Способ изготовления фоточувствительных приборов

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (51) 4 H 01 Ь 3! /18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ПАТЕНТ,Ф

SiH X, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2524783/24-25 (22) 27.09.77 (31) 727659 (32) 29.09.76 (33) US (46) 23.02.86. Бюл. и - 7 (7!) PKA Корпорейшн (US) (72) Дэвид Эмил Карлсон (US) (53) 621.482(088.8) (56) Васильев А.В., Ландсман А.П.

Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Советское радио, 1971, с. 206-207.

Carlson D.IEEE Trans ED-24, 1977, р. 449. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ, включающий изготовление чувствительных элементов в виде р-п- или р-z-n-структуры или в виде структуры с барьером Шотки на основе гидрогенизированного кремния в процессе его осаждения методом кремневодородного тлеющего разряда в водородсодержащей среде при давлении О,! — 5 торр и температуре о, о

150 С вЂ” 450 С, при этом в качестве источника кремния используют кремнийсодержащее вещество, находящееся в газовой фазе, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью снижения себестоимости технологии изготовления при сохранении электрофизических параметров приборов, структуры изготавливают на основе гидрогенизированного кремния, легированнсго галогеном, при этом в качестве кремнийсодержащего вещества, находящегося в газовой фазе, используют соединение общей формулы где Х вЂ” галоген; п 4, при соотношении водорода и этого соединения (2:1) — (40:1).

1213994!

Составитель Г. Угличина

Редактор В. Гетраш Техрец О.Бащишина Корректор Е. Рошко

Заказ 791/á4 Тираж 644 Подписное

В!!ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1130 !5, Москва, Ж-35, Раушская наб., л. 4/5.

Филиал ПП!! Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение oTHo(Hòñÿ к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления фоточувствительных приборов.

Цель изобретения — снижение себестоимости технологии изготовления прн сохранении электрофизических параметров приборов.

Лтмосфера, содержащая водород и кремнийсоцержащее вещество, находящееся в газовой фазе с элементами галогена, выбранного из группы, со-! держащей хлор, бром и йод, впускается в вакуумную камеру под давлением

0,1 — 5,0 торр. Б данном случае в качестве кремнийсодержащего вещества общей формулы SiH Х выбран дихлорсилан SiH C1, .

В результате введения атмосферы водорода и дихлорсилана температура о подложки повышается до 200-500 С, так как теперь через газовую атмосферу на подложку излучается дополнительное тепло. При соотношении объемов водорода и кремнийсодержащего вещества соответственно 3:1 и более качество аморфного слоя может быть наивысшим. Однако при очень высоких соотношениях, например 40:1, ско". рость осаждения становится очень низкой, порядка 1 мкм/ч.

Для установления тлеющего разряда между электродом и подложкой включается источник питания, за счет чего начинается осаждение слоя аморфного кремния, при этом плотность тока на подложке должна заключаться в пределах 0„1 — 3„0 мА см

/ Z