Коллекторная система растрового электронного микроскопа

 

Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению. Цель - повышение точности электронномикроскопического аналиэа. Коллекторная система растрового электронного микроскопа содержит пару сцинтшшяторов (с) 1 и 2, пару электродов (э) 5 и 6, блок И преобразования сигналов , включающий электронный коммута- 1 тор 12, логическое устройство (У) 13, запоминающее У 14. Цель достигается тем, что она снабжена второй парой С 3 и 4 и второй парой Э 7 и 8, при . этом пара С 3 и 4 установлена симметричИо относительно линии расположения пары С 1 и 2, а пары Э 5 и 6 и 7 и 8 установлены соответственно между парами С 1 h 2 и 3 и 4. Коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетающие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, опредег ленным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и получить более точную информацию о топологии объекта. 2 ил. ьэ сд СП ОО оэ

а) 4 Н О1 J 37 24

ГОСУДАРСТВЕННОЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГПФ

°:":- :-.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .

К ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3942505/24-21 (22,) 16.08.85 (46) 07.12.86. Бюл. У 45 (72) В.Н. Васичев, 10.С. Смирнов, А.А. Камунин, В.А. Савкин и Е.В. Горелов (53) 621.385.833 (088.8) (56) Патент Японии Ф 49-7985, кл. 99 С 31, опублик. 1974.

Авторское свидетельство СССР

У 1056309, кл. Н 01 J 37/244, 1983. (54) КОЛЛЕКТОРНАЯ СИСТЕМА РАСТРОВОГО

ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (57) Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению.

Цель " повьииение точности электронномикроскопического анализа. Коллекторная система растрового электронного микроскопа содержит пару сцинтиллято„„SU„„1275583 А 1 ров (С) 1 и 2, пару электродов (Э)

5 и 6, блок 11 преобразования сигналов, вклюяающий электронный коммутатор 12, логическое устройство (У) 13, запоминающее У 14. Цель достигается тем, что она снабжена второй парой

С 3 и 4 и второй парой Э 7 и 8, при этом пара С 3 и 4 установлена симметрично относительно линии расположения пары С 1 и 2, а пары Э 5 и 6 и 7 и 8 установлены соответственно между парами С 1 М 2 и 3 и 4. Коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетаю- . щие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, опреде- а

Я ленным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и получить более точную информацию о топологии объекта. 2 ил.

1275583с этих площадок на сцинтилляторы 3 и 4 отсутствует, так как тормозящее поле находящихся под отрицательным потенциалом пар электродов 5 и 6, 7 и 8 не позволяет вторичным электронам попасть на эти сцинтилляторы.

С микронеровностей, имеющих площадки, наклоненные в сторону сцинтилляторов

3 и 4, появляется сигнал вторичных электронов соответственно на этих .сцинтилляторах. При этом тормозящее1 поле электродов препятствует попаданию вторичных электронов с этих площадок на сцинтилляторы 1 и 2. С площадки микронеровности с промежуточной ориентацией наклона, например, под 45О по отношению к оси пары сцинтилляторов 1 и 2 вторичные электроны попадут на смежные сцинтилляторы 2 и

3, но сигнал на них будет иным, чем, для случая нулевого угла по отношению к оси.

Таким образом, предложенная коллекторная система позволяет регистрировать вторичные электроны, вылетающие с площадок микронеровностей исследуемого участка объекта, определенным образом ориентированных по азимуту в плоскости объекта, и повысить точность регистрации. При этом поскольку блок ll преобразования предварительно может быть откалиброван на величины сигналов на соответ-. ствующих сцинтилляторах по углам наклона площадок микронеровностей, то различие в величинах сигналов с различных сцинтилляторов или их нулевые значения позволяют получить более точную информацию о топологии объекта.

Формула изобретения

Изобретение относится к электрон-. но-оптическому приборостроению, в частности к коллекторным системам электронно-зондовых приборов, например электронных микроскопов.

Целью изобретения является повышение точности электронно-микроскопического анализа за счет регистрации вторичных электронов по азимутальным направлениям. 10

На фиг. 1 показана коллекторная система в электронном микроскопе; на фиг. 2 — то же, вид по электроннооптической оси.

Коллекторная система содержит пер- 5 вую пару сцинтилляторов 1 и 2, установленных симметрично относительно электронно-оптической оси в перпендикулярной ей плоскости по направлению сканирования электронного зонда. 20

Вторая пара сцинтилляторов 3 и 4 установлена симметрично относительно линии расположения первой пары. Первая 5 и 6 и вторая 7 и 8 пары попарно симметричных электродов установ- 25 лены соответственно между первой и 2 и второй 3 и 4 парой сцинтилляторов. Сцинтилляторы находятся под положительным потенциалом, а пары. электродов — под отрицательным по- 30 тенциалом и расположены вокруг объекта 10.

Блок ll преобразования сигналов включает электронный коммутатор 12, соединенный с логическим устройством

13, предварительно откалиброванным с помощью эталонных меток с известной ориентацией и наклоном относительно осей сцинтилляторов и соединенным с запоминающим устройством 14.40

Коллекторная система работает следующим образом.

Под действием сканирующего электронного зонда с площадками микронеровности исследуемого участка объекта, наклоненной, например, в сторону сцинтиллятора 1, вторичные электроны попадают на этот же сцинтиллятор, в результате чего на вход блока 11 преобразования поступает сигнал, который используется для получения информации о топологии данного исследуемого участка объекта 10. Вторичные электроны с площадки той же микронеровности, наклоненной в сторону сцин-55 тиллятора 2, попадают на этот сцинтиллятор и далее в виде сигнала в блок преобразования. При этом сигнал

Коллекторная система растрового электронного микроскопа, содержащая пару сцинтилляторов, установленных симметрично относительно электроннооптической оси в перпендикулярной к ней плоскости, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью повышения точности электронно-микроскопического анализа за счет регистрации вторичных электронов по азимутальным направлениям, она снабжена второй парой сцинтилляторов, установленных симметрично относительно линии расположения первой пары сцинтилляторов, и двумя парами симметрично размещенных.электродов, чередующихся с сцинтилляторами первой и второй пар.

1275583

10

Составитель В. Гаврюшин

Техред Я.вардания

Корректор А. Зимокосов

Редактор Л. Гратилло

Тираж 643

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6572/48

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Коллекторная система растрового электронного микроскопа Коллекторная система растрового электронного микроскопа Коллекторная система растрового электронного микроскопа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах

Способ и устройство предназначены для контроля интенсивности электронного луча при проведении исследований образцов. Способ контроля интенсивности электронного луча, образующего плазму при своем распространении, при котором обнаруживают и анализируют электронное излучение или электромагнитное излучение, создаваемое непосредственно или косвенно электронным лучом, при этом для измерительной регистрации электронного или электромагнитного излучения, создаваемого непосредственно или косвенно электронным лучом, предусмотрен детектор, который направляют через стенку прозрачного или просвечивающего упаковочного материала на плазму. Технический результат - дезинфекция внутренней поверхности тары при исследовании биологических образцов. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 2 ил.

Система литографии элементарными пучками заряженных частиц для переноса шаблона на поверхность мишени содержит датчик для определения одной или нескольких характеристик одного или нескольких элементарных пучков заряженных частиц. Датчик содержит элемент (1) преобразователя для приема заряженных частиц (22) и генерации в ответ фотонов. Этот элемент преобразователя содержит поверхность для приема одного или нескольких элементарных пучков заряженных частиц, причем эта поверхность снабжена одной или несколькими ячейками для оценивания одного или нескольких индивидуальных элементарных пучков. Каждая ячейка содержит заданный шаблон (18) блокировки из одной или нескольких структур блокировки заряженных частиц, образующих множество режущих краев в переходах между областями блокировки и областями без блокировки вдоль заданной траектории сканирования элементарных пучков по поверхности элемента преобразователя. Поверхность элемента преобразователя покрыта слоем покрытия (20), по существу проницаемым для упомянутых заряженных частиц и по существу непроницаемым для внешнего света. Электрически проводящий слой (21) расположен между слоем покрытия и структурами блокировки. Технический результат - повышение точности датчика, измеряющего свойства элементарных пучков. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 3 ил.

Предложены устройство и способ определения характеристик пучка частиц, при которых обеспечивают прием пучка частиц в центральной области кожуха с пониженным давлением; воздействуют принятым пучком на ударную пластину для пучка, которая термически изолирована от кожуха; измеряют изменение температуры ударной пластины для пучка за счет воздействия пучка измеряют изменение давления в кожухе за счет приема пучка; и обрабатывают измеренное изменение температуры и измеренное изменение давления, чтобы определить характеристики пучка. Технический результат - улучшение дозиметрии для управления обработкой детали. 3 н. и 21 з.п.ф-лы, 8 ил.
Наверх