Состав для очистки поверхности диэлектрика

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%: Алкилсульфонат натрия - 0,002 - 0,04 Гексаметафосфат натрия - 0,025 - 0,15 Ортофосфорная кислота - 0,05 - 0,10 Вода - До 100

Изобретение относится к средствам для очистки поверхности диэлектрика и может быть использовано при производстве гибридных интегральных схем. Цель изобретения повышение эффективности очистки. П р и м е р 1. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия (волгоната), гексаметафосфата натрия, ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,002; 0,15 и 0,05 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60^оС. После обработки подложку промывают в токе деионизованной воды в течение 1-1,5 мин, проверяют на качество очистки поверхности подложки по смачиваемости, сушат на центрифуге, отжигают при 250-300^оС в течение 10 мин, и далее подложка поступает на напыление, затем ее проверяют на качество адгезии поверхности ситалловой подложки к напыленной пленке. П р и м е р 2. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия, гексаметафосфата натрия и ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,02; 0,10 и 0,07 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60^оС. Далее проводят операции по примеру 1. П р и м е р 3. В деионизованной воде (удельное сопротивление 18 МОм) готовят раствор смеси алкилсульфоната натрия, гексаметафосфата натрия и ортофосфорной кислоты с концентрациями 0,04; 0,025 и 0,10 мас. соответственно. В полученный раствор погружают ситалловую пластину и отмывают ее в течение 10 мин при перемешивании раствора с помощью магнитной мешалки при 60^оС. Далее проводят операции по примеру 1.

Формула изобретения

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Способ обработки диарсенида кадмия-германия // 1282765

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологическом процессе обработки гомогенных монокристаллов диарсенида кадмиягермания

Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов дифторида бария // 1281085

Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем // 1277840

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии изготовления кремниевых приборов, и может быть использовано при обработке технологического процесса, а также при контроле качества эпитаксиальных структур

Способ анизотропного травления мезоструктур // 1266402

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных микросхем и подупроводниковых приборов, в частности к формированию мезоструктур "карманов" для кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Способ изготовления кремниевых мембран // 1266401

Устройство для жидкостной обработки полупроводниковых пластин // 1257730

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано, например , при химической обработке полупроводниковых пластин

Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах // 1228722

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ)

Способ изготовления рельефных кремниевых структур // 1228720

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении различных полупроводниковых приборов из кремния на основе рельефных структур, например чувствительных элементов преобразователей механических величин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин // 1222175

Процесс плазмохимического травления поликремния до кремния // 2110114

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Способ непрерывной жидкостной химической очистки поверхности, преимущественно полупроводниковых пластин // 2118013

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Устройство для микроволновой вакуумно-плазменной с электронно-циклотронным резонансом обработки конденсированных сред // 2120681

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Устройство для шлюзования // 2133521

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин // 2133997

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2133998

Способ непрерывного жидкостного химического снятия слоев полимеров с поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139593

Установка для химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин // 2139594

Способ просушивания кремния // 2141700

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости