Контейнер для зонной плавки полупроводниковых материалов

 

ЛЪ 124131

Класс 40d, 1зо

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. Н. Романенко, 3. П. Терентьева и В. M. Тучкевич

КОНТЕЙНЕР ДЛЯ ЗОННОЙ ПЛАВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ яапвлено 31 марта )959 г, за Хо 623920/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 22 за 1959 г.

Применяемые в настоящее время тигли для плавки таких полупроводниковых материалов, как кремний, изготавливают из кварца. Основным недостатком такого тигля является то, что жидкий кремний, смачивая кварц при последующем охлаждении расплава до комнатной температуры и затвердевания его, приводит к сцеплению частиц кремния со стенками тигля и растрескиванию как слитка, так и тигля ввиду различия коэффициентов термического расширения.

Предлагаемый контейнер исключает этот недостаток применением обмазок из окисей бериллия или циркония, или тория. которыми покрывают стенки тигля, обеспечивая тем самым увеличение срока его службы в десятки раз. Для этого мелкорастолченную окись какоголибо из указанных материалов смешивают с 4 -HbDI крахмалом до сметанообразного состояния и наносят эту смесь в виде тонкой пленки на поверхность тигля. После высыхания первого слоя наносят второй и сушат его в течение 24 час. Далее проводят отжиг слоя обмазки при

550 до полного выгорания крахмала.

Слитки кремния, полученные в таки.; тигля; i,: Jíòåéíåðà.;), легко извлекаются из них. Электрические свойства этих слитков по своим свойствам не уступают слиткам. полученным в необмаза..ièüt.; кварцевых контейнерах.

Предмет изобретения

Контейнер для зонной плавки полупроводниксвых материалов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения чистоты получаемого продукта, кварцевый контейнер покрывают ок: сям:: *бериллня или циркония, или тория.

Контейнер для зонной плавки полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для получения в условиях микрогравитации кристаллов различного состава, применяющихся во многих областях техники

Изобретение относится к способам изготовления кварцевых контейнеров с защитным покрытием для синтеза и кристаллизации расплавов полупроводниковых материалов, а также для получения особо чистых металлов и полиметаллических сплавов

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые вставки 3, 7, при этом загрузка 5 помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля 4, а графитовые вставки 3, 7 размещены снаружи по обе стороны тигля 4, между корпусом 1 ампулы и одной из графитовых вставок 3, 7 установлен демпфирующий элемент 2 из углеграфитового войлока. Изобретение позволяет выращивать кристаллы GaSe повышенного качества. 2 ил.

Контейнер для зонной плавки полупроводниковых материалов

Наверх