Устройство для обработки монокристаллов

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1248824 (594 В 28D5 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ с

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21 ) 37 87 07 4/2 9-33 (22) 04. 07.84 (46) 07.08.86. Бюл. ¹ 29 (72) С.Е. Ковалев, В.А. Гурьев, И.Я. Валинов и Э.П. Коломенцев (53) 679.8.053 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 605721, кл. В 28 D 5/06, 1978.

Авторское свидетельство СССР

¹ 340441, кл. В 01 J 19/00, 1970. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ

МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее закрепленные на корпусе кристаллодержатель и каретку, смонтированную на направляющих корпуса с возможностью продольного и поперечного перемещений, шпиндель и ролики с натянутой на них режущей нитью и приводом их вращения, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью повьппения точности и производительнос.".и обработки крупногабаритных монокристаллов иодистого натрия, оно снабжено установленной на каретке стойкой с двумя поворотными дугообразными рычага- ми, уравновешенными противовесом, кристаллодержатель установлен с возможностью поворота, а ролики е натянутой режущей нитью закреплены на концах рычагов.

12488

Изобретение относится к области обработки твердых и хрупких материалов, а именно к устройствам для обработки монокристаллов,.

Цель изобретения — повышение 5 точности и производительности обработки крупногабаритных монокристаллов иодистого натрия.

На фиг.1 изображено устройство, общий вид, на фиг.2 то же, вид с.боку. 10

Устройство для обработки монокристаллов содержит закрепленные на корпусе 1 кристаллодержатель 2 и каретку 3, смонтированную на направляющих 4 корпуса 1 с возможностью 15 продольного и поперечного перемещения посредством привода 5. На кристаллодержателе 2 смонтированы роли ки 6-8, причем ролик 7 выполнен приводным. В корпусе 1 вертикально ус- 20 тановлен шпиндель 9 с приводом 10 и крепежными планшайбами 11 и 12, смонтированными посредством Г-образных кронштейнов 13 и 14. На каретке

3 установлена стойка 15 с двумя поворотными дугообразными рычагами

16 и 17, уравновешенными противовесом. 18. На рычагах 16 и 17 закрепле— ны ролики 19-23 с натянутой режущей нитью 24, причем ролик 23 выполнен щ приводным. На рычаге 16 смонтирована капельница 25 с растворителем.

В устройстве предусмотрена возможность установки кристаллодержателя 2 на шпинделе 9 для обеспе35 чения поворота кристаллодержателя 2 вокруг вертикальной оси.

Устройство работает следующим образом.

Крупногабаритный монокристалл

26 иодистого натрия устанавливают в кристаллодержателе 2, а режущую

24 2 нить 24 — в плоскости резания монокристалла 26. Настраивают капельницу 25 для подачи необходимого количества капель на режущую нить 24.

Приводят во вращение ролик 23, обеспечивающий перемещение режущей нити

24 по роликам 19-22, а также приводят во вращение ролик 7, обеспечивающий вращение монокристалла 26 навстречу перемещению режущей нити 24. Противовес обеспечивает постоянное натяжение режущей нити 24.

Включают привод 5 каретки 3 и осуществляют подвод движущейся нити 24 к монокристаллу 26, при этом ролики

19 и 20 вводят в контакт с поверхностью монокристалла 26 и при углублении режущей нити 24 в монокристалл

26 ролики 19 и 20 перемещаются по его поверхности, а дугообразные рычаги 16 и 17 поворачиваются.

При обработке боковой поверхности монокристалла 26 (фиг.2) последний устанавливают в крепежные планшайбы 11 и 12. Дугообразные рычаги

16 и 17 разводят на расстояние,превышающее высоту монокристалла 26 на 8-10 мм и фиксируют их в указанном положении.

При соприкосновении движущейся режущей нити ?4 с монокристаллом 26 включают привод 10 вращения шпинделя 9., привод 5 каретки 3 и осуществляют обработку до подхода режущей нити 24 к планшайбам 11 и 12, опрецеляющим как копир конфигурацию обработанной поверхности монокристалла 26.

Предлагаемое устройство обеспечивает повышение точности и производительности обработки крупногабаритных монокристаллов иодистого натрия.

Устройство для обработки монокристаллов Устройство для обработки монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Пила // 575221

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки кристаллов и может быть использовано при обработке алмазов, а именно при обточке рундиста бриллианта в ювелирной промышленности

Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью

Изобретение относится к устройству для обработки твердых и хрупких неметаллических материалов, в частности к устройству для разрезания слитков кремния. Алмазная проволочная пила, содержащая ячейки из алмазных проволочных полотен, намотанных на параллельные катушки с возможностью резания заготовки на столике для резки, причем диаметр, по меньшей мере, одного последующего вдоль направления резания полотна превышает диаметр, по меньшей мере, одного предыдущего полотна, расположенного впереди по направлению резания, что способствует достижению более экономного использования кремния для удовлетворения потребностей производства, так как получаемые пропилы более узкие, а толщина кремниевых пластин меньше. 10 з.п. ф-лы, 8 ил.
Наверх