Способ очистки полупроводниковых пластин

 

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижения его себестоимости. Процесс осуществляют следующим образом. В промывочную ванну помещают полупроводниковые пластины, куда потоком с расходом 250 л/ч снизу подают деионизованную воду. Подачу азота осуществляют через поток деионизованной воды под давлением 0,2- 1,0 кг/см . При этом образуется защитная азотная подущка над поверхностью ванны и создается нестабилизированный турбулент- Щ ный поток. 2 табл. (Л

COl03 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 В 08 В 308

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3871143I28-12 (22) 05.02.85 (46) 23.01.87. Бюл. № 3 (71) Ленинградское производственное объединение «Электронприбор» (72) Ж. Я. Гребельская, С. П. Суровый и В. С. Зубарев (53) 681.41.02 (088.8) (56) Борисенко А. С. и др. Технология и оборудование для производства м икроэлектронных устройств. — М.; Машиностроение !

983, с. 129 — 131.

Березин М. И. Оборудование и технология очистки деталей и узлов. Обзоры по электронной технике. вып. 24. М., институт

«Электроника», 1970, с. 35 — 37.

„„SU„„1284612 1 (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОЛУПРОВОД.

НИКОВЪ|Х ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижения его себестоимости. Процесс осуществляют следующим образом. В промывочную ванну помещают полупроводниковые пластины, куда потоком с расходом

250 л)ч снизу подают деионизованную воду.

Подачу азота осуществляют через поток деионизованной воды под давлением 0,2—

1,0 кг/смз. При этом образуется защитная азотная подушка над поверхностью ванны и создается нестабилизированный турбулент- ф ный поток. 2 табл.

1284612

Продолжение табл. 1

4,3

0,8

4,0

1,0

Таблица1

6,0

0,2

0,4

5,0

Показатели очистки

Способ

Известный

Время очистки, мин

16

0,56

0,00

18-20

2 — 4

Стерильно

Изобретение относится к способу очистки полупроводниковых пластин и может быть использовано в микроэлектронике.

Цель изобретения — повышение качества очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себестоимости.

Примеры 1 — 4. В промывочную ванну помещают пластины для Очистки. Деионизованную воду подают в ванну через трубопровод снизу ванны потоком и расходом деионизованной воды 250 г/ч, а слив воды осуществляют через сливное отверстие. 15

Подачу азота осуществляют через газовый коллектор под давлением 0,2 — 1,0 кг/смз через поток деионизованной воды. Давление и время по примерам сведены в табл. 1.

Пример Давление, Время отмывKI /ñì ки, мин

Объем использованной деионизованной воды, л

Удельное сопротивление деионизованной воды на выходе процесса, МОм

Перманганатная окисляемость деионизованной воды после отмывки (в пересчете на 0 ), мг/л

Микрочастицы, шт/мл

Микроорганизмы, кол/мл

Стоимость отмывки 20-ти пластин, руб

) 2 (3

Пузырьки азота, проходя через деионизованную воду, создают нестабилизированный турбулентный поток. Этот поток позволяет избежать появления застойных и водоворотных зон.

Парциальное давление кислорода и углекислого газа в пузырьках азота меньше, чем в воде, вследствие чего деионизованная вода освобождается от растворенных в ней кислорода и углекислого газа, которые неблагоприятно влияют на поверхность кремния и алюминия на пластине.

Пройдя через поток деионизованной воды, пузырьки азота образуют инертную подушку из азота, служащую чистой крышкой для ванны и предохраняющую деиозизованную воду от контакта с грязной атмосферой. Таким образом, барботаж азотом или другим инертным газом деионизованной воды создает турбулентный поток, который уничтожает пограничный слой, и, создавая эффект флотации, повышает скорость и улучшает качество отмывки.

Сравнительные данные контроля качества отмывки плоскопараллельных пластин в деионизованной воде приведены в табл. 2.

Таблица 2

1284612

Формула изобретения

Составитель В. Шиманская

Редактор М. Бланар Техред И. Верес Корректор A. Обручар

Заказ 7486/8 Тираж 564 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, ж — 35, Раушская наб., д. 4/5

Г1роизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ очистки полупроводниковых пластин путем их обработки в промывочной ванне деионизованной водой с подачей в нее инертного газа для создания турбулентного режима, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки за счет исключения ресорбции загрязнений на очищенные пластины при одновременной интенсификации процесса и снижении его себестоимости, очистку ведут путем создания нестабилизированного турбулентного потока и защитной инертной подушки над поверхностью ванны за счет подачи инертного газа под давлением 0,2 — 1,0 кг/смв через поток деионизованной воды с расходом

250 л/ч.

Способ очистки полупроводниковых пластин Способ очистки полупроводниковых пластин Способ очистки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оборудованию для очистки изделий перед их ремонтом

Изобретение относится к очистк оборудования целлюлозно-бумажной проььшшенности и позволяет повысить эффективность очистки

Изобретение относится к теплоэнергетике и может быть использовано при обслуживании и ремонте систем отопления жилых зданий и производственных помещений

Изобретение относится к созданию жирных очищающих композиций и способу удаления загрязнений с подложки, например с печатной платы, с использованием очищающей композиции
Изобретение относится к химической очистке полых резервуаров и баков

Изобретение относится к химическим способам очистки твердых материалов и предназначено для очистки грунтов от загрязнявших веществ, преимущественно нефтепродуктов
Изобретение относится к способам очистки поверхности от углеводородных соединений, таких как нефть, нефтепродукты, смазки, технические и бытовые жиры и масла и может быть использовано, например, для химико-механизированной мойки технологических и транспортирующих емкостей и грунта

Изобретение относится к химическим способам очистки труднорастворимых отложений с внутренней поверхности трубного пространства теплообменных аппаратов производства карбамида

Изобретение относится к проблеме снижения солеотложений и накипеобразования в трубопроводах и теплообменной аппаратуре промышленных процессов с использованием водооборотных систем и может быть использовано в нефтехимической, химической, металлургической промышленности, а также на предприятиях промышленной энергетики

Изобретение относится к технологии очистки поверхностей от жидких углеводородов, например нефти и продуктов ее переработки, и может найти применение в различных отраслях промышленности

Изобретение относится к машиностроению, а именно к способам очистки внутренних полостей изделий
Наверх