Расширитель импульсов

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых схемах сверхбольшой плотности интеграции, где требуется очень . низкое потребление энергии. Целью изобретения является уменьшение потребляемой энергии и улучшение интеграционных характеристик. Для достижения поставленной цели в расширителе импульсов, содержащем транзисторы 1, 2 с различными типами проводимости, времязадаюгщй конденсатор 7, шины: общую, входную 11, 9 питания, введены транзисторы 3, 4, 5, 6, шины: 12 вховыходные 8, 10. Максимальное дная, протекающего через значение тока. транзистор, не превьш ает величину А, что приводит к значительному уменьшению рассеиваемой мощности. Исключение пассивных резистивных элементов позволит максимально уменьшить площадь, занимаемую устройством (Л на полупроводниковой подложке. Устройство является перспективным для применения в цифровых интегральных схемах. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (19) (И) (gg 4 Н 03 K 3/284 5/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДиСТВЕННЫЙ HOMHTET CCCP

ГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3862651/24-21 (22) 06.03.85 (46) 30>11.86. Бюл. 1(44 (71) Киевское научно-производственное объединение "Аналитприбор" (72) А.Л.Якимаха (53) 621.318/5 (088 ° 8) (56) Якимаха А.Л. Об уточнении статической модели МДП-транзистора в микрорежиме. — Радиотехника, 1981, т. 36, 1(10, с. 9-15 °

Ильин В.А., Коншин Б.Н. Импульсные устройства с мостовыми времязадающнми цепями. М.: Энергия, 1972, 232 с. рис. 3/25, с. 156 ° (54) РАСШИРИТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых схемах сверхбольшой плотности интеграции, где требуется очень низкое потребление энергии. Целью изобретения является уменьшение потребляемой энергии и улучшение интеграционных характеристик. Для достижения поставленной цели в расширителе импульсов, содержащем транзисторы 1, 2 с различными типами проводимости, времязадающий конденсатор 7, шины: общую, входную 11, 9 питания, введены транзисторы 3, 4, 5, 6, шины: 12 входная, выходные 8, 10. Максимальное значение тока, протекающего через транзистор, не превышает величину 10 А, что приводит к значительному уменьшению рассеиваемой мощности.

Исключение пассивных резистивных элементов позволит максимально уменьшить площадь, занимаемую устройством на полупроводниковой подложке. Устройство является перспективным для С: применения в цифровых интегральных схемах. 1 ил.

1 12741

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых схемах большой плотности интеграции, где требуется очень низкое потребление энергии.

Целью изобретения является уменьшение потребляемой энергии и улучшение интеграционных характеристик.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства. 1Î

Расширитель импульсов содержит шесть транзисторов 1-6. Времязадающий конденсатор 7, соединенный с коллекторами второго 2 и четвертого 4 транзисторов и базами третьего 3 и шестого 6 транзисторов. Эмиттеры третьего 3, первого 1 и четвертого 4 транзисторов соединены с общей шиной

)8 устройства, эмиттеры второго 2, пятого 5 и шестого 6 транзисторов сое- 2О динены с шиной 9 питания, коллектор шестого 6 транзистора соединен с второй выходной шиной 10 устройства, коллектор третьего 3 и база первого 1 транзисторов соединены с выходной<11 25 и входной 12 (управляющая) шинами сортветственно.

Устройство работает следующим образом. 30

При низком уровне входного напряжения на управляющем входе шины 12 устройства все .транзисторы 1-6 находятся в запертом состоянии, поэтому на выходной шине 11 будет высокий уровень напряжения, а на выходной шине 10— низкий уровень напряжения, времязадающий конденсатор 7 заряжен до уровня напряжения питания, причем на левой обкладке и базе транзистора 3 бу. дет низкий уровень напряжения,а на

40 правой обкладке и базе транзистора 6— высокий уровень напряжения.

При поступлении на входную шину 12 короткого управляющего импульса все транзисторы 1-6 открываются и конден45 сатор 7 быстро перезаряжается через участки коллектор-эмиттер транзисторов 2 и 4. На выходной шине 11 при этом будет низкий уровень напряжения, а на выходной шине 10 — высокий. При понижении входного напряжения на управляющей входной шине 12 до нуля состояние выходных шин 11 и 10 не может изменяться столь быстра, поскольку разряд конденсатора теперь будет протекать через р-и-переходы база-эмиттер транзисторов 6 и 3. Длительность процесса перезарядки конденсатора 7

22 определяется входным сопротивлением транзисторов 6 и 3, но она в значительной степени превышает длитель-. ность входных управляющих импульсов.

Для идентичных электрофизических параметров биполярных транзисторов противоположного типа проводимости напряжение питания устройства составляет величину порядка 0,5 В, а максимальное значение тока, протекающего г через транзистор, не превышает величину 10 А, что приводит к значительному уменьшению рассеиваемой мощности. Уменьшение рассеиваемой мощности вместе с исключением пассивных резистивных элементов позволяет максимально уменьшить площадь, занимаемую устройством на полупроводникеподложке.

Таким образом данный расширитель импульсов является перспективным для применения в цифровых интегральных схемах.

Формула изобретения

<.

Расширитель импульсов, содержащий, первый транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база - с входной шиной устройства, времязада ющий конденсатор, второй транзистор противоположного типа проводимости, в. эмиттер которого соединен с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой энергии и улучшения интеграцйонных характеристик, в него введены четыре дополнительных транзистора, тип проводимости третьего и четвертого транзисторов идентичен типу проводимости первого транзистора, а тип проводимости пятого и шестого транзисторов идентичен типу проводимости второго транзистора, при этом времязадающий конденсатор соединен с базами третьего и шестого транзисторов и коллекторами второго и четвертого транзисторов, база второго транзистора соединена с базой пятого и коллектором первого транзистора, коллектор пятого транзистора соединен с базой четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, с которой соединен также эмиттер третьего транзистора, коллектор которого подключен к первой выходной шине устройства, эмиттер шестого соединен с шиной питания, а коллектор соединен с второй выходной шиной устройства.