Полупроводниковый механоэлектрический преобразователь

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и позволяет повысить ударостойкость преобразователя и упростить его сборку4 На основании 1 зафиксирована через прокладку 2 жесткая планка - держатель 3 с микрошаром 4, зыполняющим роль индентора. Микрошар прижат к полупроводниковому кристаллу 5 с силой, установленной тягой 8. Опасность вертикальных ударов устранена ограничителем силы,выполненным в виде вертикальной стойки 9 с откосом, по которой скользит выступ 11 пластинчатой пружины Ю.Сила их прижима устанавливается в 5 - 10 раз меньше силы прижима микрошара к кристаллу. Для расширения рабочего интервала температур планка - держатель 3 индентора и основание вьтолнены из одного и того же материала с ; совпадающим направлением прокатки.1 3.п.ф-лы, 2 ил. i (Л tNd tsd Ч О) ел фиг.1

СОЮЗ СО8ЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

rlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

„„SU„„1221?65 А

yg g Н 04 R 23/00 (21) 3647683/24-10 (22) 28.09.83 (46) 30,03.86. Бюл. ¹ 12 (71) Ереванский политехнический институт.им.К.Маркса (72) Э.Г.Меликян и О.M.Êå÷èåâ (53) 534.213(088.8) (56) Патент ФРГ №- 1287 134, кл. Н 04 R 23/00, 1969.

Патент ФРГ № 1297676, кл. H 04 R 23/00, 1970. (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИ.

ЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и позволяет повысить ударостойкость преобразователя и упростить его сборку. На основании

1 зафиксирована через прокладку 2 жесткая планка — держатель 3 с микрошаром 4, выполняющим роль индентора.

Микрошар прижат к полупроводниковому кристаллу 5 с силой, установленной тягой 8. Опасность вертикальных ударов устранена ограничителем силы,выполненным в ниде вертикальной стойки

9 с откосом, по которой скользит выступ 11 пластинчатой пружины 10.Сила их прижима устанавливается в 5 - 10 раз меньше силы прижима микрошара к кристаллу. Для расширения рабочего интервала температур планка — держатель 3 индентора и основание выполнены из одного и того же материала с совпадающим направлением прокатки.1

3 впеф-лы, 2 ил.

1221765

20

Изобретение относится к полупровод никовой технике, а именно к технике преобразования механического сигнала в электрический при помощи полупроводникового преобразователя и может быть использовано для создания сейсмоприемников, звукоснимателей, микрофонов и других аналогичных приборов.

Цель изобретения — повышение ударостойкости и упрощения его сборки.

На фиг. 1 показан преобразователь„ вид спереди; на фиг. 2 — то же, вид сверху.

Основанием преобразователя служит стальная пластина 1, к которой через подушку 2 зафиксирована стальная пластина-держатель 3 микрошара 4. Последний выполняет роль индентора. Основание 1 и пластика-держатель 3 выполнены из одного и того же материала с соблюдением направления прокатки.

Твердосплавный микрошар-индентор в первом варианте исполнения приварен к острому кончику пластины-держателя

3 и прижат к полупроводниковому крис таллу 5.

Во втором конструктивном варианте микрошар 4 не приварен к пластинедержателю. У основания пластины-.держателя 3 выполнен вырез 6, который с обоих концов завершается продолговатыми отверстиями 7. Участок пластины-держателя 3 за отверстиями 7 утоньшен до 20-30 мкм. Перпендикулярно пластине 3 приварены тяга 8 и стальной прямоугольный треугольник

9. К вертикальному катету треугольника 9 силой, развиваемой плоской пружиной 10, прижат цилиндрический выступ 11 плоской пружины 10, Детали

9-11 составляют узел ограничителя силы на сухом трении. Полупроводниковый кристалл 5 закреплен на основании 1 через изолятор 12. Сила прижима между микрошаром и полупроводниковым кристаллом установлена тягой

8, которая приварена к пластине 3 и проходит через соответствующее отверстие в основании преобразователя 1.

Преобразователь работает следующим образом. .Вырезы б и 7 облегчают перемещение кончика пластины с микрошаром по вертикали при натяжении тяги 8.

Жесткость пластины-держателя обеспе.— чивает точную фиксацию микрошара-индентора над выбранной точкой кристалла. Масса пластины-держателя не пре25

50 вышает 2-3 мг, а упругая деформация утоньшенных участков, из-за их малой длины, ничтожна. Поэтому даже при сильных боковых ударах не происходит скольжение микрошара по поверхности кристалла. Опасность вертикальных ударов устранена ограничителем силы на сухом трении, причем жесткость пластины обеспечивает плавность скольжения выступа 11 плоской пружины 10 по катету треугольника 9. Их соприкасающиеся поверхности полированы, а сила прижима устанавливается в 5-10 раз меньше, чем сила прижима между микрошаром 4 и кристаллом 5 °

В предлагаемой конструкции основание 1 и пластика 3 вырезаются химическим фрезерованием или электроэрозионной обработкой из одной и той же пластинки вдоль выбранного направления прокатки.

Формула изобретения

1. Полупроводниковый механоэлектрический преобразователь, содержащий основание, чувствительный элемент, связанный через ограничитель силы с держателем индентора, индентор, полупроводниковый кристалл, закрепленный на основании, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения ударостойкости и упрощения его сборки, индентор выполнен в виде мик рошара, держатель — в виде жесткой планки, прикрепленной одним концом через дополнительную прокладку к основанию, второй конец которой связан с ограничителем силы, при этом в месте сопряжения планки с прокладкой на поверхности планки выполнен пазослабитель, а ограничитель силы выполнен в виде вертикальной стойки с откосом, жестко закрепленной вдоль пластины-держателя, и пластинчатой пружины с выступом на конце, упруго контактирующим с поверхностью вертикальной части стойки, причем второй конец пластинчатой пружины связан с чувствительным элементом.

2. Преобразователь по п.i, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения рабочего интервала температур, пластина — держатель индентора и основание выполнены из одного и того же материала с совпада; ющим направлением прокатки.

Составитель В.Кузнецов

Редактор И.Касарда Техред JI.олейник Корректор А.Ференц

Заказ 1621/60 Тираж 624 подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4