перпендикулярно главной оптической оси кристалла, а толщина h окон удовлетворяет соотношению

Я О со6 ч з

Ш

l где 7l e — рабочая длина волны, мкм, !! — угол преломления материала окна, град;

k — целое число (!О 6 k Й 30) °

m — эмпирический коэффицйент .(5 ° )О 3, а 6 ° 10-3). 4

Са

В.

4 узлами, соленоида 5, в котором расположен разрядный капилляр 2 и опти- ческого резонатора, образованного зеркапамн 6 и 7. На концах активного элемента имеются патрубки- 8, закры" тые герметично выходными окнами 9 из монокристаллического кварца Конце.вой.патрубок .активного элемента выполнен составным Он содержит втулicy 10, соединенную с разрядным канапои активного элемента лазера, и ,и наконечник 11 с выходным окном Брюстера.

Наконечник 11 и втулка 1О соединены герметично между собой с помощью. пайкн нли сварки. через расширенйя в виде фпанцев или кольцевых выступов.

Наконечник !! имеет опорную площадку, сошлифованную под углом Брю1169499 стера (1 к оси наконечника, к которой герметично присоединено выходное 9 из монокристаплического кварца.

Окно выполнено (вырезано) из монокристалла так, что оптическая ось Е

5 кристалла перпендикулярна его рабо- .* чим поверхностям. При этом ось Е лежит в плоскости падения световой волны. В данном случае коэффициент термического расширения (КТР) кристалла не зависит от направления в плоскости, поверхности окна, а оптические свойства для проходящего пучка не меня-. ются при повороте окна вокруг оси Е, Дпя заданной рабочей длины волны генерации ф минимальные оптические о потери на отражение на поверхностях окон для проходящей через них световой волны, поляризованной в плоскости падения, обеспечиваются выбором толщины окна.

Работает устройство следующим образом.

При возбуждении газового разряда в активном элементе 1 и достижении плотности тока 500 - 1000 А/см создаются условия генерации на видимых и ультрафиолетовых (УФ) линиях одно и двухкратно ионизированных атомов аргона. Мощность генерации зависит . от оптических потерь в резонаторе и, в частности, от потерь на отражение от поверхностей выходных окон Брюсте.— ра, которые в рассматриваемом случае, когда рабочие поверхности окон перпендикулярны главной оптической оси кристалла, обусловлены вращением плоскости поляризации и двулучепрелом ением.

В одноосных кристаллах, таких как кристаплический кварц, вращение плос" кости поляризации максимапьно в направлении главной оптической оси и быстро убывает при отклонении от нее. 45

В данном случае, когда угол между осью Е и преломленным пучком составляет () 33, вращение плоскости поо ляризацйн в несколько раз меньше, чем ВДОль Оси Z o

Однако даже при небольшом вращении плоскости поляризации происходит изменение формы и направления поляризации светового пучка, прошедшего через ок-, но, что может вызвать увеличение оптических.потерь на отражение. Очевид55 но, что такое изменение поляризации зависит от толщины кристаллического окна, Падающий на. поверхность окна Брюстера монохроматический линейно-поляризованный в плоскости падения световой поток в кристапле преобразуется в две компоненты, отличающиеся поляризацией и распространяющиеся с различными скоростями, которые в результате интерференции на выходной поверхности окна образуют поток с другими характеристиками поляризации, При определенной разности хода двух компонент, зависящей от толщины окна, преимущественное направление колебаний выходящего потока совпадает с плоскостью поляризации падающего потока. При этом потери на отражение минимальны, Разность фаз колебаний Ь двух компонент, прошедших через плоскопараллельное окно, определяется выражением

$ = — -" — — — h ф СО8 pb- У где и = п = и - разность показате2 лей преломления каждой из компонент в кристалле для заданного угла преломления Vg;

ЯΠ— рабочая длина волны е

Потери на отражение при интенференции двух компонент выходящего пучка минимальны в случае, когда разность фаз равна

Ь = 2н1с, где k — целое число, характеризующее порядок интерференции

Отсюда находится соотношение для выбора оптимальной толщины окна, в котором, в отличие от формулы (1) вместо коэффициента n = n = n учи1 2 тывающего оптические свойства среды, используется коэффициент ш, найденный экспериментально о 10 соз 4G с ш

В экспериментах используют плоскопараллельные пластинки различной толщины из монокристаллического кварца с поверхностями, перпендикулярными главной оптической оси Z кристалла, которые помещают под углом Брюстера в резонатор газового лазера.

