Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство

 

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОMHHAKffllEE УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарн нанесенных на обе стороны сегнетоТЕНИЯ электрической пластины, и.две гру шин управления, причем шины управ ления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-считывания, отличающее с я тем, что, с целью повышения надежности устройства путем уменьшения акустических помех, в него введендиэлектрический слой с отверЬтиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластш шины управления второй группы нанесе на диэлектрический слой и соединены соответствующими электродами записисчитывания через отверстия в диэлектрическом слое,в сегнетоэлектрическо пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязки между смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина уста новлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложк

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU „„1187218 (gg)4 С 11 С 11/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ГО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ игр

/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

00 4 Э

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2i) 3692955/24-24 (22) 20.01. 84 (46) 23. 10. 85. Бюл. N- 39 (72) К.Г.Самофалов, В.И.Кит, Ю.Н.Рухлядев, В.М.Сапожников, С.М.Христов и Ю.И.Шпак (71) Киевский ордена Ленина пол итехнический институт им.50-летия

Великой Октябрьской социалистической революции (53) 681.327(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

М 488257, кл. С 11 С 11/22, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

М 674099, кл. С 11 С 11/22, 1979.

3. Авторское свидетельство СССР

Ф 752475, кл. С 11 С 11/22, 1980. (54) (57) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнетоэлектрической пластины, и две гру шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-считывания, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства путем уменьшения акустических помех, в него введен диэлектрический слой с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пласти шины управления второй группы нанесе на диэлектрический слой и соединены соответствующими электродамизаписи считывания через отверстия в диэлект рическом слое, в сегнетоэлектрическо пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязкимежду смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина уста новлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложк

1187218

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для хранения и неразрушающего считывания двоичной информации. 5

Известно запоминающее устройство, содержащее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которую нанесены управляющие электроды, а сечение пластины между sanoминающими элементами больше, чем в местах расположения запоминающих элементов, причем в подложке выполнены пазы (1j.

Известно также запоминающее уст- 15 ройство, содержащее две керамические пластины, пластину возбуждения и запоминающие пластины с системами шин, соединенные между собой и подложкой С23 20

Указанные устройства хараКтеризуются низкой технологичностью изготовления и малым объемом памяти.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является запо- 5 минающее устройство, содержащее подложку и сегнетоэлектрическую пластину на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды, а сегнетопьеэо- 30 электрическая пластина и подложка соединены между собой металлическими прокладками (3 ).

Недостатком известного устройства является низкая надежность, обуслов- З5 ленная акустическими помехами в сегнетоэлектрической пластине, в результате чего выходные сигналы с элемен-. тов матрицы отличаются по амплитуде.

Цель изобретения — повышение 40 надежности сегнетоэлектрического sanoминающего устройства путем уменьшения акустических помех.

Поставленная цель достигается тем, что в сегнетоэлектрическое 45 запоминающее устройство, содержащее диэлектриче скую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнето- 50 электрической пластины, и две группы шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроды записисчитывания, введен диэлектрический слой с отверстиями, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластины, шины управления второй группы нанесены на диэлектрический слой и соединены с соответствующими электродами записи-считывания через отверстия в электрическом слое, в сегнетоэлектрической пластине выполнены щелевые отверстия акустической раз- вязки между смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина установлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложке.

На фиг. 1 показано сегнетоэлектрическое запоминающее устройство объемом 2х2 бита; на фиг. 2 — то же, разрез А-А на фиг. 1.

Устройство содержит сегнетоэлектрическую пластину 1, диэлектрическую подложку 2, демпфирующие опоры 3 из диэлектрического материала, электроды 4-7 записи-считывания, которые объединены шинами 8-11 управления.

Шины 9 и 11 частично совмещены с про, тяженными диэлектрическими опорами 3, Шины Р и 10 проходят над электродами

4 и 6 отделены от них диэлектрическим слоем 12 с отверстиями 13, через которые шины соединены со своими электродами. Электроды 4-7 образуют запоминающие элементы 14, которые образуют продольные ряды, и между запоминающими элементами продольных рядов выполнены щелевые отверстия 15 акустической развязки. Отверстия 15 позволяют поставить элементы 14 в одинаковые условия по электроакустическим преобразованиям„ так как все элементы имеют одинаковые незакрепленные грани, и волна деформации при считывании начинает рас пространяться одновременно для всех элементов независимо от их местоположения. Кроме того наличие двух

-незакрепленных граней позволяет более полно использовать энергию считывающего сигнала, т.е. получить выходной сигнал большей амплитуды.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации осуществляют подачей импульсного напряжения соответствующей полярности и, длительности на шину управления, например на шину 11. Шину 10 подключают к общей точке устройства. На все остальные шины в режиме записи подают напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.

11872

УМ. 2

Составитель В. Костин

Техред С.Мигунова Корректор О. Луговая

Редактор Л. Зайцева

Заказ 6557/57 - Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.,4/5

Филиал IIIIII "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

При считывании информации напряжение считывания поступает в одну из шин 8, другие шины подключены к общей точке устройства. В результате двойного преобразования энергии — электрической в механическую и механической в электрическую, на шинах 11

18 4 появляются импульсы напряжения полярностью, зависящей от запис иной информации.

Предлагаемое изобретение поз оляет существенно повысить надежност устройства.