Электрофотографический носитель

 

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ , содержащий последовательно электропроводящую подложку, подслой диэлектрика, слой фотопроводника и диэлектрическое покрытие, отличающийся тем, что, с целью повышения качества носителя путем увеличения частотного коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменения поверхностного потенциала, толщина диэлектрического подслоя носителя в 1-5 раз больше толщины диэлектрического покрытия.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5ц4 С 03 G 5/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3716080/28-12 (22) 29.03.84 (46) 23. 08. 85. Бюп. Ф 31 (72) З.АЛакарычев и С.И.Ионкус (53) 772. 93 (088.8) (56) Патент ФРГ - 1028685, кл. С 03 С 5/00, 1977. (54)(57) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ НОСИТЕЛЬ, содержащий последовательно электропроводящую подложку, подслой

„„SU„„1174 92 диэлектрика, слой фотопроводника и диэлектрическое покрытие, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения качества носителя путем увеличения частотного коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменения поверхностного потенциала, толщина диэлектрического подслоя носителя в 1-5 раз больше толщины диэлектрического покрытия, Составитель В.Аксенов

Редактор H.ÃóëüKî Техред М.Надь Корректор И.Муска

Заказ 5183/48 Тираж 448 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектная, 4

1 11748

Изобретение относится к электрофотографии.

Цель изобретения — повышение качества носителя путем увеличения частотного коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменения поверхностного потенциала.

Анализ приведенных зависимостей показывает, что частотный коэффициент передачи увеличивается с увеличением 1О толщины диэлектрического подслоя, а именно увеличение частного.коэффициента передачи при сохранении динамического диапазона изменения поверхностного потенциала, толщина 1S диэлектрического подслоя носителя в 1-5 раз больше толщины диэлектрического покрытия.

Пример. Изготавливают два электрофотографических носителя с ди-20 электрическими покрытиями из полиэтилентрафталаиновой пленки, а слой фотопроводника из аморфного селена.

Толщина фотопоовопника постоянная в пределах до 90*2 мкм ° Толщина ди- 25 электрического подслоя одного носителя составляет 3 мкм, а второго 67 мкм.

Толщина диэлектрического покрытия

22 мкм. Таким образом, один носитель имеет структуру диэлектрическое покрытие — слой фотопроводника — электропроводящую подложку (металлическую).

В него вводят диэлектрический подслой. Другой носитель имеет диэлектрический подслой в 3 раза больше толщины диэлектрического покрытия.

Носители заряжают в зарядном устройстве с ионизацией воздушного промежутка альфа-лучами от изотопа плутония 239 за время порядка 30с до на92 2 пряжения. Величину напряжения выбирают до одного и того же потенциала порядка 800 В. Для этого носитель с тонким диэлектрическим подслоем заряжают до 1,3 кВ, а носитель с толстым диэлектрическим подслоем до 4,0 кВ. Одно и то же штриховое изображение проецируют на оба носителя. Экспозиция составляет 30 лк с.

После экспонирования внешнюю поверхность носителей разряжают зарядом противоположной полярности, до потенциала около О В, так что на неэкспонированных участках носителя заряд полностью снимают, а на экспонированных оставляют той же полярности, что и при зарядке, который после равномерного освещения носителя приводит к появлению на проэкспонированных участках потенциала 270-30 В. Скрытое изображение проявляют каскадным методом на свету. Качество проявленного изображения оценивают визуально, а оптическую плотность .линий на частоте 5 мм " измеряют на микрофотометре, Микрофотометрирование проводят в красном свете в области прозрачности селена.

Сравнение показывает, что оптическая плотность линий на частоте

5 мм достигает 1, 1 на носителе с толстым диэлектрическим подслоем и на 0,5 превышает плотность тех же линий, проявленных на носителе с 3 мкм подслоем, что свидетельствует об эффективности управления одним из важных сенситосиметрических параметров носителя путем изменения толщины диэлектрического подслоя носителя.