Элемент памяти

 

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в устройствах для сохранения.информации при перерывах напряжения питания . Цель изобретения состоит в расширении области применения элемента памяти за счет обеспечения возможности записи информации сигналами меньшей мощности. Для достижения этой цели в элемент памяти, содержащий трансформатор, выполненный на сердечнике с пря1«эугальной петлей гистерезиса, транзистор, согласукиций и нагрузочный резисторы, введен конденсатор , а вход записи через согласующий резистор соединен с базой транзистора. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 G l l С 11/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ASTO CeOvV Ce peXmWvav (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в устройствах для сохранения,информации при перерывах напряжения питания. Цель изобретения состоит в расширении области применения элемента памяти за счет обеспечения возможности записи информации сигналами меньшей мощности. Для достижения этой цели в элемент памяти, содержащий трансформатор, выполненный на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса, транзистор, согласующий и нагрузочный резисторы, введен конденсатор, а вход записи через согласующий резистор соединен с базой транзистора. 1 ил.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3827162/24-24 (22) 20.12.84 (46) 23.10.86. Бюл. 1l 39 (71) Специальное конструкторское бюро систем проьышленной автоматики

Чебоксарского производственного объединения "Промприбор" (72) А.И.Яковлев и Ю.В.Захаров (53) 681.327.66 (088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1106021, кл. Н 03 К 19/088,1983 °

Интегратор импульсов гк5.107 ° 016

33. М., ИЗТА, 1984..

„„SU„,, 1265854 А 1

Ф 1265854 2

Изобретение относится к автомати- под воздействием импульса тока, проке и может быть использовано в уст- текающего по обмотке считывания,серройствах для сохранения информации дечник перемагничивается от значения при перерывах напряжения питания. ° +Br до -Br и на обмотке записи возЦель изобретения — расширение об- никает импульс ЭДС, который через ласти применения элемента памяти эа . конденсатор 5 прикладывается между счет возможности записи сигналами базой и на выходе 8 ЭП возменьшей мощности. никает единичный импульс. Если заНа чертеже представлена принципи- пись информации не производилась,то альная схема элемента памяти. 10 сердечник трансформатора имеет намагЭлемент памяти {ЭП) содержит транс- ниченность -Вг, и под воздействием форматор 1, выполненный на сердечни- импульса тока, протекающего по обмотке с прямоугольной петлей гистереэи- . ке считывания, перемагничивания серса, с обмотками записи и считывания, дечника не происходит, а значит и не усилительный транзистор 2, согласую- 15 возникает импульс на выходе элемента щий 3 и нагрузочный 4 резисторы и фор- памяти. сирующий конденсатор 5. Показаны также входы 6 записи и считывания 7 и Формула изобретения выход 8 ЭП.

Элемент памяти работает в двух режимах: записи и считывания.

В исходном состоянии сигнал на входе ЭП имеет высокий потенциал, а цепь обмотки считывания обесточена.

В этом случае транзистор 2 закрыт и на выходе ЭП присутствует сигнал логического О

Режим записи. Запись логической

"1" в ЭН осуществляется подачей на вход записи 6 отрицательного импульса, который через резистор 3 поступает на базу транзистора 2, открывая его.Ток, протекающий через обмотку записи трансформатора 1 транзистор 2 и резистор 4, перемагничивает сердечник трансформатора от значения намагниченности -Br до +Br. После отключения напряжения питания намагниченность сердечника сохраняется. 40

Режим считывания, Считывание информации из ЭП производится подачей прямоугольного импульса на обмотку 7 считывания. Если предварительно была произведена запись логической "1",то сердечник имеет намагниченность +Br;

Элемент памяти, содержащий трансформатор, выполненный на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса с обмоткой считывания и записи,.усилительный транзистор, согласующий и нагрузочный резисторы, причем один вывод согласующего резистора является входом записи элемента памяти, один вывод нагрузочного резистора соединен с шиной нулевого потенциала, а другой — с коллектором усилительного транзистора и является выходом элемента памяти, эмиттер усилительного транзистора соединен с одним выводом обмотки записи, другой вывод которого соединен с шиной питания, выводы обмотки считывания являются входами считывания элемента памяти,о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области применения элемента памяти эа счет уменьшения мощности сигналов записи, в него введен форсирующий конденсатор, один вы-. вод которого соединен с базой усилительного транзистора, а другой — с шиной питания, другой вывод согласующего резистора соединен с базой усилительного транзистора.

1265854

Составитель А.дерюгин

Техред Л.сердюкова

Редактор П.Коссей

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óêãîðîä, ул.Проектная, 4

Заказ 5672/51 Тираж 543

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Корректор М.Максимишинец

Подписное

Элемент памяти Элемент памяти Элемент памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения накопителей ПЗУ

Изобретение относится к акустоэлектронике и может найти применение при записи сигналов на магнитных носителях

Изобретение относится к ферритовым материалам с прямоугольной петлей гистерезиса, используемым д 7я изготовления элементов памяти оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин

Изобретение относится к акустоэлектронике, в частности к устройствам на основе магнитоупругих волн, и может использоваться для запоминания аналоговых сигналов в магнитоакустических устройствах обработки информации и применяться в различных радиоэлектронных системах

Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов. Сущность изобретения: на подложке из кремния формируют магнитный элемент из двух ферромагнитных дисков разного диаметра, асимметрично размещенных друг на друге и разделенных прослойкой из немагнитного материала, имеющей форму диска. Размеры магнитного элемента таковы, что в большом диске в отсутствие индуцированного магнитного поля формируется вихревое состояние, а в малом диске - однодоменное. Такое исполнение магнитного элемента позволяет создать асимметричную конфигурацию магнитной структуры, что является необходимым условием для контроля параметров вихря при его формировании в большом диске, и дает возможность контролировать хиральность вихря, образованного в большом диске, и направление намагниченности в малом диске. Это достигается при приложении магнитного поля под углами 0, 90, 180 или 270 градусов относительно оси, соединяющей центры дисков. В зависимости от угла приложения магнитного поля в большом диске формируется вихревое состояние с определенной хиральностью, а в малом - однодоменное состояние с контролируемым направлением намагниченности. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании накопителя только на магнетиках. Накопитель на микросхемах с прямоугольной петлей гистерезиса с электроникой полноточных магнитных элементов, с электрической перезаписью, причем память имеет практически неограниченную частоту считывания, и полностью магнитным исполнением. 3 ил., 7 табл.
Наверх