Формирователь импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции

 

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ДЛЯ АМПЛИТУДНОГО МОДУЛЯТОРА ПЕРЕДАТЧИКА ИОНОСФЕРНОЙ СТАНЦИИ,, содержащий первый и второй транзисторы, входной трансформатор, первый и второй выводы первой вторичной обмотки которого соединены соответственно через первый резистор с базой и непосредственно - с эмиттером первого транзистора, а первый и второй выводы второй вторичной обмотки соединены соответственно через второй резистор с базой и непосредственно - с эмиттером второго транзистора, делитель напряжения, который ВКЛЮЧЁН мезвду положительной шиной источника питания и эмиттером второго транзистора , нагрузку, которая включена. между эмиттером второго транзистора и общей шиной, при этом коллектор первого транзистора соединен с положительной шиной источника питания, эмиттер первого транзистора и коллектор второго транзистора соединены с отводом делителя напряжения , между базой и эмиттером первого транзистора включен третий резистор, а между базой и .эмиттером второго транзистора включен четвертый резистор, о т л и ч а ipщ и и с я тем, что, с целью защиты транзисторов, от перенапряжений и уменьшения времени переключения, в него введены первый, второй и третий трансформаторы, первая, вторая и третья RC -цепи, которые выполнены в виде параллельно соединенных конденсатора и резистора, первая и вторая резистивно-диодные цепи, которые вьшолнены в виде дио (Л да -и резистор.а, один вьюод которого соединен с катодом диода, причем анод диода является входом, а другой вьшод резистора-выходом резистивно-диодной цепи, третья и четвертая резистивно-диодные цепи, которые выполнены в виде диода и со ро 1 резистора, один вывод которого соединен с анодом диода, причем другой вывод резистора является эо входом, а катод диода - выходом резистивно-диодной цепи, первый и второй диоды, пятый и шестой резисторы , при этом первая RC-цепь включена между началом первичной обмотки первого трансформатора и общей шиной, конец первичной обмотки и начало первой вторичной обмотки первого трансформатора соединены с эмиттером второго транзистора , первая резистивно-диодная цепь включена между базой второго транзистора и концом первой вторичной обмотки первого трансформа

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09> (11) (Ю11 4 Н 03 К 5/02, 7/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3742458/24-09 (22) 15.05.84 (46) 23.11.85. Бюл. В 43 (71) Специальное конструкторское бюро физического приборостроения

АН СССР (72) В.M. Рудай и В.С. Баранов (53) 621. 376.5 (56) Авторское свидетельство СССР

У 77 1863, кл. Н 03 К 4/62, 1978.

Б674241 Ионосферная станция вертикального и наклонного зондирования "Базис" СКБ ФП АН СССР.

Всесоюзный научно-технический информационный центр, 1978, т. 3, с. 90-97. (54) (57 ) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

ДЛЯ АМПЛИТУДНОГО МОДУЛЯТОРА ПЕРЕДАТЧИКА ИОНОСФЕРНОЙ СТАНЦИИ, содержащий первый и второй транзисторы, входной трансформатор, первый и второй выводы первой вторичной обмотки которого соединены соответственно через первый резистор с базой и непосредственно — с эмиттером первого транзистора, а первый и второй выводы второй вторичной обмотки соединены соответственно через второй резистор с ба- -, зой и непосредственно — с эмиттером второго транзистора, делитель напряжения, который включен между положительной шиной источника питания и эмиттером второго транзистора, нагрузку, которая включена. между эмиттером второго транзистора и общей шиной, при этом коллектор первого транзистора соединен с положительной шиной источника питания, эмиттер первого транзистора и коллектор второго транзистора соединены с отводом делителя напряжения, между базой и эмиттером первого транзистора включен третий резистор, а между базой и .эмиттером второго транзистора включен четвертый резистор, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью защиты транзисторов от перенапряжений и уменьшения времени переключения, в него введены первый, второй и третий трансформаторы, первая, вторая и третья RC -цепи, которые выполнены в виде параллельно соединенных конденсатора и резистора, первая и вторая резистивно-диодные цепи, которые выполнены в виде диода .и резистора, один вывод которого соединен с катодом диода, причем анод диода является входом, а другой вывод резистора-выходом резистивно-диодной цепи, третья и четвертая резистивно-диодные цепи, которые выполнены s виде диода и резистора, один вывод которого соединен с анодом диода, причем другой вывод резистора является входом, а катод диода — выходом резистивно-диодной цепи, первый и второй диоды, пятый и шестой резисторы, при этом первая RC-цепь включена между началом первичной обмотки первого трансформатора и общей шиной, конец первичной обмотки и начало первой вторичной об- мотки первого трансформатора соединены с эмиттером второго транзистора, первая .резистивно-диодная цепь включена между базой второго транзистора и концом первой вторичной обмотки первого трансформа1193787 тора, начало второй вторичной обмотки первого трансформатора :соеди- нено .с отводом делителя напряжения, вторая резистивно-диодная цепь включена между базой первого, транзистора и концом второй вторичной обмотки первого трансформатора,, вторая РС -цепь включена между началом первичной обмотки второго. трансформатора и коллектором первого .транзистора, конец первичной обмотки второго трансформатора соединен с анодом первого диода и с первым выводом пятого резистора, а катод первого диода и второй вывод пятого резистора соединены соответственно с отводом делителя напряжения и с эмиттером второго транзистора, третья резистивно-диодная цепь включена между началом вторичной обмотки второго

