Способ лужения выводов радиоэлементов
Изобрсгение относится к области пайки , в част1 ОС1и к лужению выводов микросхем . Цель изобретения - повышение качества лужения выводов микросхем нуте.м получения на них онтимальпой массы прииоя , качества иаяных соединений и ироизводительности процесса лужения выводов микросхем . Способ осуществляется посредством неоднократного погружения выводов в расн . авлепный припой одинакового илн различного химического состава, после каждого погружения выводы охлаждаются, причем повторные погружения выводов осуществляют в припой, имеющий температуру на 5-25° выше температуры плавления припоя, время лужения составляет 0,01-0,3 с.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (51) 4 В 23 К 1/08
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3356!92/25-27 (22) 30.10.81 (46) 07.12.86. Бюл. М 45 (72) И. Р. Рахматов, В. С. Бойко, Л. Ф. Свиридов, Т. С. Огай и В. И. 11оращенко (53) 621.791.3 (088.8) (56) 11атент ФРГ ¹ 2058676, K;l. С 23 С 1/04, 1975. (54) С11ОСОБ;1УуК(."НИЧ ВЫВОДОВ РЛДИОЗ,.)Г.ЧЕ ИТОВ (57) 1.!зоб!tctcttttc о1 носится к области пайки, в астности к лужению выводов микроÄÄSUÄÄ 1274870 схем, Цель изобретения — повышение качества лужения выводов микросхем путем получения на них оптимальной массы припоя, качества паяных соединений и производительности процесса лужения выводов микросхем. Способ осуществляется посредством неоднократного погружения выводов в расплавленный припой одинакового или различного химического состава, после каждого погружения выводы охлаждаются, причем повторные погружения выводов осуществляют в припой, имеющий температуру на 5 — 25 выше температуры itлавления припоя, время лужения составляет 0,01 — -0,3 с.
1274870
Формула изобретения
Составитель Т. Кри >еве>! !евреи H. Bepec Корректор А. тиски Гира>к 100! По и>иг >и>г
1>е ьик»>р 11. I.è>ðîâ»
Лик;>з 0>519 1 "
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к области пайки, в частности к способам лужения выводов
",1ИКРОСХЕМ.
Целью изобретения является повышение качества лужения выводов микросхем путем получения на них оптимальчой массы припоя, качества паяных соединений и производительности процесса лужения выводов микросхем.
Пример. Отрезки медных проводов диамет ром 0,3 мм залуживают припоем ПОС вЂ” 61, имеющим температуру 250 С. Время лужения 2 с. После погружения в припой вывод охлаждают на воздухе обдуванием струей холодного воздуха или парами азота. После охлаждения выводы повторно погружают
>3 расплавленный припой при 190 C: на
0,03 с. При этом после трехкратного окунания в припой вес отрезков проволоки на
1 мм длины погруженной части увеличился на 092 мг.
Для получения на выводах радиоэлементов необходимой дозы припоя выводы погружают в припой от 2 до 10 раз.
Способ лужения выводов радиоэлементов, преимущественно выводов микросхем, включающий неоднократное их погружение в расплавленный припой одинакового или раз1О личного химического состава и последующее охлаждение выводов после каждого погружения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества лужения выводов микросхем путем получения на них оптимальной
15 массы припоя, качества паяных соединений и производительности процесса лужения, повторные погружения выводов производят в припой, имеющий температуру на 5 — 25 выше температуры плавления припоя, на время 0,01 — 0,3 с.
