Интегральная микросхема

Авторы патента:

H01L23/26 - содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано в импульсной технике, и устройствах автоматики. Цель изобретения расширение функциональных возможностей и упрощение системы отключения микросхемы при перегреве. На чертеже изображена микросхема. Она содержит кристалл полупроводника 1, закрепленный при помощи эвтектического сплава 2 на металлическую ленту 3, и биметаллические криволинейные участки 4. Контактные площадки 5 корпуса плотно прилегают к контактным площадкам микросхемы за счет упругости металлической ленты. При повышении температуры выше допустимой микросхема отключается от источника питания. Микросхема может также работать в качестве миниатюрного теплового реле. Его преимуществом по сравнению с известными реле на основе биметаллов является возможность многофункционального преобразования электрического сигнала, что значительно упрощает использованную электронную схему реле. Использование микросхемы в качестве миниатюрного теплового реле расширяет ее функциональные возможности.

Формула изобретения

РИСУНКИ

Рисунок 1

Похожие патенты:

Влагопоглотитель // 391653

Влагопоглотитель для полупроводниковых // 365756

Способ защиты корпусов микроблоков и элементной базы радиоэлектронной аппаратуры // 2110869

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно микроэлектронике, и может быть использовано для защиты корпусов микроблоков и элементной базы радиоэлектронной аппаратуры от внешних агрессивных воздействий окружающей среды

Покрытое молекулярное сито // 2458735

Охладитель для силовых полупроводниковых приборов // 1292072

Изобретение относится к электронике

Микроэлектронное устройство // 1781734

Способ изготовления неиспаряемого геттера // 2620234

Изобретение относится к изготовлению неиспаряемого геттера. Формируют слои материала из первого порошка титан-ванадий, имеющего среднеарифметический размер гранул не более 70 мкм, и второго порошка – из смеси первого порошка титан-ванадий и интеркалированного углерода. Засыпают в пресс-форму последовательно порошок титан-ванадий, порошок из смеси порошка титан-ванадий и интеркалированного углерода и порошок титан-ванадий. Затем осуществляют прессование заготовки при давлении 100-1000 кг/см2 и спекание заготовки в вакуумной печи при температуре 900-990°С в течение (1,8-3,6)×103 с, охлаждают до комнатной температуры, вынимают полученную заготовку из вакуумной печи. Лицевую и обратную наружные поверхности заготовки облучают лазерным излучением, например посредством лазера СО2, в инертной атмосфере гелия или аргона с получением части наружной поверхности с открытой пористостью и сплавной части наружной поверхности. Обеспечивается повышение качества неиспаряемого геттера путем снижения его осыпаемости, повышения сорбционных свойств и механической прочности. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 пр.