Устройство для сборки полупроводниковых приборов

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

°

° Ю ю

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTN4 (21) 3661471/24-21 (22) 09.11.83 (46) 15.10.86. Бюл. Р 38 (72) В.Г.Попов, В.И. Руденко, В.А.Колядинцев и С.Ю.Градусов (53) 621.382 (088.8) (56) Заявка ФРГ Ф 2823360, кл. Н 01 т. 21/68, 23.10.80. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее связанные с блоком управления механизм подачи полупроводниковых кристаллов, механизм подачи корпусов полупроводниковых приборов и механизм переноса и притирки полупровод-! никовых кристаллов, содержащий шагос вый двигатель и поворотный рычаг с захватом полупроводниковых кристал..SUÄÄ 1222142 A (51)4 Н 01 L 21/52 21/68 лов, отличающееся тем, что, с целью повышения эксплуатационных воэможностей, механизм переноса и притирки полупроводниковых кристаллов снабжен редуктором, входной вал которого соединен с шаговым двигателем, а на выходном валу установлен поворотный рычаг, двумя электромагнитами, установленными с возможностью взаимодействия с поворотным рычагомв его крайних положениях, двумя фотодатчиками и двумя флажками, установленными на входном и выходном валах редуктора с возможностью взаимодействия с фотодатчиками, причем фотодатчики электрически под- Е

Ф ключены к входу, а электромагнитык выходу блока управления.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологическом оборудовании для установки полупроводниковых кристаллов в корпус прибора.

Цель изобретения - повн"ление эксплуатационных возможностей устройства путем обеспечения притирки кристаллов.

На фиг.1 изображено предлагаемое устройство, общий вид, на фиг.2— кинеиатическая схема устройства; на фиг,3 — схема работы фотодатчика.

Устройство содержит механизм 1 подачи полупроводниковых кристаллов

2, механизм 3 подачи корпусов 4 полупроводниковых приборов, иеханиэм переноса и притирки кристаллов, содержащий соединенный с блоком 5 управления шаговый двигатель 6 и кинематически связанный с ним понижающий редуктор ?. На вых дном валу 8 редуктора 7 шарнирно закреплен пово" ротный рычаг 9, над крайними положениями которого установлены электромагниты 10 и 11, подключенные к выходу блока 5 управления. На входном и выходном валах редуктора 7 жестко закреплены флажки 12 и 13, перекрывакщие в крайних положениях рычага 9 фотодатчики 14 и 15, подключенные к входу блока 5 управления.

На свободном конце рычага 9 жестко закреплен вакуумный за: ват 16 для снятия и переноса кристаллов 2. В верхнем положении рычаг 9 удерживается пружиной 17.

Устройство работает следукицим образом.

Пластина с кристаллами 2 полупроводниковых приборов подается на позицию снятия кристаллов и ориентируется иехвнизмом 1 подачи кристаллов. С блока 5 управления при этои подается импульс на электромагнит 11 нод действием которого рычаг 9 опускается и вакууиный захват 16 захватывает один из кристал1222142 3 лов. Затеи электромагнит 11 отключается блоком 5 управления и пружина 11 поднимает рычаг 9 в верхнее положение. Далее с блска 5 управления поступают импульсы на шаговый двигатель 6, который обеспечивает через редуктор 7 поворот рычага 9 в сторону позиции присоединения кристаллов. Вращение рычага 9 происходит до тех пор, пока флажки 12 и 13 одновреиенно не перекроют датчики 14 и 15, сигналы с которых поступают в блок 5 управления. При срабатывании датчиков 14 и 15 движение рычага 9 прекращается и он устанавливается под электромагнитом 10, а вакуумный захват 16 — под корпусои 4 полупроводникового прибора.

Затем с блока 5 управления подается

2О импульс на электромагнит 10, под действиеи которого рычаг 9 опускается и прижимает вакуумный захват i6 с кристаллом 2 к корпусу 4 полупроводникового прибора. После опускания рычага 9 с блока 5 управления поступают импульсы коммутации фаэ с изменением реверса на шаговый двигатель б, который вращается на заданное число шагов по часовой стрелке и против часовой стрелки, нри этом шаговыя двигатель б через понижающий редуктор 7 приводит в колебательное движение рычаг 9 с вакуумным захватом 16, который.осуществляет притирку кристал35 ла 2 к корпусу 4 полупроводникового прибора. Затеи в исходном положении рычаг 9, контролируемом датчиками

14 и 15, блок 5 управления отклю4О чает шаговый двигатель 6 и электромагнит 10 и рычаг 9 под действиеи пружины 17 поднимается в верхнее положение. Далее с блока 5 управления поступают импульсы на шаговый

45 двигатель 6", который обеспечивает через редуктор 7 поворот рычага 9 в обратном направлении на позицию снятия кристаллов 2 до перекрытия флажками 12 и 13 датчиков 14 и 15. После подачи корпуса 4 на позицию присоединения цикл повторяется.

1222142 атома сраБтиВсяиР Яв еа Ф

0cb /ращслчю ф т,масс

Составитель Г. Падучин

Техред А.Кравчук Корректор M. Шароюи

Редактор О. Улыбина

Заказ 5588/2

Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4

Устройство для сборки полупроводниковых приборов Устройство для сборки полупроводниковых приборов Устройство для сборки полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области производства электрорадиоизделий

Кассета // 1037364

Кассета // 1018180

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред
Изобретение относится к области изготовления мощных полупроводниковых приборов и БИС путем безфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формиргазе и др
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки
Наверх