Двухполярный источник опорного напряжения

 

Изобретение относится к вторичным источникам электропитания. Цель i изобретения - повьппение КПД и надежности двухполярного источника опорного напряжения путем снижения токопотребления и упрощения схемы. Цель достигается благодаря функциональному совмещению цепей задания стати-- ческого режима и термостабилизации опорных напряжений благодаря компенсадии отрицательного температурного дрейфа напряжения эмиттер - база транзисторов 3 и 2 положительным температурным дрейфом разности напряжений эмиттер-база транзисторов 4 и 5, работающих при различных плотностях эмиттерных токов. 1 ил. Q сл 0 Uont ю ел 00 Ьо

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО1.1ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (Ю11 4 G 05 F 1/585

g(р " щ Р 5 й

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

Н A ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3752885/24-07 (22) 12.06.84 (46) 07.03.87. Бюл. В 9 (71) Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина) (72) В.И., Анисимов, А.Б, Исаков,,М;В. Капитонов, К.П. Полянин и 10.М. Соколов (53) 621.316.722.1 (088.8) 1 (56) Авторское свидетельство СССР

У 1188720, кл. G 05 Г J/585, 1984.

Патент США - 4280090, кл. G 05 Р 1/56, 1981. (54) ДВУХПОЛЯРНЫЙ ИСТОЧНИК ОПОРНОГО

НАПРЯЖЕНИЯ

„„SU„„1295 0 А 1 (57) Изобретение относится к вторичным источникам электропитания, Цель изобретения — повышение КПД и надежности двухполярного источника опорного напряжения путем снижения токопотребления и упрощения схемы. Цель достигается благодаря функциональному совмещению цепей задания стати-ческого режима и термостабилизации опорных напряжений благодаря компенсации отрицательного температурного дрейфа напряжения эмиттер — база транзисторов 3 и 2 положительным температурным дрейфом разности напряжений эмиттер-база транзисторов 4 и

5, работающих при различных плотностях эмиттерных токов. 1 ил, 1295380,!

Изобретение относится к электротехнике и может найти. применение в различных устройствах автоматики и вычислительной техники, Цель изобретения — повышение КПД и надежности двухполярного источника опорного напряжения путем снижения тока потребления и упрощения схемы.

Иа чертеже приведена принципиальная электрическая схема двухполярного источника опорного напряжения, Двуяполярный источник опорного напряжения содержит управляемый источник 1 тока с единичным коэффициентом передачи тока, первый 2, второй 3, третий 4 и четвертый 5 транзисторы, первый 6, второй 7, третий 8 резисторы, причем вывод питания источника 1 соединен с входным выводом 9, выход источника 1 подключен к первому выходному выводу 10 и через резистор 6 соединен с эмиттером транзистора 3, коллектор которого соединен с коллектором и базой транзистора 4 и с базой транзистора

5, управляющий вход источника 1 соединен с коллектором транзистора 2, эмиттер которого через резистор 7 соединен с вторым. выходным выводом

11 и с. коллектором транзистора 5, базы транзисторов 2 и 3 соединены с общей шиной 12, а эмиттер транзистора 5 через резистор 8 соединен с эмиттером транзистора 4 и с вторым входным выводом 13.

Статический режим транзисторов двухполярного источника опорного напряжения задается следующим образом.

Транзисторы 4 и 5 выполняются с различными площадями переходов эмиттер — база Б, причем S =ЯЯ

N=3-10. Тогда при равенстве токов эмиттеров этих транзисторов, что обеспечивается повторителем тока, падение напряжения на прямосмещенных эмиттерных переходах транзисторов 4 и 5 отличается на д V 6=(p InN гдето =25 мВ при 25 С вЂ” температурный потенциал. Следовательно, токи эмиттеров транзисторов 2 — 5 определяются только отношением площадей эмиттерных переходов транзисторов

4 и 5 и сопротивлением резистора 8

Хз, =GU GИа, i 2 — 5.

Значения . опорных напряжений.7, и Ч „определяются соотношеоп ниями! 969 "AVэ R / 8 где R„- сопротивление i-го резистора;

V бг и U G — напряжения эмиттер— база транзисторов 2 и 3 соответственно.

Термостабилизация опорных напряй Voïl и Чопг осущ за счет компенсации отрицательного темпер атурного дрейфа напряжения эмиттер — база транзисторов 3 и 2 соответственно, положительным температурным дрейфом разности напряжений эмиттер — база транзисторов

4 и 5, работающих при различных плот.ностях эмиттерных токов, Термостабильность опорного напряжения достигается, если значение опорного напряжения равно экстраполированной ширине запрещенной зоны кремния при абсолютном нуле Ь (; o! = 1,2 В.

25 Предлагаемый двухполярный источник опорного напряжения имеет в несколько раз меньший ток потребления и со держит меньшее количество элементов по сравнению с известным. СущественЗр ное снижение тока потребления источника опорного напряжения при упрощении схемы и без ухудшения его точностных параметров достигается за счет функционального совмещения це 5 пей задания статистического режима и термостабилизации опорных напряжений, Кроме того, предлагаемый источ" ник опорного напряжения легко реализуется в полупроводниковом интег4р ральном исполнении.

Фор мула изобретения

Двухполярнь и исто чник. опор но го 5 напряжения, содержаший упр авляемый источник тока, первый, второй, третий и четвертый транзисторы, первый, второй и третий резисторы, причем выход управляемого источника

5р тока соединен с первым выходным выводом и с первым выводом первого резистора, база третьего транзистора подключена к базе четвертого транзистора, коллектор которого соеди5 HeH c BTopblM .выходным выводом H с первым выводом второго резистора, а эмиттер четвертого транзистора через третий резистор соединен с вторым входным выводом, о т,л и

3 1295380 4 ч а ю шийся тем, что, с целью входным выводом, вывод питания упповышения КПД и надежности .путем - равляемого источника тока соединен снижения тока потребления и упро- с первым входным выводом, управляющения схемы, второй вывод первого щий вход источника тока подключен резистора соединен с эмиттером вто- 5 к коллектору первого транзистора, рого транзистора, коллектор которо- база которого соединена с общей шиго соединен с коллектором и базой ной и с базой второго транзистора, третьего транзистора и с базой чет- а эмиттер первого транзистора соеди" вертого транзистора, эмиттер четвер- нен с вторым выводом второго реэистого транзистора соединен с вторым 10 тора, Составитель В. Есин

Редактор И, Шулла Техред Л. Сердюкова Корректор Н, 11уска

Заказ 617/54 Тираж 864 Подпи сно е

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4