Способ возбуждения фотоэмиссии
Способ возбуждения фотоэмиссии, включающий воздействие оптического излучения на поверхность металла, граничащую с вакуумом или неметаллом, отличающийся тем, что, с целью повышения квантовой эффективности процесса, оптическое излучение преобразуют на границе раздела в поверхностную электромагнитную волну.
Дата прекращения действия патента: 07.08.2000
Номер и год публикации бюллетеня: 9-2003
Код раздела: MM4A
Извещение опубликовано: 27.03.2003
Похожие патенты:
Полупрозрачный фотокатод // 1086990
Фотокатод и способ его изготовления // 792358
Патент 392831 // 392831
Фотоэлектронное устройство // 248094
Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения
Способ изготовления фотополевого катода // 2248066
Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения для видимого и инфракрасного диапазона оптического излучения
Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники, а именно к фотоэмиссионным полупроводниковым устройствам, работающим в видимой и ближней ультрафиолетовой области
Фотокатод // 2351035
Изобретение относится к области элементов конструкций фотоэлектронных приборов, а именно к фотокатодам на рельефных подложках, использующихся в качестве входных преобразователей электромагнитного излучения в электронный поток
Способ возбуждения внешней фотоэмиссии // 1549400
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления малогабаритного фотоэлектронного прибора с фотокатодом на основе соединений сурьмы с щелочными металлами
Способ тренировки фотоэлектронного прибора // 1799191
Изобретение относится к электровакуумной технике и может быть использовано для тренировки фотоэлектронных приборов, в частности электронно-оптических преобразователей (ЭСП)
Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона // 2513662
Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона заключается в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), снижении температуры до комнатной, напыления на поверхность подложки поочередно атомов цезия и кислорода, измерения тока фотоэмиссии с поверхности. При этом подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем в 1.5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. Изобретение обеспечивает увеличение фоточувствительности и повышение времени технологической жизни, интервала времени после формирования до запайки в прибор, уменьшение глубины анализируемого слоя, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для его реализации с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 4 ил.