Мультивибратор

 

МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состоит из двух транзисторов одного типа проводимости , первый из которых коллектором соединен с первой шицой источника питания , а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой шиной источника питания через второй резистор , вторая обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питания, а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийся тем, что, с целью повышения скважности, нагрузочной способности , стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрош,ения за счет стабилизации выходного напряжения, в него введены источник опорного напряжения и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа п-р-п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы - с базами соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч, д а базы дополнительных транзисторов соеди-® иены между собой и подключены к второй (Л шине источника питания через источник опорного напряжения. О о 4 Ю ,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

A@4 Н 03 К 3/284

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМЪ(СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3659789/24-21 (22) 05.11.83 (46) 07.11.85. Бюл. № 41 (72) Н. А. Хухтиков (53) 621.373 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 262160, кл. Н 03 К 3/281, 1968.

Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977, с. 480 — 481. (54) (57) МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состо- . ит из двух транзисторов одного типа проводимости, первый из которых коллектором соединен с первой шиной источника питания, а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой

„„SU„„1190472 шиной источника питания через второй резистор, вторая обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питания, а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийся тем, что, с целью повышения скважности, нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрощения за счет стабилизации выходного напряжения, в него введены источник опорного напряжения и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа п — р — п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы — с базам и соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч, а базы дополнительных транзисторов соеди-нены между собой и подключены к второй у шине источника питания через источник кафф опорного напряжения.

1190472

Составитель А. Широков

Редактор М. Бланар Техред И. Верес Корректор Л. Патай

Заказ 7000/58 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! I 3035, Москва, K — 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например, в измерительных преобразователях активного сопротивления, применяющихся в аналого-цифровых преобразователях вычислительных машин., Цель изобретения — повышение скважности,нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов мультивибратора и упрощение за счет стабилизации выходного напряжения.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора.

Мультивибратор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, например, типа р — п — р, две времязадающих коллекторнобазовых RC-связи, первая — на резисторе 3 и конденсаторе 4, вторая —, на резисторе 5 и конденсаторе 6>встроенные эмтттерные повторители на транзисторах, например типа р — и — р 7 и 8, с выходами 9 и 10 которых соединены конденсаторы 6 и 4 соответственно, источник 11 опорного напряжения, дополнительные транзисторы 12 и 13, эмиттеры которых связаны с коллекторами транзисторов 1 и 2 соответственно, коллекторы — с базами транзисторов 2 и 1 противоположных плеч мультивибратора, а базы — с выходом источника 11 опорного, напряжения, резисторы 14 и 15, включенные в коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 соответственно.

Мультивибратор работает следуюи1им об- 30 разом.

В момент включения источника питания транзистор 1 или 2 мультивибратора из-за неизбежной асимметрии схемы открывается, а другой транзистор 2 или 1 закрывается.

Рассмотрим работу схемы с момента времени, когда открывается транзистор 1, а транзистор 2 закрывается. Конденсатор 4 быстро заряжается через малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя 40 на транзисторе 8, стремясь зарядиться до напряжения питания. При этом насыщенное состояние транзистора 1 обеспечивается током резистора 3 и током заряда конденсатора 4. При достижении напряжения на коллекторе ключевого транзистора 2, приблизительно равного выходному напряжению источника опорного напряжения Ц,а, смещается в прямом направлении эмиттерный переход дополнительного транзистора 13, и он переходит из режима отсечки в активный режим, тем самым ограничивая напряжение на коллекторе транзистора 2.

Ток заряда конденсатора 4 становится равным нулю. Насыщенное состояние транзистора 1 поддерживается в основном током коллектора транзистора 13, значительно превышающим ток времязадающего резистора 3. Процесс восстановления напряжения на конденсаторе 4 прекращается.

В течение этих процессов дополнительный транзистор 12 закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напряжением источника опорного напряжения, транзистор 2 тоже закрыт обратно-смещающим

его эмиттерный переход напряжением конденсатора 6.

При достижении на базе транзистора 2 напряжения открывания, приоткрывается транзистор 2, в схеме возникает регенеративный процесс, заканчивающийся открь1ванием транзистора 2 и запиранием транзисторов 1 и 13. Транзистор 12 в течение этих процессов остается закрытым. Начинается процесс заряда конденсатора 6 до момента открытия транзистора 12, причем в силу того, что схема симметрична, процессы проходят аналогичным образом.

Ограничение напряжения заряда времязадающих конденсаторов дополнительными транзисторами 12 и 13 способствует увеличению скважности и нагрузочной способности мультивибратора, а также повышает. стабильность генерируемых импульсов, причем максимальная стабильность выходных импульсов достигается при использовании основных и дополнительных транзисторов, изготовленных на основе одного и того же полупроводникового материала.