Способ локального проявления оптических голограмм на фототермопластических носителях
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ПРОЯВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ГОЛОГРАММ НА ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ, состоящих из стеклянной подложки с нанесенным на нее фотополупроводником с токопроводяшими электродами, покрытой тонкой пленкой полимерного фотопроводника, заключающийся в освещении фотополупроводника когерентным излучением и приложении к нему электрического поля, отличающ и и с я тем, что, с целью снижения частотных и нелинейных искажений в регистрируемой голограмме путем повышения равномерности проявления, увеличения фотопроводимости пленки полимерного фотопроводника , электрическое поле прикладывают ортогонально направлению освещения.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (! 9) (11) (51) 4
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ
И ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3644962/24-25 (22) 15.07.83 (46) 15.09.85. Бюл. N 34 (72) А, А. Аязян, М. Ю. Баженов, Э. Б. Каганович, Н. Г. Кувшинский, Л. К. Мамулия, Ю. Н. Максименко, Н. Г. Находкин, В. А. Павлов, И. М. Почер. няев и Н. В. Филина (73) Киевский ордена Ленина государственный университет.i им. Т Г. 3)1евченко (53) 772.99 (088.8) (56) Фундаментальные основы оптической памяти и среды. Сб. Киев: Виша школа, 1981, вып. 12, с. 127.
Ki1lat U. Terre1 D. R. Conventional and
Бе1f — Developing Photothermopl Devices.—
Photogr. Sci and Fngeneering, 1978, V. 29. р. 183-188. (54) (57) СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ПРОЯВ—
ЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ГОЛОГРАММ НА ФО-.
ТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ, состоящих из стеклянной подложки с нанесенным на нее фотополупроводником с токопроводяшими электродами, покрытой тонкой пленкой полимерного фотопроводника, закл1очаюшийся в освещении фотополупроводника когерентным излучением и приложении к нему электрического поля, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью снижения частотных и нелинейных искажений в регистрируемой голограмме путем повышения равномерности проявления, увеличения фотопроводимости пленки полимерного фотопроводника, электрическое поле прикладывают ортогонально направлению освещения.
1179260
Изобретение относится к голографии, средствам оптической обработки информации, вычислительной технике.
IlcJlI,ю изобретения является снижение частотных и нелинейных искажений в регистрируемой голограмме путем повышения равномерности проявления фототсрмопластического носителя (ФТПН), увеличение фотопроводимости пленки полимерного фотопроводника, расширение области применения способа .
Под действием приложейного электрического поля фотогенерированные в фотополунроводникс токоносители проникают из более освсщен11ых мест в мснее освсшенные, происходит вь1равниванис потока токоносителсй и бо lес равномерный нагрев полимерной фотонровоцниковой пленки, болес равномернос проявление голограммы, что обеспечивает иэопланарность ФТПН и восстановлсги1ого иэображения, уменьшает частотные и нслинсйныс искажения. Согласно способу проявления оптических голограмм нанряжсllilc 1одвоцится к ToKoIIPQBQJTIILIOIM oilcKTPo" дам, расположенным с одной cTopoHbl фотополунровсдника, поэтому фотополупроводник непосредственно соприкасается с тонкой пленкой полимерного фотоприемника и при экспонировании возникает дополнительный 1готенциальный рельеф на поверхности фотопонупроводника, соответству1оший распрсдслсни1о интенсивности света в изображении, и инжскция токоноситслсй ч.ре-1 границу фотополупроводника с полимерной фотополупроводниковой пленкой соответствует распределению интенсивности света в иэображении, тем самым увеличивая светочувствительность полимерного фотопроводника, Способ позволяет достичь необходимой для проявления величины фототока с помощью повьплсния подаваемого на фотополупровоШ1ик напряжения, так как расстояние между электродами возрастает (1 мм) и пробойные напряженности достигаются нри больших значениях напряжения. Зто позволяет снизить интенсивность освсшсния i
35 Регистрация голограммы плоского волнового фронта осушсствляется на пространст-I веннои частоте 350 мм . Максимальная интенсивность света в голограмме на
h = 0,63 мкм 7 10 Вт/см, напряжение
40 проявления 100 В, площадь регистрируемой голограммы 1 мм, время проявления 5 мс, 2
° дифракционная эффективность 1,5%.
Заметных искажений амплитуды геометрического рельефа поверхности, соответствую45 щего проявленному изображению голограммы по площади регистрации голограммы не обнаружено.
Составитель E. Артамонова
Техред Л. Микеш Корректор В. Бутяга
Редактор Д. Веселовская
Заказ 5671/47 Тираж 448
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 при экспонировании до оптимальных значений для регистрации голограмм любых видов. Кроме того, освещение ФТПН при восстановлении голограмм осушествляется между электродами, поэтому уменьшается поглошение света, увеличивается дифракционная эффективность голограмм.
На чертеже показана схема,поясняюшая предлагаемый способ.
На чертеже обозначены: стеклянная подложка 1, пленка фотополупроводника 2, 10 токопроводящис электроды 3, тонкая пленка полимерного фотопроводника 4, источник
5 напряжения, источник 6 когерентного излучения.
Пример. Для проявления предлагае15 мым способом голограмм готовят образцы ФТПН следуюшим образом. На стеклянную подложку наносят тонкую (1 мкм) пленку фотополупроводника C)5 - CJGe методом термоионного напыления и вакууме и сснсиби20 лизируют в шихте. На поверхность сенснбилизированной пленки 0d5- Cd 5е методом термического напыления с последующими фотолитографическим способом формирования рисунка наносят токопроводяшие электроды из с шагом 1 мм. Затем на поверхность фотополупроводника с токопроводяшими электродами из раствора методом окунания наносят тонкую пленку полимерного фотопроводника толщиной 1 — 1,5 мкм. После этого образцы сушат 1 ч при комнатной температуре, а затем 1 ч при 80 С. В качестве полимерного фотопроводника используют поли-N-эпоксипропилкарбазол, сенсибш1изированный 2,4,7 тринитро-9-флуореноном (4 вес.%) .
