Квазиоптический элемент

 

Изобретение может использоваться для преобразования и обработки пучков электромагнитных волн. Расти- , ряется диапазон регулировки скорости распространения волны. На диэлектрической подложке 1 расположены ортогонально две решетки 2 и 4 из параллельных металлических полос. Решетки нанесены на противоположные стороны слоя 3 сегнетозлектрика. Параллельные металлические полосы используют- , ся как управляющие электроды. Разность потенциалов в месте пересечения металлических полос позволяет управлять диэлектрической проницаемостью слоя 3, т.е. управлять поверхностной волной. 1 ил. (Л

СО03 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ4ЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

3с гр а

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3805815/24-09 (22) 29. 10. 84 (46) 15. 04. 86. Бюл. N - 14 (71) Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетический институт (72) С.Е.Банков и В.Ф.Взятьппев (53) 621.372.852.3(088.8) (56) Проектирование и применение радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах. Тезисы докл. Всесоюз.научн.— техн. конф. Саратов, 1983, с. 227.

Авторское свидетельство СССР

У 357685, кл. Н 01 P 3/20, 1971.

„„SU„„1224868 А (5Н 4 Н 01 P 3/20 (54) КВАЗИОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение может использоваться для преобразования и обработки пучков электромагнитных волн. Расширяется диапазон регулировки скорости распространения волны. На диэлектрической подложке 1 расположены ортогонально две решетки 2 и 4 из параллельных металлических полос. Решетки нанесены на противоположные стороны слоя 3 сегнетозлектрика. Параллельные металлические полосы используются как управляющие электроды. Разность потенциалов в месте пересечения металлических полос позволяет

Ф управлять диэлектрической проницае- щ мостью слоя 3, т.е. управлять поверхностной волной. t ил.

1224868

20

Составитель C.Øèùóê

Редактор М.Бандура Техред И.Попович Корректор М.Пожо

Заказ 1957/51 Тираж 597 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Фипиал ППП "Патент",, r.Ужгород, ул,Проектная, 4

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано для преобразования и обработки пучков электромагнитных волн.

Цель изобретения — расширение диапазона регулировки скорости распространения волны.

На чертеже изображена конструкция квазиоптического элемента °

Квазиоптический элемент содержит диэлектрическую подложку 1, первую решетку 2 из параллельных металлических полос, слой. 3 сегнетоэлектрика, вторую решетку 4 из параллельных металлических полос.

Устройство работает следующим образом.

Поскольку проводимость ортогональных первой и второй решеток 2, 4 изотропна и имеет индуктивный характер, одновременное использование их и слоя 3 позволяет получить поверхностную проводимость на диэлектрической подложке 1 обоих знаков. При этом коэффициент замедления поверхностной волны может быть как увеличен, так и уменьшен по сравнению с коэффициентом замедления волны свободной ди электрической подложки 1.

Поскольку первая и вторая решетки 2, 4 нанесены на разные поверхности слоя 3, то они оказываются развязанными по постоянному току. 3а счет этого их параллельные металлические полосы могут быть использованы как управляющие электроды, в месте пересечения которых создается разность потенциалов, которая позволяет управлять диэлектрической проницаемостью слоя 3, т.е. управлять поверхностной волной.

Формула изобретения

Квазиоптический элемент, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесена первая. решетка в виде параллельных металлических полос, вторую решетку в виде параллельных металлических полос, при этом периоды первой и второй решеток не превышают половины длины поверхностной волны, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью расшиг рения диапазона регулировки скорости распространения волны, в него введен слой сегнетоэлектрика, который нанесен на .первую решетку, а вторая решетка установлена на слое сегнетоэлектрика так, что ее параллельные металлические полосы ортогональны параллельным металлическим полосам второй решетки.