Корпус напольного модуля

 

КОРПУС НАПОЛЬНОГО МОДУЛЯ, содержащий корпус и крышку, отличающийся тем, что, с целью стабилизации температу-ры, он снабжен размещенными на внутренней поверхности кожуха и крьшоси тремя электродами, разделенными между собой двумя ceгнeтoэлeктpичecки ш пленками, источником постоянного напряжения и генератором переменного тока, соединенными параллельно и подключенными к электродам.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„.,ээU„„11 О (51)4 G 01 V 1/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ фий t

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3626934/24-25 (22) 27.07.83 (46) 30.07.85. Бюл. № 28 (72) М.С. Хлыстунов и Г.Г. Хачатуров (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт геофизических методов разведки (53) 550.834(088.8) (56) Справочник конструктора точного приборостроения. Под ред.

Ф.Л. Литвина, М.-Л.: Машиностроение, 1964, с. 181, рис. 7.

Корпус напольного модуля

CVS BVS, TECHN1CAL Manual ¹ СР-005306, june 29/1979, TEXAS США. (54) (57) КОРПУС НАПОЛЬНОГО МОДУЛЯ, содержащий корпус и крышку, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью стабилизации температуры, он снабжен размещенными на внутренней поверхности кожуха и крышки тремя электродами, разделенными между собой двумя сегнетоэлектрическими пленками, источником постоянного напряжения и генератором переменного тока, соединенными параллельно и подключенными к электродам.

1170393

Изобретение относится к геофизической аппаратуре и предназначено для применения в устройствах полевых сейсморегистрирукяцих систем, а также может быть использовано в измерительных устройствах общепромышленного назначения.

Цель изобретения — повышение стабильности температуры внутри корпуса. 10

На фиг. 1 изображен вариант конструктивного выполнения корпуса напольного модуля, на фиг. 2 — электрическая схема подключения электродов корпуса к источникам электро- 15 питания.

Конструкция корпуса (фиг. 1) содержит кожух 1, крышку 2,. три размещенных на внутренней поверхности корпуса электрода 3, 4 и 5, разде- 20 ленных между собой двумя сегнетоэлектрическими пленками 5 и 7.

Схема включения (фиг. 2) состоит из генератора 8 и источника 9 напряжения, которые подключены соответ- 25 ственно через конденсатор .10 и резистор 11 к электроду 4, а их общие шины соединены с замкнутым между собой электродами 3 и 5.

Стабилизация температуры внутри ЗО корпуса осуществляется следующим образом.

В исходном положении схема включения корпуса (фиг. 2) находится в обесточенном состоянии. Поэтому тем- З5 пература среды внутри корпуса устанавливается равной температуре внешней среды.

При подаче на электроды 3-5 корпу-4 са переменного напряжения от генератора 8 и постоянного от источника

9 напряжения, последний поляризует сегнетоэлектрические пленки 6 и 7, в результате чего эти пленки приобре- тают пьезоэлектрические свойства, в них резко возрастает тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрическая проницаемость.

В связи с этим в пленках начинают интенсивно возбуждаться акустические волны и за счет диссипативного рассеяния акустического и электрического полей пленки начинают разгораться до тех пор, пока температура внутри корпуса не до-... стигнет температуры точки Кюри (T<) сегнетоэлектрика.

В момент достижения этой температуры при самом незначительном превышении материал сегнетоэлектрической пленки переходит в несегнетоэлектрическое фазовое состояние, а следовательно, исчезает поляризация, пьезоэлектрические свойства, резко на два-три порядка уменьшаются Е и 4g f .

Тогда разогрев пленок 6 и 7 прекратится и они начнут охлаждаться до температуры Т а при незначи"1 тельном отклонении от этой температуры в сторону. ее понижения материал пленок 6 и 7 перейдет обратно в сегнетоэлектрическую фазу.

Постоянно работающий источник 9 заполяризует пленки, а энергия генератора 8 будет отбираться на разогрев пленок 6 и 7. Таким образом, этот процесс будет циклически повторяться, поддерживая тем самым автоматически температуру внутри корпуса вблизи температуры Т сегнетоэлектрических пленок 6 и 7, причем так как целый ряд сегнетоэлектриков обладает высокой. крутизной зависимости h f / b.T< в точке

Кюри в момент фазового перехода, а сама ширина перехода aT дости"

-2 -1 о к гает (10 -10 ) С, колебания температуры внутри корпуса могут быть доведены до Т„ 10

Изобретение обеспечивает высокую степень термостабилизации среды внут ри корпуса.

1i 70393

Составитель M.Ñïàññêèé

Редактор Н.Киштулинец Техред М.Гергель

Корректор М.Самборская

Тираж 748 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4?01/43

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Корпус напольного модуля Корпус напольного модуля Корпус напольного модуля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к геофизическому приборостроению, представляет собой телеметрическую систему сбора сейсмических данных и предназначено для проведения полевых сейсморазведочных работ на нефть и газ

Изобретение относится к системам сбора сейсмических данных с помощью сейсмоприемников

Изобретение относится к области геофизических исследований скважин

Изобретение относится к цифровой информационно-измерительной технике и может быть использовано в автоматизированных системах сбора геофизической информации, в частности в многоканальных цифровых телеметрических сейсморегистрирующих системах с проводной и беспроводной линией связи для отработки сейсмических профилей различными методами сейсморазведки

Изобретение относится к области геофизических методов исследований и предназначено для передачи данных от контрольно-измерительных приборов в скважине к наземной аппаратуре

Изобретение относится к техническим средствам охраны и может быть использовано для охраны участков местности и подступов к объектам

Изобретение относится к области сейсмической разведки, в частности, к устройствам для проведения сейсмических работ размерности 2D, 3D, 4D с помощью многоканальных телеметрических сейсмических станций

Изобретение относится к области технической диагностики и неразрушающего контроля промышленных объектов с использованием метода акустической эмиссии (АЭ)
Наверх