Использовались гелий-неоновый с

Фо= 0,6328 мкм, гелий-кадмиевый с

5 1169499

Яо = 0,4416 мкм и аргоновый с Яо =

= 0,5145 или hz = 0,351 мкм лазеры.

При изменении угла наклона пластинки к оси резонатора наблюдаются периодические йзменения мощности излучения на выходе лазера.

Зависимости, характеризующие изменение мощности генерации на выходе лазера при повороте пластинки, представлены на фиг.3 (для толщины пластинки 2,5 мкм — кривая 12 и 2 мм— кривая. 13 на длине волны 0,6328 мкм) и на фиг. 4 (для толщины пластинки

2, 5 мкм на длинах волн 0,6328 мкм— кривая 14 и 0,4416 мм — кривая 15) °

Угловое расстояние между соседними максимумами или минимумами зависит от длины волны генерации и толщины пластинки. Оно увеличивается с ростом длины волны и уменьшением толщины пластинки. Следует отметить также, что амплитуда изменения мощности генерации от максимума до минимума снижается с уменьшением толщины пластинки.

Эмпирический коэффициент m определяют с помощью формулы (3) для из-, вестных значений длины волны генерации ф и толщины пластинки h по изо меренным углам наклона g о пластинки к оси резонатора лазера, соответствующим двум соседним максимумам. Дпя одного из максимумов, соответствующего углу наклона (P<, ближайшего к углу

Брюстера (< имеем

-3 и h, ° 1O

= k — — — — (4)

cos (ф, m

Выходные окна предложенного ак45 тивного элемента изготавливаются из (6) 50

55 для соседнего максимума, соответствующего углу наклона

h 9o lO (k-1) — — — — ° (5)

cos ЧУ2 тп

Вычитая из выражения (4) выражение (5), получаем

Яо 10

1 I

h(— — -- — — -) соз(/(созЦ

Найденный таким образом эмпирический коэффициент m не зависит от толщины окна h и слабо зависит от длины волны 3д . Он составляет величину 5" к10 йш - 6 ° 10 во всем исследуе-мом диапазоне длин волн генерации.

Таким образом, как следует из соотношения (3), для заданной длины волны генерации ф и известной величи5

40 ны m h — толщина окон, обеспечивающая минимум потерь на отражение, фактически определяется выбором целого числа k.

С одной стороны, чем меньше толщина окна, тем меньшие потери на отражение могут быть достигнуты, так как при этом уменьшается вращение плоско" сти поляризации. С другой стороны, слишком тонкие окна не обладают необходимой механической прочностью, прогибаются или разрушаются под атмосферным давлением. Обычно в газо- вых лазерах окна тоньше, чем 0,5 мм, не применяются по указанной причине

Поэтому в конструкции выбор числа k ограничен. Величина 1 cos ps ° 10 /m в формуле (3) для УФ области спектра составляет 0,05 мм. Если k 10 то

h 0 5 мм.

