Способ определения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков
Изобретение относится к технике {измерений на СЕЧ и обеспечивает повышение точности измерений. Способ заключается в том, что контролируемый материал (КМ) 9 облучают электромагнитной волной, линейно поляризо/Г ванной и изменяющейся по частоте. Волну формируют с помощью свип-генератора 2, волноводно-лучевого перехода 3 и блока 1 питания. При приеме с помощью вращателя 4 плоскости поляризации , анализатора 5, СВЧ-детектора 6 и блока 7 обработки измеряют эллиптичность провзаимодействовавшей с КМ 9 электромагнитной волны. При этом величина, пропорциональная отношению миним. значения к макс., поступает на индикатор 8. На вход блока 7 поступает опорное напряжение с вращателя 4 плоскости поляризации. Измерение азимута прошедшего излучения осуществляется сравнением фазы продетектированного и опорного сигналов. Его значение индицируется индикатором 8 только на частоте, при которой эллиптичность прошедшей волны принимает нулевое значение. Диэл. проницаемость КМ определяется по формуле, учитьгеакнцей значение азимута и угол падения электромагнитной волны на КМ. 2 ил. 9 4 (Л с tsD СО 05 О5 00
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (51) 4 С 01 К 27/26
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А BTOPCHQMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3934807/24-09 (22) 24.07.85 (46) 15.03.87. Бюл. М- 10 (71) Институт прикладной физики
АН БССР (72) В.А.Конев и С.А.Тиханович (53) 621.317.335.3(088.8) (56) Способ определения диэлектрической проницаемости при неизвестной абсолютной толщине диэлектрического материала. — Дефектоскопия. 1978, У 8, с. t06-109.
Способ измерения электрических параметров диэлектриков методом переменной частоты. — Дефектоскопия, 1978. Р 11. с.59-61. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ЛИСТОВЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (57) Изобретение относится к технике ! измерений на СВЧ и обеспечивает повышение точности измерений. Способ заключается в том, что контролируемый материал (КМ) 9 облучают электромагнитной волной, линейно поляризо„,Я0„„1296963 А 1 ванной и изменяющейся по частоте.
Волну формируют с помощью свип-генератора 2, волноводно-лучевого перехода 3 и блока 1 питания. При приеме с помощью вращателя 4 плоскости поляризации, анализатора 5, СВЧ-детектора
6 и блока 7 обработки измеряют эллиптичность провзаимодействовавшей с КИ
9 электромагнитной волны. При этом величина, пропорциональная отношению миним. значения к макс., поступает на индикатор 8. На вход блока 7 поступает опорное напряжение с вращателя 4 плоскости поляризации. Измерение азимута прошедшего излучения осуществляется сравнением фазы продетектироф ванного и опорного сигналов. Его значение индицируется индикатором 8 только на частоте, при которой эллиптичиость прошедшей волны принимает нулевое значение. Диэл. проницаемость KN определяется но формуле, учитывающей значение азимута и угол р падения электромагнитной волны на К)
КМ. 2 ил.
1296963
Изобретение относится к технике измерений на СВЧ.
Цель изобретения — повышение точности измерений.
На фиг.1 изображена структурная электрическая схема устройства, реализующего способ определения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков; на фиг.2 — зависимость эллиптичности и азимута от толщины контролируемого материала.
Устройство содержит блок 1 питания, свип-генератор 2, волноводнолучевой переход 3, вращатель 4 плоскости поляризации, анализатор 5, СВЧ-1 детектор 6, блок 7 обработки и инди катор 8.Способ определения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков реализуется следующим образом.
Контролируемый материал 9 облучают под углом линейно поляризованным
СВЧ-излучением, частота которого плавно меняется в диапазоне, определяемом диапазоном перестройки используемого свип-генератора 2.
Прошедшее через контролируемый материал 9 СЗЧ-излучение поступает в непрерывный вращатель 4 плоскости поляризации, состоящий из трех металлических зеркал, вращающихся вокруг оси распространения излучения с частотой 50 Гц, после чего проходит через поляризационный анализатор 5 и детектируется на СВЧ-детекторе 6. Про-3 детектированный сигнал поступает в блок 7 обработки, где происходит его усиление и измерение с помощью серийно выпускаемого многофункционального преобразователя КМП817ХА1 отношения
40 его минимального значения к максимальному. Величина полученного отношения равна tg y и индицируется индикатором 8. На второй вход блока 7 обработки поступает опорное напряжение с вращателя 4 плоскости поляризации. Измерение азимута прошедшего излучения осуществляется путем сравнения фазы продетектированного и опорного сигналов и его значение индицируется индикатором 8 только на частоте, при которой эллиптичность прошедшей волны принимает нулевое значение. Нулевое значение эллиптичности является сигналом разрешения для индикации индикатором 8 азимута прошедшей волны, по величине которой с помощью выражения (1) аналитически находят величину — диэлектрической проницаемости контролируемого материала 9.
1 ссР Х вЂ” cos 2
f --.(--Я--- )+
2 ctg Х cos>q — 1—
1 ctp Х- соР q < ctL. Х sin 1
+ » ««аФ» а) + — «Я — — — -- — (1) — .4 ctg Х cos P — 1 ctg Х cos Ф вЂ” 1 где Х вЂ” азимут провзаимодействовавшей с контролируемым материалом электромагнитной волны; угол падения электромагнитной волны на контролируемый материал.
Формула изобретения
Способ определения диэлектрической проницаемости листовых диэлектриков, включающий облучение контролируемого материала электромагнитной волной, линейно поляризованной и изменяющейся по частоте, и прием про- взанмодействовавшей с контролируемым материалом электромагнитной волны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, измеряют эллиптичность провзаимодействовавшей с контролируемым материалом электромагнитной волны, фиксируют значение частоты, соответствующее минимальной эллиптичности, измеряют на этой частоте азимут (Х) провзаимодействовавшей с контролируемым материалом электромагнитной волны, а диэлектрическую проницаемость (Е) контролируемого материала определяют по формуле
1 ct Х -cos2
2 ctg Х cos W — 1
1 сся Х- cos % ctg Х sin*Ч
+ (- ) + — 4 ctg Х cos t — 1 ctg Х cos - 1 где У вЂ” угол падения электромагнитной волны на контролируемый материал.
1296963
X, aped
ВО f28 НО Юд,Ф, еред
Фи@2
Составитель В.Еаов
Техред M.Ходаиич Корректор С.йекмар г
Редактор А.Ревин
Заказ 774/48 - Тира к 731 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раувская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r..Óêãîðoä, ул.Проектная, 4
