Одновибратор

 

ОДНОВИБРАТОР, содержащий, первый транзистор первого типа проводимости , эмиттер которого соединен с вьрсодом времязадающей RC-цепи, первый вход.которой соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с базой первого транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой первого транзистора второго типа проводимости, коллектор которо.го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через второй резистор - с базой второго транзистора второго типа проводимости, которая соединена с входной шиной и через третий резистор - с общей шиной, соединенной с эмиттером второго транзистора второго типа проводимости, коллектор, которого соединен с выходной шиной и через четвертый резистор - с базой второго транзистора первого типа проводимости, которая через пятый резистор соединена с шиной питания, соединенной с эмиттером второго транзистора первого типа проводимости и шиной источника питания, второй вход времязадающей RC-цепи соединен с змиттером первого транзистора S второго типа проводимости, отли (Л чающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса, коллектор второго транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

SU 1192119 (sing Н 03 К 3/284

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетений и ОткРытий

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3572215/24-2) (22) 05.04.83 (46) 15.11.85. Бюл. М 42 (72) И.И.Обод (53) 621.373(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 832710, кл. Н 03 К 3/284, 1981. (54)(57) ОДНОВИБРАТОР, содержащий. первый транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с выходом времязадающей ЯС-цепи, первый вход. которой соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости и через первый резистор — с базой первого транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой первого транзистора второго типа проводимости, коллектор которо.— го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через второй резистор — с базой второго транзистора второго типа проводимости, которая соединена с входной шиной и через третий резистор — с общей шиной, соединенной с эмиттером второго транзистора второго типа проводимости, коллектор. которого соединен с выходной шиной и через четвертый резистор — с базой второго транзистора первого ти па проводимости, которая через пятый резистор соединена с шиной питания, соединенной с эмиттером второго транзистора первого .типа проводимости н шиной источника питания, второй вход времязадающей 1С-цепи соединен

L с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса, коллектор второ.го транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости.

1192 l l9

Одновибратор работает следующим образом.

В исходном состоянии все транзисторы закрыты, на шине 13 высокий потенциал, практически равный напряжению питания Е, на шине 15 низкий потенциал . Конденсатор 5 заряжен практически до напряжения питания, т.е, на нижней обкладке находится

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве формирователя импульсов в устройствах автоматики и вычислительной техники. 5

Цель изобретения — повышение стабильности длительности выходного импульса, кото >ая достигается за счет устранения влияния остаточного напряжения на времязадающем конденса- I0 торе.

На чертеже приведена принципиальная схема одновибратора.

Одновибратор содержит транзисторы

1-4, времязадающую цепь, образован- !5 ную конденсатором 5 и резистором 6, резисторы 7-11, входную шину 12, выходную шину 13, шину !4 источника питания и выходную шину !5.

Транзисторы 1 и 2 p — и — p-типа проводимости, транзисторы 3 и 4 и и — р — п-типа проводимости. База транзистора 1 соединена с коллектором транзистора 3, база которого соединена с коллектором транзистора 1.

Эмиттер транзистора 1 соединен с одной обкладкой конденсатора 5, а эмиттер транзистора 3 с его другой обкладкой. Эмиттер транзистора 1 также соединен с выводом резистора б, 30 второй вывод которого соединен с коллектором транзистора 2 и с резистором 7, второй вывод которого соединен с базой транзистора 1 и выводом резистора 8, который вторым выводом соединен с резистором 9 и базой транзистора 4, эмиттер которого соединен с общей шиной.

Резисторы 10 и 11 соединены с базой транзистора 2, входная шина

l2 соединена с базой транзистора 4, а выходная шина 13 — с вторым выводом резистора 1О, с коллектором транзистора 4 и с эмиттером транзистора 3. Шина 1(: источника питания соединена с эмиттером транзистора 2 и с вторым выводом резистора 11.

Выходная шина 15 соединена с коллектором транзистора 2. потенциал практически равный напряжению питания Е.

При поступлении на шину 12 входного положительного запускающего импульса транзистор 14 открывается, потенциал на выходной шине 13 падает практически до нуля, и через резистор 10 открывается транзистор 2.

Потенциал на выходной шине 15 возрастает до напряжения источника питания, ток через резисторы 7 и 8 удерживает транзистор 4, а следовательно, и транзистор 2 в открытом состоянии. Так как при включении транзистора 4 напряжение на нижней обкладке конденсатора 5 уменьшается практически до нуля, а конденсатор мгновенно разрядиться не может, то напряжение н,,з верхней обкладке конденсатора 5 становится практически равным напряжению источника питания (с отрицательнык знаком ), Это начальное напряжение и; .,онденсаторе 5 не зависит от остаточного напряжения, величина которого определяется как

=!! +1! + ЕГ /(Р 1)1( где Š— напряжение питания; коэффициент усиления транзисторов; — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер;

Ug„z- напряжение насыщения перехода эмиттер-база транзистора 3; распределительные базовые бо сопротивления транзисторов;

R — сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора 3 (11, поскольку на другой обкладке конденсатора 5 в этот MQMpHT времени образуется компенсирующее напряжение.

Конденсатор 5 начинает разряжаться до нуля, а затем заряжаться через резистор 6 от высокого напряжения на выходной шине 15. Когда напряжение на конденсаторе 5 превышает напряжение на базе транзистора 1, которое определяется делителем напряжения на резисторах 7 и 8, транзисторы

1 и 3 открываются и входят в насыщение. Открытый транзистор 3 шунтирует ток, проходящий через резистор

8, транзистор 4 закрывается, что приI 192119

Составитель Г.Крапива

Редактор В.Ковтун Техред М.Надь - Корректор Л.Патай

Заказ 7172/56 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4

3 водит к закрытию транзистора 2.

Потенциал на выходе 15 падает прак" тически до нуля, а.конденсатор 5 снова заряжается до напряжения питания Е. Закрывание транзистора 4 приводит к закрыванию транзисторов 1 и 3 и устройство возвращается в исходное состояние.

Таким образом, удается устранить влияние остаточного наяряжения на конденсаторе, величина которого Не нормирована и может существенно меняться от смены транзисторов, а также от изменения температуры, что приводит к повышению стабильности длительности выходных импульсов.