Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках

 

№ 128008

Класс 32Ь, 6во

12л, f0

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. Я. Кузнецов, Б. П. Крыжановский и В. М. Троицкий

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА

ДИ ЭЛЕКТР И КАХ

Заявлено 8 июля 1959 г. за № 633156/23 в Комитет по делам изобрегеиий и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 9 за 1960 г.

Разработанные ранее полупроводниковые пленки из окислов некоторых металлов (олова, индия, кадмия ) позволяют превращать такие изоляторы как стекло и керамику в электропроводящий материал. Эти пленки нашли широкое применение в промышленности для устранения запотевапия стекол в оптических прноорах н на транспорте для снятия электростатических зарядов в электронных приборах и для многих других целей.

Однако все разработанные как в СССР, так и за границей полупроводниковые,пленки прозрачны лишь в видимой части спектра. Полупроводниковых пленок, прозрачных в инфракрасной области спектра, до настоящего времени не было.

Быстро развивающаяся инфракрасная техника применяет в к; честве оптических сред такие материалы как природные и искусственные монокристаллы, являющиеся диэлектриками. В связи с этим необходимы электропроводящие пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра.

Найден новый способ с применением трсхокиси вольфрама для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных пе только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, илп непосредственно слоем трехокиси вольфрама испарением последнего в вакууме.

Предлагаемые способы позволяют получать электропроводящпе пленки, прозрачные в инфракрасной области спектра и хорошо закрепляющиеся на поверхности стекол и оптических кристаллов.

Первый способ заключается в том, что известным методом химического просветления наносят тонкий слой диэлектрика из трехокисп вольфрама путем смачивания поверхности горизонтально-вращающейся детали некоторым количеством 5 — 25",.1)-ного раствора шестихлорнсго

Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках Способ получения полупроводниковых пленок на диэлектриках 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к декоративной отделке стекла и может быть использовано в производстве листового стекла для интерьера жилых помещений, офисов, фасадов зданий, мебели и др

Изобретение относится к производству листового стекла и может быть использовано для защиты стекла от коррозии и механических повреждений во время транспортировки и хранения
Изобретение относится к технологии нанесения покрытий из нитрида кремния на стеклянную, в том числе кварцевую поверхность

Изобретение относится к изготовлению оптических покрытий и может быть использовано в промышленности, строительстве и сельском хозяйстве

Изобретение относится к квантовой электронике, а точнее, касается оснастки - кассеты для нанесения просветляющих покрытий на стекла малогабаритных размеров прямоугольной формы, используемых в крышках корпусов полупроводниковых излучателей
Наверх