Увеличение же числа k свыше 30 нецелесообразно, так как с увеличением толщины возрастают остаточные потери на отражение, растут требования к точности расположения окон в резонаторе лазера.Если лазер генерирует на нескольких дпинах волн, то в качестве 3 целесообразно выбрать длину волны с ми- нимальным.коэффициентом усиления, Следует отметить при этом, что даже при использовании в экспериментах пластинок толщиной 2,5 мм изменение мощности излучения от максимума до минимума соответствовало изменению внутрирезонаторных потерь на величину менее 1/. Для линий генерации с большим усилением (десятки Ж) такое увеличение потерь практически не оказывает влияния на мощность генерации. синтетического оптического монокристаллического кварца следующим образом. В монокристалле кварца направление главной оптической оси определяется с точностью 1-2 по располоо жению естественных граней. Дальнейшая ориентировка проводится с помощью рентгенометра, который позволяет определить направление оси Е в кристалле с точностью до 3-5 угл, мин. Затем в кристалле делаются два среза в двух взаимно перпендикулярных направлениях, которые шлифуются и затем используются как опорные пло1169499 щадки, одна из которых перпендикулярна оси. С помоцью рентгенометра ориентация площадок между собой и относительной оси 4 доводится с точностью 5 до 3-5 угл.мин. Далее кристалл разрезается -на заготовки пластины определенной толцины, ориентированные относительно опорных плоцадок. При этом плоскости пластин перпендикулярны 10 оси 7 с точностью до 10 угл.мин, Из пластин вырезаются заготовки оконкруглые эллиптические или прямоугольные, у которых поверхности перпендикулярны оси Е с указанной точностью. 15

Толщина окон доводится до требуемой величины в процессе дальнейшей шлифовки и полировки заготовок. Изготовление окон заданной толщины с точностью до + 0,1 мм, которая вполне до- 30 статочна для предложенного устройства, не вызывает особых затруднений в оптическом, производстве.

Сборка активного элемента производится следующим образом.

Собранная часть активного элемента 1 с втулками 10, торцы которых перпендикулярны оси .активного элемента, помещается на оптической скамье и через разрядный капилляр 2 30 пропускается диафрагированныи пучок гелий-неонового лазера. С противоположной стороны устанавливается технологическое зеркало, отражающее пучок в обратном направлении. К втулкам 35 с помоцью приспособления прижимаются торцы наконечников 11 со сменными окнами. 1lутем поворота наконечников 11 вокруг оси достигается совмещение от-. раженных от этих окон пучков в одной и той же плоскости. Наконечники 11 в этом положении фиксируются механически, а затем герметично соединяются с втулками 1О при помощи пайки или сварки. Наконечники 11 имеют две опорные поверхности: для установки окна под углом Брюстера к оси и соединения с втулкой 10 перпендикулярной оси, Окно 9 приклеивается к шлифованным поверхностям наконечника 11 выполненно" го, например, из стекла 0-52 высокотемпературным вакуумно-плотным клеем, например клеевой пленкой 11КС-171, обеспечивающей высокую герметичность сое- . динения при температуре до 250 С.Для сое- динения окна с наконечником активного элемента лазера может быть использован припой с температурой плавления 300—

500 С с КТР !4«+ 2 ° 10, при этом наконечник может быть выполнен из металла с близким КТР, например из никеля (КТР = 14-10 ) Собранный активный элемент проходит термовакуумную обработку при

250 C в течение 2-4 ч, тренировку в разряде, затем наполняется инертным газом до определенного давления (обычно 0,8-1 тор)„

1169499

М, отн.ед

W, вин.ед

Техред, Л. Олейник

Ф КоРРектор Л.Патай

Редактор ОЮркова

Заказ 1892 Тираж 317 Подписное

BHHHGH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. ° д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óàrîðîä, ул. Гагарина, 101

Активный элемент ионного газового лазера Активный элемент ионного газового лазера Активный элемент ионного газового лазера Активный элемент ионного газового лазера Активный элемент ионного газового лазера 

 

Похожие патенты:

Лазер // 1025308

Лазер // 784682

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к конструкциям твердотельных лазеров

Изобретение относится к лазерному оборудованию, точнее к блоку генерации излучения многоканальных твердотельных и газовых лазеров

Изобретение относится к приборам квантовой электроники, а именно к мощным твердотельным лазерам

Изобретение относится к газовым лазерам щелевого типа

Изобретение относится к полупроводниковой квантовой электронике, а именно, к конструкциям маломощных лазерных диодов, которые могут быть использованы в волоконно-оптических системах связи, для накачки твердотельных и волоконных лазеров, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве лазеров непрерывного действия на парах металлов

Изобретение относится к поглощающим материалам для связывания воды и/или органических молекул, которые могут присутствовать в качестве примесей в корпусе высокомощного лазера
Наверх