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в качестве формирователя импульсов, формирующего мощные импульсы переменной длительности при переменной частоте повторения в амплитудных модуляторах передатчика ионосферной станции.

Цель изобретения — защита транзисторов от перенапряжений и уменьшение времени переключения.

На чертеже представлена структурная электрическая схема предлагаемого формирователя импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции.

Формирователь импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции содержит входной .трансформатор 1, первый 2 и второй 3 транзисторы, нагрузку 4, делитель 5 напряжения, первый 6, второй 7 и третий 8 трансформаторы, первую 9, вторую 10 и третью 11

RC-цепи. первую 12, вторую 13, тре-" тью 14 четвертую 15 резистивиодиодные цепи, первый 16 и второй 17 диоды, первый 18, второй 19, третий 20, четвертый 21, пятый 22 трансформатора и базой первого транзистора, конец вторичной обмотки второго трансформатора соединен с отводом делителя напряжения и анодом второго диода, катод которого соединен с первым выводом шестого. резистора и с началом первичной обмотки третьего трансформатора, а второй вывод шестого резистора соединен с положительной шиной источника питания, третья

RC-цепь включена между концом первичной обмотки третьего трансформатора и эмиттером второго транзистора, четвертая реэистивно-диодная цепь включена между началом вторичной обмотки третьего трансформатора и базой второго транзистора, конец вторичной обмотки третьего трансформатора соединен с эмиттером второго транзистора.

2 и шестой 23 резисторы, источник 24 питания.

Формирователь импульсов для амплитудного модулятора передатчика ионосферной станции работает следующим образом.

Номинальное сопротивление резисторов делителя 5 напряжения выбрано одинаковым, поэтому в

10 статистическом режиме напряжение

U íà его отводе практически равно U U>= Е„ ф,где Š— напряжение источника питания.

Величина сопротивлений резисто15 ра 22, резистора 25, второй ДС -цепи 10, резистора 23 и резистора 26 третьей RC-цепи 11 выбраны таким образом, что напряжение на аноде первого диода 16 равно U «0,9 il,, 20 а на катоде второго диода 17 равИ2 1,1И,.

При подаче на первичную обмотку входного трансформатора 1 положительного управляющего импульса,на

25 его первой н второй вторичных обмотках выделяются импульсы положительной полярности, воздействующие на первый 2 и второй 3 транзисторы через резисторы 18-21.

В том случае, .если первым открывается второй транзистор 3, то напряжение на отводе делителя 5 напряжения понижается, при уровне менее U< начинается процесс заряда конденсатора 28 второй РС -цепи

10 по цепи: положительная шина источника 24 питания, конденсатор

28, первичная обмотка второго трансформатора 7, первый диод 16, второй транзистор 3, нагрузка 4, общая шина. На начале вторичной обмотки второго трансформатора 7 выделяется положительный перепад напряжения, который через трееью резистивно-диодную цепь 14 поступает на базу первого транзистора

2 и форсирует его включение, После открывания первого 2 и второго 3 транзисторов нагрузка 4 подключается к положительной шине источника 24 питания. При этом происходит заряд конденсатора 29 первой RC -цепи 9, но выделяемый на концах первый и второй вторичных обмоток первого трансформатора 6 положительный перепад напряжения не поступает на базы первого и второго транзисторов 2,3, так как этому препятствует первая 12 и вторая 13 резистивно-диодные цепи.

То-есть. первый трансформатор 6, первая 12 и вторая 13 реэистивнодиодные цепи практически не оказыз

Начинается процесс включения пер вого 2 и второго 3 транзисторов, который приводит к изменению на-пряжения на отводе делителя 5 напряжейия.

В том случае, если первым открывается первый транзистор 2, .то напряжение на отводе делителя 5 на пряжения повышается и в случае превышения уровня U начинается

1 процесс заряда конденсатора 27 третьей РС -цепи 11 по цепи: положительная шина источника 24 пита.ния, первый транзистор 2, второй диод 17, первичная обмотка третьего-трансформатора 8, конденсатор

27, нагрузка 4, общая шина. На начале вторичной обмотки третьего трансформатора 8 выделяется положительный перепад напряжения, который через четвертую резистивно-диодную цепь 15 поступает на базу второго транзистора 3 и формирует

его включение.

1193787 4 вают влияния на процесс открывания первого 2 и второго 3 транзисторов.

В установившемся режиме при открытых первом 2 и втором 3 транзис" торах (плоская вершина формируемого импульса) напряжение на отводе делителя 5 напряжения практически равно напряжению на положительной шине источника питания 24 Еп.

10 После окончания действия управляющего импульса на первичной обмотке входного трансформатора 1, начинается процесс закрывания первого 2 и второго 3 транзисторов.

В том случае, если первым начинает закрываться первый транзистор 2, возрастает падение напряжения на его промежутке коллектор 20 эмиттер. При этом происходит заряд конденсатора 28 по цепи: положительная шина источника 24 питания, конденсатор 28, первичная обмотка второго трансформатора 7, первый диод 16, второй транзистор 3, нагрузка 4, общая шина. На начале вторичной обмотки второго трансформатора 7 выделяется положительный перепад напряжения, который через третью реэистивно-диодную цепь 14

30 подается на базу первого транзистора 2.

В том случае, если первым начинает закрываться второй транзистор 3, возрастает падение напряже35 ния на его промежутке коллекторэмиттер. При этом происходит заряд конденсатора 27 по цепи: положительная шина источника 24 питания, первый транзистор 2, второй диод

0 16, первичная обмотка третьего трансформатора 8, конденсатор 27, .нагрузка 4,общая шина.

На начале вторичной обмотки третьего трансформатора 8 выделя4> ется положительный перепад напряжения„ который через четвертую резисТНВВо-äHoäíóþ цепь 15 подается на базу второго транзистора 3.

В момент начала закрывания перэ0 вого транзистора 2 или второго транзистора 3 уменьшается напряжение на нагрузке 4. При этом происходит разряд конденсатора 29 по цепи: конденсатор 29, первичная обмотМ ка первого трансформатора 6,нагрузка 4, общая шина. На концах первой . и второй вторичных обмоток первого трансформатора 6 выделяется отри1193787

Составитель Г. Захаренко

Редактор Н. Данкулич Техред Л.Мартяшова, Корректор M. Максимишинец

Заказ 7324/58

Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 цательный перепад напряжения, ко.торый поступает через первую 12 и вторую 13 резистивно-. диодные цепи на базы соответственно, второго 3 и первого 2 транзисторов.

Таким образом, на базу транзистора, в котором процесс выключения задерживается, подается отрицательный импульс, который форсирует процесс эапирания.

На базу транзистора, который первым начинает запираться, подается два напряжения — положительное со второго или третьего трансформатора 7,8 и отрицательное с первого трансформатора 6. Выбором номиналов резисторов первой, второй, третьей и четвертой резистивно диодных цепей 12, 13, 14, 15 устанавливается такой режим, что эти напряжения или взаимно компенсируются, или на базе этого транзистора присутствует неболь1р шое положительное напряжение (0,2-0,5 В), посредством которого выравнивается время закрывания обоих транзисторов.

После закрывания первого 2 и

15 второго 3 транзисторов схема проходит в исходное состояние.