ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (2I) 3869379/25-08 (22) 21.01.85 (46) !5.07.86.Бюл. Ф 26 (72) Р.К,Расулов, П.Н.Орлов, Ю.П.Кузьмин, П.Ю.Медведев, А .E.Капланский, А.А.Николаев, Н.Ф.Сармин, . А.Н.Солдатенков и В.П.Ушаков (53) 62 1.923.5 (088.8) (56) Патент США В 24!9033, кл,51-118, 1947. (54)(57) I.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДОВОДКИ

КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, размещенных в гнездах кассеты; установленной на эксцентрике шпинделя между двуми соосно расположенными притирами, нижЛЗ ний из которых связан с приводом, а верхний неподвижен, о т л и ч а ювЂ” щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности обработки тонких элементов, устройство снабжено тормозом, смонтированным соосно притирам на верхнем конце неподвижного шпинделя с возможностью контакта с торцом .эксцентрика, свободно установленного на шпинделе с возможностью вращения относительно него.

2. Устройство по п. I о т л ивЂ” ч а ю щ е е с я тем, что эксцентрик выполнен из полиуретана.

Составитель А.Козлова

Редактор И.Сегляник Техред И.Попович

Корректор Е. Сирохман

Заказ 3752/15

Тираж 7!О Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, -35, Раушская наб,. д.4/5

Производственно-.полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная, 4.

1 12

Изобретение относится к абразивной обработке и может быть использовано в электронной технике и других отраслях промышленности при производLтве тонких кристаллических элементов из различных кристаллов, например из пьеэокварца, к которым предъявляются высокие требования к качеству главных граней.

Цель изобретения вЂ” обеспечение обработки кристаллических элементов толщиной до 20 мкм с высокой ско.ростью сошпифовки материала.

На чертеже изображена схема предложенного устройства.

Устройство имеет неподвижный шпиндель l на котором с помощью подшипников 2 установлен с возможностью вращения нижний притир 3. Нижний притир. 3 соединен ременной передачей с электроприводом 4. На шпинделе 1 свободно установлен с возможностью вращения эксцеитрик 5. На притире 3 с возможностью вращения вокруг эксцентрика 5 установлена кассега 6, B гнездах кассеты размещены кристаллические элементы 7. На верхнем торце шпинделя l установлен тормоз 8, с который одновременно выполняет роль оси верхнего неподвижного притира 9, свободно лежащего на кристаллических элементах. Тормоз 8 имеет корпус IQ пружину 11 и шайбу 12. Для увеличений усилия торможения корпус

8 закручивается по резьбе шпинделя

1 и стопорится кончргайкой 13 °

Устройство работает следующим образом.

При вращении нижнего притира 3 кристаллические элементы 7 эа счет сил трения вращаются с нижним притиром 3 и одновременно тормозятся за счет сил трения о верхний неподвижный притир 9. В результате сКорость вращения кристаллических элементов

7 вокруг шпинделя l равна примерно

43932 2

1/2 скорости вращения нижнего притира (иэ условия равенства моментов сил). При возрастании трения о верхний притир скорость вращения кристаллических элементов пропорционально уменьшается. При этом вращающиеся кристаллические элементы увлекают за собой кассету 6, которая вследствие эксцентричного расположе10 ния увлекает за собой эксцентрик 5.

Эксцентрик 5, подторможенный тормозом 8 через сжатую пружину 11 и шайбу 12, оказывает сопротивление силам трения:, действующим со сторо15 ны кассеты на цилиндрическую поверхность эксцентрика. Поэтому кассета вращается вокруг шпинделя l быстрее, чем эксцентрик 5. Это обеспечивает плавное перемещение кристаллических

20 элементов от внутренней кромки поверхности притира к ее внешней кромке и обратно. В устройстве основной несбалансированной массой является зксцентрик 5. При его вращении воз25 никают значительные вибрации, которые приводят к появлению ударных нагрузок на кристаллические элементы.

Для уменьшения этих вибраций эксцентрик 5 выполнен из полиуретаиа и пустотелым. Применение в качестве материала эксцентрикового вала полиуретана позволяет исключить подшипник скольжения между эксцентриком и шпинделем 1, так как пара полиуре35 тан-сталь является подшипниковой .парой с малым коэффициентом трения.

Вращение эксцентрика за счет крутящего момента, обусловлейного силами трения между кристаллическими

40 элементами и притирами, вместо принудительного его вращения, позволяет обрабатывать кристаллические элементы толщиной до 20 мкм с высокой скоростью сошпифовки (до 5 мкм/мин

45 при шлифовании микропорошком М5).

Устройство для доводки кристаллических элементов

Похожие патенты:

Станок для доводки деталей // 1242340

Способ двустороннего полирования пластин // 1238951

Устройство для притирки плоских поверхностей // 1237397

Плоскодоводочный станок // 1235704

Плоскодоводочный станок // 1230806

Устройство для доводки плоских деталей // 1222513

Способ абразивной обработки на плоскодоводочных станках // 1222512

Сепаратор к плоскодоводочному станку // 1220758

Станок для обработки плоских поверхностей // 1215963

Устройство для односторонней доводки деталей // 1211024

Притир // 2119422

Изобретение относится к технологии абразивной обработки и может быть использовано преимущественно на операциях доводки, а также шлифования и полирования плоских, плоскопараллельных, цилиндрических и сферических поверхностей

Способ одностороннего полирования плоских поверхностей деталей // 2159173

Изобретение относится к области отделочной обработки плоских прецизионных поверхностей, в частности к химико-механическому полированию пластин кремния большого диаметра

Способ крепления пластин // 2192956

Изобретение относится к обработке шлифованием или полированием поверхности тонких хрупких пластин, применяемых, в частности, для производства электронных изделий, например кремниевых и сапфировых

Устройство для притирки плоских поверхностей // 2207945

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для притирки (доводки) плоских поверхностей деталей, например, уплотнительных поверхностей деталей запорной трубопроводной арматуры (золотника вентиля, клина задвижки) как в процессе производства, так и при ее ремонте

Способ химико-механического полирования // 2305621

Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, включающем механическую обработку и химическое травление

Способ полирования поверхности подложки // 2320466

Изобретение относится к области шлифования и полирования, а именно к обработке монокристаллов

Партия сапфировых подложек и способ ее изготовления // 2412037

Изобретение относится к области обработки поверхностей сапфировых подложек шлифованием

Патрон к станку для полирования оптических деталей // 2056223

Устройство для плоской доводки // 2056267

Устройство для двусторонней доводки плоскостей // 2062213

Изобретение относится к станкостроению и может быть использовано для абразивной обработки плоскопараллельных поверхностей разнообразных машиностроительных деталей