Накопитель информации на цилиндрических магнитных пленках

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Целью изобретения является повыше ние информа ; jF 7 f X X / . л V цционной плотности накопителя информации и снижение потребляемой мощности . Накопитель информации на ЦМП содержит две ленточные подложки 1 и 2, которыми расположены запоминающие элементы на 4, адресные шины 5 и фольгированный токопроводящий экран 6 в виде разделенных пазами полос, ширина t каждой из которых равна длине запоминающего элемента. Указанная конструкция накопителя позволяет повысить концентрацию магнитного поля у поверхности запоминающих элементов и .уменьшить взаимное влияние ЦМП 4, что, в свою очередь, обусловливает возможность более близкого размещения запоминающих элементов и уменьшения токов в адресных шинах 5. 2 ил. (Л с: Л л. фие.1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 G 11 С 11 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3832945/24-24 (22) 29.12.84 (46) 15.08.86. Вюл. У 30 (72) П.П.Мальцев и О.А.Власов (53) 681.327.66(088,8) (56) ГРигорян Л.А. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных пленках. M.: Энергия, 1975, с. 102, Авторское свидетельство СССР

У 451127, кл. G 11 С 11/ 14, 1972. (54) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП}. Целью изобретения является повышение информа,.8Ф .12БИ77 А1 ционной плотности накопителя информации и снижение потребляемой мощности. Накопитель информации на ЦМП содержит две ленточные подложки l и 2, между которыми расположены запоминающие элементы на @%I 4, адресные шины 5 и фольгированный токопроводящий экран 6 в виде разделенных пазами полос, ширина ь каждой из которых равна длине запоминающего элемента. указанная конструкция накопителя позволяет повысить концентрацию магнитного поля у поверхности запоминающих элементов и уменьшить взаимное влияние ЦМП 4, что, в свою очередь, обусловливает возможность более близкого размещения запоминающих элементов и уменьшения токов в адресных пинах 5.

2 ил.

1251177 2

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на ЦМП.

Цель изобретения — повьппение информационной плотности накопителя информации и снижение потребляемой мощности, На фиг.1 представлен предлагаемый накопитель информации; на фиг.2— разрез А-А на фиг.1.

Накопитель информации на ЦМП содержит две ленточные подложки и 2, между которыми расположены запоминающие элементы 3 на Ц1гг! 4, адресные шины 5 и фольгированный токопроводящий экран 6 в виде разделенных пазами полос 7, ширина !, каждой из которых равна длине запоминающего элемента 3.

В предлагаемом накопителе информации на ЦМП использован полувитковый принцип выполнения адресных шин 5, при котором прямой и обратный провода адресных шин 5 расположены с одной стороны запоминающих элементов

3, а фольгированный токопроводящий экран 6 — с другой, что позволяет создать вокруг них замкнутое электромагнитное поле благодаря тому, что фоггьгированный токопроводящий экран

6 индуцирует обратный вихревой ток, создающий эффект замкнутого витка вокруг ЦМП 4.

Устройство работает следующим образом.

Запись и считывание информации в запоминающих элементах 3 устройства происходят путем изменения направления (перемагничивания) в них вектора намагниченности. Изменение направления вектора в каждом запоминающем элементе 3 осуществляется под влиянием двух электромагнитньгх полей, одно из которых создается при протекании электрического тока в ЦМП 4, а другое поле образуется как результирующее при протекании электрического тока в адресных шинах 5, соответствующих данному запоминающему элементу 3, и наведении вихревых токов в полосе 7 фолвгированного токопроводящего экрана 6.

Поскольку результирующее поле в области запоминающего элемента 3 обратно пропорционально расстоянию между проводниками, то выполнение адресных шин 5 и фольгированного т!.0

40 копроводящего экрана 6 на внутренних поверхностях ленточных подложек ! и 2 позволяет получить увеличенное результирующее поле в области,за— помннающего элемента 3 при протекании возбуждающего электрического тока в адресных шинах 5 и наведении вихревых токов в фольгированном токопроводящем экране б. Вследствие этого увеличивается амплитуда считываемого сигнала, который индуцирует— ся в ЦМП 4, Поскольку фольгированньN токопроводящий экран 6 выполнен в виде ло— лос 7, нанесенньгх параллельно адресным шинам 5 и разделенных пазами, которые создают электрическое сопро- тивление между этими полосами 7, то в нем исключается растекание вихревых токов и уменьшается поле рассеивания в области соседних UMII 4. При этом увеличивается концентрация электромагнитного поля и, соответственно, происходит увеличение считываемого сигнала на накопителе информации за счет уменьшения взаимовлияния между соседними LIMB 4, что обеспечивает возможность расположения адреснъгх шин 5 с уменьшенным шагом, т.е. позволяет увеличить количество запоминающих элементов на ЦМЧ 4 и тем самым повысить информационную плотность накопителя информации на ЦМП.

Кроме того, в предлагаемом устройстве снижен уровень адресных: токов до 400 мА, что обусловливает повьппение степени интеграции адр"-m tx формирователей и снижение потребляемой мощности устройства в целом.

Формула

Накопитель информации на цилиндрических магнитных пленках. содержащий две ленточные подложки, между которьппг расположены запоминающие элементы на цилиндрических магнитных пленках, адресные шины и фольгированный токопроводящий экран, отличающийся тем, что, с целью повышения информационной плотности накопителя информации и снижения потребляемой мощности, адресные шины расположены на внутренней поверхности одной ленточной подложки, а фольгированный токопроводящий экран выполнен в виде нанесенных параллельно адресным шинам и разделенных!

251177 пазами полос, ширина каждой из которых равна длине запоминающего элемента, и расположен на внутренней поверхности другой ленточной подложки.

Составитель Ю. Розенталь

Техред И.Гайдош

Корректор М. Демчик

Редактор А.Огар

Заказ 4419/51

Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1)3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Накопитель информации на цилиндрических магнитных пленках Накопитель информации на цилиндрических магнитных пленках Накопитель информации на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на тонких магнитных пленках

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминанмцих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических : магнитных доменах(ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении логических запоминающих устройств на цилиндрических Магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении операционных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлений запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, в устройствах бесконтактного ввода информации в ЭВМ, в кодирунмцих устройствах и др

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх