Полупроводниковый прибор

 

Эй 124034

Класс 21g, 13,4

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. И. Фистуль и О. Б. Оржевский

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Заявлено 22 апреля 1959 г. за № 625987/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 22 за 1959 r.

Известные полупроводниковые приборы, например триоды, могут использоваться только тогда, когда обратное напряжение не превышает определенной для данного типа приборов величины. В случае ее превышения прибор выходит из строя.

В описываемом изобретении полупроводниковый прибор предохранен от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению. Для этого он помещается в вакуум-плотный корпус, заполненный инертным газом под давлением. Род газа, его давление, а также расстояние между электродами, выбрано так, что зажигание разряда между электродами происходит при напряжении, величина которого ниже пробивного напряжения прибора. Для устранения влияния вторичных явлений, связанных с газовым разрядом в приборе (катодное распыление кристалла и т. п.), внутри корпуса могут быть расположены дополнительные электроды, между которыми размещается разрядная область.

Дополнительные электроды потенциально связаны с основными. Конструктивное усложнение полупроводникового прибора компенсируется надежной зашитой его от пробоя.

Предмет изобретения

Полупроводниковый прибор, например триод, отличающийся тем, что, с целью предохранения прибора от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению, он помещен в вакуум-плотный корпус, наполненный инертным газом под определенным давлением. обеспечивающим напряжение зажигания газового разряда между электродами меньшее, чем величина пробивного напряжения данного прибора; при этом в корпусе могут быть размещены дополнительные электроды, потенциально связанные с основными, между которыми размещена разрядная область.

Полупроводниковый прибор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных полупроводниковых микросхем, соединенных между собой множеством контактов для улучшения качества гибридизации полупроводниковых микросхем и повышения их долговечности в процессе многократного использования при различных температурах

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых приборов средней и большой мощности с помощью высокотеплопроводных пластмасс
Наверх