Способ получения монокристаллов cds и cdse

Авторы патента:

C30B11/14 - отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений A^IIB^VI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин. Монокристаллы CdS и CdSe получают направленной кристаллизацией из расплава в контейнере на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001 >. Контейнер используют с прямоугольным сечением и располагают затравку на его прямоугольной стороне. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов соединений A^IIB^VI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, а именно CdS и CdSe. Цель изобретения уменьшение плотности малоугловых границ и упрощение ориентирования затравки, а также получение монокристаллов в виде пластин. П р и м е р 1. Исходный порошок CdS загружают в цилиндрический графитовый контейнер, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из сульфида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 50 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 7 мм/ч. Получен цилиндрический монокристалл CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице. П р и м е р 2. Исходный порошок CdSe загружают в графитовый контейнер прямоугольного сечения, в затравочную камеру которого помещена монокристаллическая затравка из селенида кадмия, ориентированная таким образом, что направление роста перпендикулярно <0001 >, а <0001 > перпендикулярно широкой стороне контейнера. Контейнер устанавливают в камеру устройства для выращивания кристаллов. Камеру вакуумируют, заполняют аргоном таким образом, что давление в рабочем режиме составляет 18 атм, расплавляют загрузку и проводят направленную кристаллизацию со скоростью 8 мм/ч. Получают монокристаллическую пластину CdS. Данные по плотности малоугловых границ приведены в таблице. Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет получать монокристаллы CdS и CdSe с плотностью малоугловых границ не более 30 см^-1 при одновременном увеличении выхода монокристаллов, пригодных для дальнейшего использования, до 75 80% и упростить ориентирование затравок. Кроме того, предлагаемый способ позволяет получать монокристаллы в виде пластин.

Формула изобретения

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000

Патент 174171 // 174171

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава // 1262998

Изобретение относится к выращиванию кристаллов направленной кристаллизацией расплава и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности

Способ получения тройных халькогенидов меди // 1208848

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Способ получения кристаллов со структурой берилла // 1175186

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности

Способ выращивания кристаллов селенида цинка // 1157889

Способ загрузки шихты окиси алюминия и устройство для его осуществления // 1147774

Устройство для выращивания монокристаллов // 1122012

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов щелочно-галоидных соединений и может быть использовано для получения монокристаллов направленной кристаллизацией расплава в ампулах

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации // 1107589

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава в ампуле, в частности к устройствам самих ампул

Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат // 1070954

Способ получения соединения cs3sb // 1069457

Способ получения сцинтилляционного материала на основе щелочногалоидных монокристаллов // 1039253

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений // 2105831

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Устройство для получения термоэлектрических материалов // 2107116

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах

Способ выращивания звездчатых монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля // 2124077

Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Способ получения высококачественных монокристаллических заготовок // 2127774

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Способ получения никелида титана и сплавов на его основе // 2132415

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2132416

Способ получения монокристаллов (его варианты) // 2133787

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Способ получения окрашенных монокристаллов (его варианты) // 2134314

Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия и способ его получения // 2138585

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии