Оптоэлектронный переключатель

 

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПЕРЕЙЛЮЧАТЕЛЬ , содержащий светодиод, оптически связанный с фототранзистором, биполярньп транзистор, соединенный с фототранзистором-по . Дарлингтона , полевой транзистор, коллекто .ры фототранзистора и биполярного транзистора соединены с источником постоянного напряжения, сток полевого транзистора - с шиной нулевого потенциала, эмиттер биполярного транзистора - с одним выводом первого резистора,база фототранзистора - с одним выводом второго резистора, другой вывод которого соединен с истоком полевого транзистора, о Т л ичающийся тем, что, с целью стабилизации передаточной характеристики и расширения функциональных возможностей, затвор полевого транзистора соединен с базой фото (Л транзистора, а исток - с другим выводом первого резистора. , 5 эо f(O QD j; ел ОН

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ .

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

10 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3718311/24-21 (22) 29.03.84 (46) 30. 11.85. Бюл. У 44 .(71) Донецкое отделение Института

"Гипроуглеавтоматизация" (72) В.Б.диденко и И.В.Брик (53) 621 ° 373(088.8) .(56) Носов Ю.Р., Сидоров А.С. Оптро. ны и их применение, M.: Радио и связь, 1981, с. 137, рис. 3.13, а.

Авторское свидетельство СССР

У 1112563, кл. Н 03 К 17/78, 01.06.83. (54)(57) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, содержащий светодиод, оптически связанный с фототранзистором, биполярный транзистор, соединенный с фототранэистором -по схеме Дарлинг„„SU„„1195445 А (51) 4 Н 03 К 17/78тона, полевой транзистор, коллекторы фототранэистора и биполярного транзистора соединены с источником постоянного напряжения, сток полевого транзистора — с шиной нулевого потенциала, эмиттер биполярного транзистора — с одним выводом первого резистора, база фототранзистора — с одним выводом второго резистора, другой вывод которого соединен с истоком полевого транзистора, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью стабилизации передаточной характеристики и расширения функциональных возможностей, затвор полевого транзистора соединен с базой фототранзистора, а исток — с другим вы водом первого резистора.

119

ВНИИПИ Заказ 7423! 58 Тираж 871 Подписное

Филиал ППП "Патент", . г. Ужгород, ул. Проектная, 4

11 обретение относится к импульсной технике н может быть использоВы по в коммутаторах, логических элементах, триггерах, формирующих и кодирующнх устройствах.

Пель изобретения — стабилизация передаточной характеристики и расшпренне функциональных возможностей, для чего в устройстве обеспечена отрицательная обратная связь, глубина которой автоматически изменяется,. в зависимости от электрического ре- жима фототранзистора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства.

Оптоэлектронный переключатель содержит светодиод 1, оптически связанньй с фототранзистором 2, бипо— лярный транзистор 3, соединенный с фототранзистором 2 по .схеме Дарлингтона, полевой транзистор 4. Коллек-, торы фототранзистора 2 и биполярного транзистора 3 соединены с источником 5 постоянного напряжения, сток полевого транзистора 4 — с шиной 6 нулевого потенциала, эмиттер биполярного транзистора 3 — с одним выводом первого резистора 7, база фототранзистора 2 — с одним выводом второго резистора 8, другой вывод которого соединен с истоком полевого транзистора 4, Затвор полевого транзистора 4 соединен с базой фототранзистора 2, а исток — с другим .выводом первого резистора 7. Входной сигнал подается между узлами

9 и 10, выходной сигнал формируется в узле 11.

Устройство работает следующим образом.

Если светодиод 1 не возбужден, то фототранзистор 2 не освещен и не . создает заметного тока. Биполярный транзистор 3 закрыт. Разность потенциалов между затвором и истоком полевого транзистора 4 близка к нулю, поэтому электрическое сопротивление канала между истоком и стоком полевого транзистора 4 невелико. В этом режиме база фототранзистора 2 через резистор 8 и канал полевого транзисг г 2 тора 4 соединена с шиной 6 нулопого потенциала, %To oOt o HOB nB 1 !т стайн!l ь ность электрического режима неоснешенного .фототранзистора 2., При возбуждейии светодиода 1 и освещении фототранзнстора.2 биполярный транзистор 3 открывается н создает в цепи с резистором 7 значительный ток. Базовый ток освещен10 ного фототранзистора 2 частично ответвляется в цепь с резистором 8 и создает между затвором и истоком полевого .транзистора 4 положительную .разность потенциалов.. Поэтому сопро1S òèâëåHèå канала между истоком и стоком полевого транзистора 4 возраста. .ет, что приводит к двум полезным эффектам.

Отбор базового фототока в цепь

20 с резистором 8 уменьшается, что повышает чувствительность фототранэистора 2 к оптическим сигналам.

Увеличивается глубина отрицательной обратной связи по эмиттерной це25 пи биполярного транзистора 3, что стабилизирует передаточную.характеристику сбединения фототранэистор

2 — биполярный транзистор 3. Этот эффект особенно важен, поскольку изза естественного {технологического или температурного) изменения электрических характеристик транзисторов коэффициент усиления тока в цепи фотстранзистор 2 — биполярный транзистор 3 без стабилизирующей об35 ратной связи может изменяться в широких пределах, что затрудняет применение устройства.

При этом .глубина отрицательной

40 обратной связи по цепи резистор 7 канал полевого транзистора 4 автоматически регулируются, в зависимости от электрического режима фототранзистора 2.

Уровни выходного сигнала в узле

11 .характеризуются определенными

4 . и стабильными величинами, что облегчает электрическое согласование оптоэлектронного переключателя с логическими микросхемами и тем самым расширяет функциональные возможности устройства.