Способ коррекции фотошаблона теневой маски для цветной электронно-лучевой трубки

 

Изобретение относится к фотографии и позволяет повысить качество фотошаблона путем коррекции его по параметрам убывания прозрачности от центра к периферии. Апертурную теневую маску исследуют по четырем осям на прозрачность. По замерам строят графики убывания прозрачности от центра к периферии и сравнивают с теоретическими расчетами. На прозрачном светофильтре с размерами фотошаблона затемняют области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска. Светофильтр устанавливают на раму, закрывая им оригинал фотошаблона, соприкасающийся с топластиной. При экспонировании разсл личные участки фотопластины засвечиваются неодинаково. После проявления фотопластину фиксируют, промывают и сушат. 3 ил. ю ел со СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 С 03 F 3/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм изОБРетений и ОтнРытий (21) 3871205/24-10 (22) 18.03.85 (46) 07.12.86. Бюл. В 45 (71) Вольногорский завод электровакуумного стекла и Днепродзержинский ордена Трудового Красного Знамени индустриальный институт им. М.И.Арсеничева (72) И.М.Глезер, В.А.Кулик и А.И.Трикило (53) 778 . 155.4: 778. 156.4(088.8) (56) Иофис Е.А. Техника фотографии.

М.: Искусство, 1973.

Шашлов Б.А. Теория фотографического процесса. М.: Книга, 1971, с. 220-221. (54) СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ФОТОШАБЛОНА ТЕНЕВОЙ МАСКИ ДЛЯ ЦВЕТНОЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ

„„SU„„1275359 А 1 (57) Изобретение относится к фотографии и позволяет повысить качество фотошаблона путем коррекции его по параметрам убывания прозрачности от центра к периферии. Апертурную теневую маску исследуют по четырем осям на прозрачность. По замерам строят графики убывания прозрачности от центра к периферии и сравнивают с теоретическими расчетами. На прозрачном светофильтре с размерами фотошаблона затемняют области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска. Светофильтр устанавливают на раму, закрывая им оригиНал фотошаблона, соприкасающийся с фотопластиной. При экспонировании различные участки фотопластины засвечиваются неодинаково. После проявления фотопластину фиксируют, промывают и сушат. 3 ил.

1275359

1 70162.10 (d 1 3„10-э„

„. г)т з прозрачность маски, %, диаметр отверстия в центре маски (346+10) мкм, расстояние от центра маски до области, в которой производят замеры, мм. где Аd о

Изобретение относится к фотографии, а более конкретно к способам коррекции скрытых фотографических иэображений на фотошаблоне при изготовлении теневой маски для цветной электронно-лучевой трубки, и может найти применение в электронной и радиоэлектронной промышленности.

Целью изобретения является повышение качества фотошаблона путем коррекции его по параметру убывания прозрачности от центра к периферии.

На фиг. 1 изображены оси направлений производимых замеров прозрачности, на фиг. 2 — график кривых распределения прозрачности теневой маски от центра к периферии по оси 0180 ; на фиг. 3 — кривая зависимости отклонения прозрачности от величины освещенности.

Сущность способа заключается в том, что помещением светофильтра, имеющего области затемнения, между источником света и объектом фотоэкспонирования добиваются изменения размеров скрытого фотографического изображения в зонах отклонения от допустимых параметров, что увеличивает выход годных масок на 0 5-1 0% и повышает их качество.

Пример. Изготовленную с помощью фотошаблона апертурную- теневую маску для цветного масочного кинескопа с диагональю экрана 61 см исследуют по осям 0-180, 90-270

54-234О, 126-306 (фиг ° 1) на прозрачность с помощью денситометра в следующей последовательности: шаг проводимых замеров 5 мм, диаметр диафрагмы фотопреобраэов,теля 10 мм, калибровочное число измерительного прибора 1000, разрешающая способность цифрового вольтметра О, 1%. По полученным замерам строят графики убывания прозрачности от центра к периферии по четырем осям и сравнивают с теоретически рассчитанным по формуле (фиг. 2, кривые 1I)..

В областях маски,(фотошаблона), отстоящих от центра на r = 70-120 им, имеются отклонения от теоретически рассчитанного закона убывания

5 (фиг. 2, кривая 2).

На прозрачное стекло (светофильтр), имеющее размеры фотошаблона, с помощью аэрографа наносят полупрозрачный слой черной краски, таким обра1О зом затемняя выявленные в результате описанных исследований области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска (фиг. 2, кривая 1).

Методика и способ определения интенсивности затемнения областей светофильтра следующая.

В результате исследований была получена характеристическая кривая зависимости прозрачности (как интегральной характеристики изменения размеров элементов структуры эмульсионного фотошаблона) от величины экспозиции. В частном случае для маски прозрачность — зто отношение площади. |всех отверстий к площади рабочей поверхности маски.

Поскольку экспозиция определяется как произведение освещенности на время освещения Н = E t то при t

const экспозиция зависит от освещенности и, следовательно, прозрачность полученного фотошаблона зависит от величины освещенности Е в интересующих нас областях в момент экспозиции, 3

Используя кривую фиг. 3 и зная отклонения прозрачности А в данной области фотошаблона от теоретической, 46 определяем величину изменения освещенности Е в данной области фотопластины во время ее экспозиции аА=А -А

ft,У

45 где ь А — величина отклонения прозрачности, %;

А — действительная прозрачность

О в измеряемой области, %;

А — теоретически рассчитанная прозрачность, %.

Под прозрачную стеклянную пластину (светофильтр), совмещенную с оригиналом фотошаблона, устанавливается приемник фотометра (наприиер, люксметр Ю-116) и определяется освещенность данной области. Запыляя этот участок светофильтра полупрозрачным слоем краски, уменьшают освещенность

1275359

Полученный светофильтр устанавливают на раму (на расстоянии 40 мм 5 от оригинала), закрывая им оригинал, соприкасающийся с фотопластиной, различные участки которой в процессе экспонирования засвечиваются неодинаково."Далее фотопластину проявляют при Т 20 + 0 5 С в течение 200 с.

Затеи 4 отопластину фиксируют, npow»вают и подвергают сушке при

120 С.

15 на величину; найденную с помощью фиг. 3.

В результате получается откорректированный по параметру убывания прозрачности от центра к периферии фотошаблон °

Фотошаблон устанавливают на технологическую линию для получения тене.— вой маски с распределением закона убывания прозрачности от. центра к периферии, бли25 эким к теоретическому фиг. 2, кривая 3 Ю

Формула и з обр етення

Ъ

Способ коррекции фотошаблона течевой маски для цветной электроннолучевой трубки, включающий экспонирование "оригинала через пространст-. венный яркостной светошильто на фотопластину и ее последующую фотохимическую обработку, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения качества фотошаблона путем коррекции его по параметру убывания прозрачности от центра к периферии, при изготовлении пространственного светофильтра измеряют изменение прозрачности теневой маски от центра к периферии по четырем осям, вычис1 ляют отклонение измеренных значений от теоретически рассчитанных, по по-. лученным значениям с помощью зависимости отклонения прозрачности от величины изменения освещенности определяют последнюю и затемняют проз" рачную стеклянную пластину на участках отклонения прозрачности, уменьшая освещенность этих участков эа фотошаблоном со светофильтром на найденную величину.

0 Ю Р 54

1275359

270

1, НИ

Г,нИ

А4%

20 Фд

Е,пк

Составитель Л. Безпрозванный

Техред Л. Сердюкова Корректор Т. Колб

Редактор В,Данко

Заказ 6557/37

Тираж 436 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д„ 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4