Преобразователь лучистой энергии в электрическую

 

Класс 21@, 29а«

Ж 128539

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ю. A. Быковский, Ю. П. Козырев и В. А. Гридин

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ

Заявлено 20 «поля 1939 г. за Х«2 634335/24 в Ко.«11«тет по делам изобретений и открь«ти««при Совете Минпстров СССР

Опубликовано в .<Б«оллете««е изобретена«1. K 10 за 1060 г.

Настоящее изобретение относится х преобразователям лучистой энерг Iи i« элект12:гческ«к« ilj«;I 110моlци .И),1уи120ВОд11икозОГО /) — «7 пере. хода.

Предлагаемый прсобразователь отличается от известных тем, что е«о полупроводниковый переход расположен вдоа!ь магнитного силового поля, вызыва«ощего з пем дополнительную ра, !ость потенциалов фотомагнитного эффекта.

Такое выполнение преобразователя позволяет угеличить его к.l!.7,. при преооразован«ш энергии излу«е«п!я 13 электрическую энергию.

На чертеже изоора>кена пр«шципиaëüíàÿ схема предлагаемого Iiреобразователя.

Сущность п12едлагае2«0! о llpeoopaaovaTe;««I ockioI3aHa «a roii, LITo npu установке плоского р — n перехода 1 в магнитное поле с напряженностью?1 и освещс«ш;! его лучами 2 возникает разность потенц1«алов в направлении ЛЛ, перпендикулярном и направлениям световых лу-Ie!! и магнитного поля. Эта дополнительная разность потенциалов, вызванная фотомагнитным эффектом, превышает разность потенциало", обусловленную фотомагнитным эффектом, что позволяет существенно увеличить мощность, сниз!ае«!ую с р — и перехода.

Применяемый в таком преобразователе р — и переход должен быть тонким и располагаться вблизи освещаемой новеpxHocTII, чтооы поглощение света происходило вблизи перехода.

Предмет изобретения

Преобразователь:Iучистой эне12г««и в элект12и«IecK) ю ири;lомоши полупроводникового р — тт перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения его к.п.д., полупроводниковый переход расположен вдоль магнитного силового поля, вызывающего и нем дополнительную разность потенциалов фотомагнитного эффекта.

¹ 128539

Комитет по делам изобретений и открытий при Совезе Министров СССР

1 с фактор В. М. Парнес Гр. 97

Типография Ком»тета по делам изобретений н открытий прп Совете Министров СССР

Москва, 11етровка, 14.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 п. л. Зак. 3831

ГТодп. к печ. 22.1V-60 г.

T»paæ 1180 Цена 25 коп.

Преобразователь лучистой энергии в электрическую Преобразователь лучистой энергии в электрическую 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам с внутренним усилием сигнала, и может быть использовано для регистрации слабых потоков излучения и ядерных частиц

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к полупроводниковым фотоприемникам, и может применяться для регистрации слабых световых потоков и ядерных частиц

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество

Изобретение относится к микроэлектронике и используется для регистрации излучения различных диапазонов спектра и заряженных частиц

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для регистрации излучений различных диапазонов спектра и заряженных частиц
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники и предназначено для регистрации светового излучения коротких световых сигналов малой интенсивности
Наверх