Способ изготовления селеновых фотоэлементов

 

Кл«с 219 29о1

% 124559

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Подписная группа М 97

Заявитель иностранное предприятие

ЧКД Модржаны (Чехословакия) Действительный изобретатель иностранец

Лудвик Кучера

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕЛЕНОВЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ

Заявлено 11 Февраля 1958 г. за Лв 591976 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Мю 23 за 1959 г.

Известны способы изготовления селеновых фотоэлементов, при помощи которых одновременно с нанесением верхнего электрода получают запирающий слой путем катодного распыления или испарения материала верхнего электрода в разряженной окислительной атмосфере.

Недостатки подобных способов состоят в том, что при их использовании трудно получить однородныс по своим параметрам фотоэлементы с достаточно высоким внутренним сопротивлением.

В описываемом изобретении эти недостатки устранены разделением операций по созданию запирающего слоя и нанесению верхнего электрода, что дает возможность ооеспечнть подбор оптимального режима прн проведении каждого из этих процессов, Запирающий слой получают двумя способами.

Первый — физический — способ состоит в погружении основной пластинки фотоэлемента с нанесенным на нее посредством испарения слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению при температуре 140, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10 — 80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкрнсталлизовавшегося при первом термическом превращении селена.

При втором — химическом — способе фотоэлемент, не покрытый отрицательным электродом, погружают в растворы, способныс вступать

¹ 124559 в реакцию с селсном, подвср)ч1утым первому термическому превращению при температуре 140", например, в спиртовый или воднь)й растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 — 1", а, под влиянием которых на поверхности селена образуется тонкий слой двуокиси сслена. обогащенный ионами калия.

После. получения запира)ощсго слоя фотоэлемент промывают, су111ат и на него испаlрснисм в Вак) 3 .".)1с ll(IIIocsiT отрицатслы)ыи электрод.

Обработанные таким образом фотоэлсмсllòû обладают 110BI>IIII(1ным внутренним сопротивлением и о !IIopoдностьlo параметров.

Предмет изобретен и я

Способ изготовления селеновых фотоэлементов, о т л н ч а ю щ и йс я тем, что, с целью получения высокого внутреннего сопротивл(ния фотоэлементов и увеличения однородности параметров, mal)Hp;-IIOIIIHII слой фотоэлемента образуется обработкой сслснового слоя, нанесенllol о на основнjlo IIJIHcTHH), бензолом, 10 — 80":-ным спиртовым раствором ацетона, спиртовым или водным раствором жслсзосинеродпстогo K)ëèÿ конIl(. HTðàöHH 0,01 1(1о, после чего испарением в вакууме наносится отрицательный электрод.

Редактор О. Д. Ус Техред А. А. Камышникова Корректор Б. А, Шнейдерман

Зак. 6841 Цена 26 коп Тира)к 10)0 !

1одп. к печ. 4Л 111-60 г. Формат бум. 70Х1081/1;, Объем 0,17 п. л.

Ин(рормационно-издательский отдел Комитета по делам изобретений и открытий прн

Совете Министров СССР, Месква, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.