Фототриод

Авторы патента:

Янович В.С.

H01L31/102 - отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера

Класс 2Ig, 29!о

42h, 17 № l2I88l

СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. С. Янович

ФОТОТРИОД

3(<явлено 22 сентября 1978 г. зи ><в 608078j26 в Ко и(тет по делим изобретений и открытий прн Совете . <1ииистров СССР

Опубликовзно в «Ь(оллетене изобретений . V> 16 зп 1959 г.

Предмет изобретения

Фототриод, выполненI тем,

oI. имеет полностью открытую для светя сьс!Очувствнтел(н!ую ря«о(ую

IioB! р. ПОсть коллектора, B кячеcTBc KQTopol служн7 п 1DcTiIi!3i3. Пя 1рнiep, из гсръ!Янг!11, распо.! Ожени яя на метя:1л н (с кой под, 10>ккс с Отв(1 секем, н рабочее напряжение прикладывает;я между ко7лсктсроз! .миттепом.

Сушеству!Ошие полупроводниковые приборы не могут быть практически использованы для преобразования световой энергии в электричсскую вследствие малой и>: чувствительности к свету.

Описываемый фототриод имеет полностью открытую повер>:ность, под которой расположен коллекторный р вЂ” и перс>:од, обус7явлнва!оший эффективное поглошение регистрируемого свстового потока. В!.!Соколсгирова(шый эмиттер и тонкая база, получающиеся путем диффузии и рекристаллизации при одновременном выплгв7е! Пи донорной и якцеп-.орной примесей из сплава, Обеспечивают большое усиление первичног..! фототока, в результате чего описываемый фототриод легко достигас: чувствительности десять-двадцать ампер на л!го!ен. Будучи няпяянны

1(я метялличесK< io подло>1 ку, Описыв3ез(ыЙ фототриод HMBOT раоочис фототоки до нескольк1!к десятков миллиямпср (при темновом ToêåвЂ” менее !

На чертеже изооражена конструкция предлагаемого фототрнода.

Фототриод имеет полностью открыту!о д !я света рабочу:о повер>;несть со стороны коллектора, причем свет падает перпендикулярно нло скОГ1 и p вЂ” I7 переходя

Коллектором служит пластинка германия >< типа р. База 4 и эмпттер 5 созданы путем диффузии и рекристаллпзации, соответственно проне>,о. дяших при одновременном выплавлении донорной и акцепторной примесей из сплава 6. Базовый выкод отсутствует. что делает тс>;пологи!о изготовления фототриодов достаточно простой. Напряжение гнгяния !

10 вЂ” 2G (з) прикладывается между коллектором и эмиттером.

Комитет по делам изобретений и открытий при .Совете Министров СССР

Гр. 97; 170

Редактор Н. С, Кутафина

Типография Комитс.га по делам изоорстений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

Сдет

Информационно-издательский отдел

Объем 0,17 п, л. Зак. 5153

Поди. к псн. 6Л 111-, 9 г.

Тираж 1100 Цена 25 коп.

Похожие патенты:

Фотодиод на антимониде индия // 2324259

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb)

Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения // 2521156

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, конкретно - к приемникам инфракрасного (ИК) излучения, и может найти применение в спектрометрах, в системах обнаружения, слежения, охранных и противопожарных системах и связи. Фотодиод (1) инфракрасного излучения содержит p- и n-области (2, 3, 7) с токоподводящими непрозрачными контактами (4, 5) и активную область, электрически связанную с p-n-переходом (6), при этом один или несколько контактов на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, имеют общий периметр, величину которого выбирают из интервала значений, связанных с длиной растекания тока. Контакты на поверхности области, принимающей фотоны от изучаемого объекта, содержат элементы с повторяющейся геометрической формой, например в виде спирали или ячеистой структуры. Активная область фотодиода выполнена из INAsSb, InAs, InGaAsSb, а слой на освещаемой стороне выполнен из INAs1-x-y SbxPy (о<х<0.2, у=(2-2.2)·х) и содержит контакты из последовательности металлических слоев Cr-Au1-w-Znw-Ni-Au, причем слой из Cr примыкает к поверхности p-области, a w=0.01-0.2. Фотодиод согласно изобретению обеспечивает повышенную фоточувствительность к излучению в средней инфракрасной области спектра. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.