Квантрон
Изобретение относится к лаэер ной технике и может быть использовано в твердотельных лазерах без жидкостного охлаждения. Цепь изоб ретения - повышение мощности излу чения. Квантрон содержит плотро упакованные отражатель, по крайней мере одну лампу 1 накачки и кондуктивно охлаждае С;ГЙ sxTHBHbsft элемент 2. Отра- )«атель выполнек из материала с низ-. кой тйплопрОЕодностью в виде двух частей 3, соединеннь;х в месте касания металлическими прокладками 4, кондуктивно связанными с активным элементом 2 и корпусом 5. Это обес печивает симметрнчпый отвод тепла с двух противоположньтх участков поверх нести активного элемента, тем самым уменьшая tepMoonTH4ecKHe искажения. Суммарная площадь поверхности прокладок S Н площадь поверхности отра жателя S связана соотношением 0,08 S,,2} что позволяет повысить мощность излучения без снижения КПД и увеличения термооптических искажений . 1 ил. с 9
СОЮЗ СОВЕТСНИЯ
СОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХ
РЕСПУ БЛИН
„„SU„„1282790 (51) 5 Н 01 S 3/04
ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМ,Ф СВМДЕТЕЛЬС ГВУ (46) 23. 10. 90. Бюл. - 39
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (."..1) 3772769/24-25 (22) 16.07. 84 (72) Л.Г, Сапрыгин, И.В. 111едров, А.A. Корчагин и С,А. Копылов (53) 621.375.8 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
Ф 980578, кл. Н 01. S 3/00, 1981.
Авторское свидетельство СССР
Ф 1225449, кл. Н 01 S 3/04, 1984. (54) КВАНХРОН
> (57) Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в твердотельных лазерах без жидкостного охлаждения, Цель изобретения - повышение мощности излучения. Квантрон содержит плотно упакованные отражатель, по крайней мере одну лампу 1 накачки и кондуктивно охлаждае.с-.п активный элемент 2. Отражатель выполнен из материала с низ-. кой теплопроводностью в виде двух частей 3, соединенных в месте касания металлическими прокладками 4, кондуктивно связанными с активным элементом 2 и корпусом 5. Это обеспечивает симметричный отвод тепла с двух противоположных участков почерхности активного элемента, тем самым уменьшая термооптические искажения.
Суммарная глощадь поверхности прикладок S и площадь поверхности отраФъ жателя S связана соотношением 0,08 <
КЦД и увеличения термооптических искажений. 1 ил. Формула изобретения О 08 --"- z,1) 2 9.-8 - 9 1 128279 Изобретение относится к лазерной технике, а более конкретно к конструкции основного узла лазерного из лучателя — кнантрона, и может быть использовано в твердотельных лазерах без жидкостного охлаждения. Цель изобретения — повышение мощности излучения. На чертеже изображен квантрон с двухламповой системой накачки,, fQ Примером конкретного выполнения является квантрон, содержащий плотно упакованные отражатель, лампы 1 накачки и кондуктивно охлаждаемый з+ активный элемент 2 иэ АИГ:Ы .Отра- т5 жатель выполнен из ситалловых пластин 3, соединенных метаттлическими ,прокладками 4, связанных с активным элементом 2 и корпусом 5, причем суммарная площадь поверхности прок ладок S и площадь ситалловых пласт тин S образующих полость отражате ля, связаны соотношением 0 08» ."-ñ0 2 S 25 Металлические прокладки 4 изготавливались из индия, Прокладки 4 расположены симметрично относительно плоскости, проходящей через ось ак". тивного элемента 2 и лампы 1 накачки. В конкретном примере выполнения активный элемент 2 располагается в держателе б из прозрачного телепроводного материала, а лампа накачки контактирует с отражателем. Контакт осуществляется путем прижатия лампы 1 накачки к ситалловым пластинам 3. Диффуэно-селективное отражение ситалла обеспечивается -эа счет температур- 40 ной обработки. После обработки ситалл. обладает высоким коэффициентом отражения в полосах накачки активного элемента и высоким поглощением s инфракрасной области,. в частности при длине волны падающего излучения выше 0,9 мкм, При обработке ситалл сохраняет высо- кую термическую стойкость и низкую теплопроводность, что обеспечивает отсутствие вредного нагрева эа счет теплопроводности активного элемента Ъ от отражателя, В процессе работы тепло, выделяемое в активном элементе 2, отводится через держатель б и прокладку 4 и передается корпусу 5. Уменьшение теплопритока от лампы I накачки путем отвода тепла теплопроводностью 0 2 через контакт к корпусу 5 и поглощением излучаемой. части тепла поверхностями пластин 3 с последующей отдачей корпусу 5 позволяет повысить эффективность отражателя т утем увеличения плотности упаковки, что обеспечивает повышение мощности излучения лазера, Опгимальный размер прокладок выбирается нэ указанного соотношения между суммарной площадью поверхности прокладок Я и площадью ситалловым пластин S. ()граничение сниэ связано с увеличением температур. активного элемента и снижением эфФ S тивности. уменьшение -"-т - с О.Р S до 0,04 ведет к снижению эффектив ти на 15Z, в то время как пр --- > 0,08 эффективность практичес/ ки не меняется. Ограничение сверху связано с увеличением поглощения поверхностью прокладки:излучения лампы накачки, Эксперимент показал, что S увеличение — " -- с 0,2 до 0,3 ведет к снижению эффективности íà 127. в r то время как при ---- .) 2 эффектив3 ность практически не меняется, Квантрон, содержащий корпус, плотно упакованные отражатель, по крайней мере одну лампу накачки и кондуктивно охлаждаемый твердотельный активный элемент с теплоотводом по поверхностям, расположенным симметрично относительно плоскости, проход щей через оси лампы накачки и активного элемента, о т л и ч а юI щ и Й с я. тем, что, с целью повышения мощнОсти излучения, отражатель выполнен из материала с низкой теплопроводностью и диффузно-селективным отражением в виде двух :астей, соединенных в месте касания с активным элементом металлическими прокладками, кондуктивно связанными с активным элементом и корттусом, причем суммарная площадь поверхности прокладок S „ и площадь поверхности отражате ля S связаны соотношением
