Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений

 

Класс. 40Ь,, 1

Я..1 27030

ОПИСАНИЕ. ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. Д. Прочухан, Н. А. Горюнова и Б. В. Баранов

СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИХ

СОЕДИ Н ЕН И Й

Заявлено: 6;июня 1959 г. за № 630244/22 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 6 за 1960 г.

Существующий в настоящее время способ гомогенизации твердых растворов после закалки проводится как диффузионный отжиг при медленном повышении температуры сначала до температуры плавления легкоплавкого компонента и в дальнейшем до ее значений; соответствующих значениям, находящимся ниже линии солидуса на диаграмме состояний сплава. Для некоторых твердых растворов такая технология закалки и отжига оказывается непригодной, так как гомогенизации не удается провести (например, для системы InSb — АВЬ) даже при отжнге, проводимом в течение нескольких тысяч часов.

Предлагаемый способ гомогенизации твердых растворов проводится в условиях высоких скоростей охлаждения при закалке, что обеспечивает получение мельчайших размеров кристаллов (порядка 30 мк) и способствует быстрому выравниванию концентрации за счет диффузии во время отжига, а процесс гомогенизации ведут при температуре выше температуры плавления легкоплавкого и ниже температуры тугоплавкого компонентов твердого раствора.

Предмет изобретения

Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых ингерметаллических соединений, отл и ч аю щи и ся тем, что, с целью получения однородных твердых растворов, процесс гомогенизации проводят. при температуре выше температуры плавления легкоплавкого и ниже температуры тугоплавкого компонентов, образующих. твердый. ра.створ.

Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к сплавам для электронной техники и приборостроения, в частности для термоэмиттеров поверхностно-ионизационных детекторов аминов, гидразинов и их производных

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из моно- или поликристаллов, используемых в ядерной и космической технике, медицинской диагностике и других областях науки и техники для регистрации ионизирующих излучений
Изобретение относится к области обработки алмазов

Изобретение относится к оптоэлектронике ядерно-физических исследований, а точнее изготовления мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов
Наверх