Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами

Авторы патента:

H01L21/308 - с использованием масок (H01L 21/3063,H01L 21/3065 имеют преимущество)

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к формированию транзисторных структур с диэлектрической изоляцией

Устройство для совмешения маски сподложкой // 853707

Устройство для послойного стравливания // 361413

Способ анизотропного травления кристаллов кремния // 2106717

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ изготовления защитной маски для нанолитографии // 2112300

Способ формирования переходных контактных окон // 2202136

Способ уменьшения концентрации напряжений при изготовлении элементов микромеханических устройств // 2202137

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления элементов, используемых в конструкциях микромеханических устройств, например чувствительных элементов гироскопов и акселерометров, изготавливаемых методами микроэлектроники

Способ изготовления маски для нанесения тонких слоев в микроструктурах // 2209488

Изобретение относится к области микроэлектроники и может применяться для изготовления масок, используемых для формирования элементов микроструктур, в частности микромеханических гироскопов и акселерометров

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2209489

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления упругих элементов микромеханических устройств, используемых, в частности, для подвеса чувствительных масс микромеханических акселерометров

Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении // 2220475

Изобретение относится к микромеханике, преимущественно к технологии изготовления микропрофилированных интегральных механоэлектрических тензопреобразователей, и может быть использовано при разработке и производстве интегральных датчиков механических величин или микроэлектромеханических систем, содержащих трехмерные кремниевые микроструктуры

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства // 2300823

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться для изготовления упругих элементов, используемых, в частности, для подвеса чувствительных масс микромеханических измерительных устройств, например кремниевых гироскопов и акселерометров

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2302684

Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке // 2318268

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д