Микромостик переменной толщины

Авторы патента:

H01L39/22 - приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта Джозефсона

Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 - 10 мм, причем длина перешейка составляет 0,02 - 1 от длины свободного пробега электронов.

Высокочастотный сквид // 1105086

Сверхпроводящий датчик постоянного тока // 1088617

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик // 1025301

Сверхпроводящий датчик постоянного тока // 986253

Сверхпроводящий полупроводниковый материал // 961512

Мультиплексный сквид // 884521

Мера напряжения на основе эффекта джозефсона // 671642

Контакт джозефсона точечного типа // 639366

Сверхпроводящий мостик переменной толщины // 637019

Способ получения квантового интерференционного элемента // 2111579

Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов

Многослойный материал // 2131157

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Переключаемый планарный высокочастотный резонатор (варианты) и фильтр // 2179356

Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе

Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках // 2184407

Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов

Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах // 2199796

Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах

Способ изготовления устройства на основе эффекта джозефсона и устройство согласно этому способу // 2212735

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона

Сверхпроводящая полупроводниковая наноструктура с квантовыми ямами // 2227346

Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости

Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами // 2275714

Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п

Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида // 2325004

Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот