Регулируемый резистор

 

Изобретение обеспечивает уменьшение нелинейных искажений. Регулируемый резистор содержит полевые транзисторы (ПТ) 1 и 2, конденсаторы 3 и 4, резистивный делитель 5 напряжения (РДН), элементы 6 и 7 сравнения (ЭС) и источник 8 управляющего напряжения. Регулируемый резистор меняет свое сопротивление за счет изменения сопротивлений ПТ 1 и 2. С РДН 5 через конденсаторы 3 и 4 на затворы ПТ I и 2 для уменьшения нелинейных искажений подается половина выходного переменного напряжения , так как по постоянному току затворы ПТ 1 и 2 разделены, то каждый из них управляется собственным управляющим напряжением от отдельного ЭС по собственному закону. Для того, чтобы ЭС 6 и 7 не шунтировали по переменному току резисторы РДН 5, их выходные сопротивления выбраны много больше, чем сопротивления резисторов . 2 ил. с (О С/)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

21 А1 (191 (111 (50 4 Н 03 G 3/30

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

lф

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н Д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ (21) 3827133/24-09 (22) 17.12.84 (46) 15.03.87. Бюл. № 10 (72) Л.N,ÃHíçáóðã (53) 621.396.662(088.8) (56) Крисилов !О.Д. Автоматическая регулировка и стабилизация усиления транзисторных схем. N.: Советское радио, 1972, с. 157, рис. 3.30.б.

Active circuits, R.Caprio †Ч.Tassinary, Telletra, Techical information bulletin. Nilano, Italy, 1975, ¹ 27, р. 31-45. (54) РЕГУЛИРУЕМЫЙ РЕЗИСТОР (57) Изобретение обеспечивает уменьшение нелинейных искажений. Регулируемый резистор содержит пблевые транзисторы (ПТ) 1 и 2, конденсаторы 3 и 4, резистивный делитель 5 напряжения (РДН), элементы 6 и 7 сравнения (ЭС) и источник 8 управляющего напряжения. Регулируемый резистор меняет свое сопротивление за счет изменения сопротивлений ПТ 1 и 2. С РДН 5 через конденсаторы 3 и

4 на затворы ПТ 1 и 2 для уменьшения нелинейных искажений подается половина выходного переменного напряжения, так как по постоянному току затворы ПТ 1 и 2 разделены, то каждый из них управляется собственным управляющим напряжением от отдельного ЭС по собственному закону. Для того, чтобы ЭС 6 и 7 не шунтировали по переменному току резисторы РДН 5, их выходные сопротивления выбраны много больше, чем сопротивления резисторов. 2 ил.

3 129721

Изобретение относится к управляемым полупроводниковым резисторам, предназначено для использования в цепях автоматической регулировки усиления (АРУ) многоканальных систем передачи и может быть использовано в тех случаях, когда регулируемый резистор должен иметь минимальные нелинейные искажения.

Целью изобретения является умень- Ю шение нелинейных искажений.

На фиг.1 показана принципиальная электрическая схема предлагаемого регулируемого резистора; на фиг.2 зависимости выходного напряжения 15 элементов сравнения от упра:вляющего напряжения.

Регулируемый резистор содержит полевые транзисторы 1 и 2, первый и второй конденсаторы 3 и 4, резис-. 20 тивный делитель 5 напряжения, элементы 6 и 7 сравнения с соответствующим опорным напряжением, и источник

8 управляющего напряжения.

Регулируемый резистор работает следующим образом.

Регулируемый резистор меняет свое сопротивление за счет изменения и сопротивлений полевых транзисторов

1 и 2. С отвода резистивного дели- ЗО теля 5 напряжение через конденсаторы 3 и 4 на затворы полевых транзисторов il и 2 для уменьшения нелинейных искажений подается половина выходного переменного напряжения. Однако по постоянному току затворы полевых транзисторов 1 и 2 разделены и каждый транзистор управляется собственным управляющим напряжением от отдельного элемента сравнения но gg собственному закону. Для того, чтобы элементы 6 и 7 сравнения не шунтировали по переменному току резис торы резистивного делителя 5 напряжения, их выходные сопротивления выбраны много большими, чем сопротивление резисторов.

Известно, что чем ближе сопротивление полевого транзистора к его минимальному значению при данном на- gg пряжении на нем, тем выше затухание нелинейности. Иэ этого следует, что чем меньше кратность изменения сопротивления полевого транзистора, тем выше затухание нелинейности. Поэтому, снизив кратность изменения сопротивлений полевых транзисторов (без уменьшения требуемой кратности изменения сопротивления регулируемого о 2 резистора) можно увеличить затухание нелинейности регулируемого резистора.

В регулируемых резисторах усилителей многоканальных систем передачи кратность изменения сопротивления как правило равна 7. При этом минимальное затухание нелинейных искажений (т.е. худший случай),получается при максимальном сопротивлении полевых транзйсторов

«макс 7 «мин где r „„ — минимально возможное сопротивление для данного типа полевых транзисторов (ПТ), Ом;

« — максимально необходимое сопротивление ПТ, Ом;

7 — необходимая кратность изменения сопротивления.

Обычно необходимая кратность регулируемого резистора обеспечивается изменением сопротивлений двух параллельно включенных полевых транзисторов, каждый из которых меняет свое сопротивление от r», до 7 r „н . Hpè этом общее сопротивление регулируемоrî резистора изменяется от RM<„ до макс

«мин

)

1 гце RÄÄÄ вЂ” минимальное значение общего сопротивления регулируемого резистора, Ом;

В „ — максимальное значение общего сопротивления регулируемого резистора, OM.

В устройстве весь диапазон изменения сопротивления регулируемого резистора разбит на два поддиапазо— на. В пределах каждого подциапазона только один полевой транзистор обеспечивает изменение сопротивления регулируемого резистора.

Первый поддиапазон обеспечивается изменением сопротивления регулируемого резистора одного полевого транзистора от 3,5 « „„ до « т.е. в 3,5 раза. Сопротивление другого полевого транзистора при этом равно бесконечности. Общее сопротивление двух параллельно включенных полевых транзисторов при этом, учитывая значение (2), будет меняться

R„„„po 2 мин, т.е. то же.в

3,5 раза.

fJ zambia

;Ю . ерВоео

oonetoz лтриюис

mopa f

У gomE (W

lmopoz юо еУе

m r ЗОЙ

mopa

u .fa) 6 угроз fit) фи.Р Z

ВНИИПИ Заказ 794 ТиРаж 902 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 12972

Второй поддиапазон обеспечивается изменением сопротивления другого по-. левого транзистора от бесконечности до r„„„ . Сопротивление одного полеВОГО транзистОра прН этОм равно r

Общее сопротивление при этом будет нятьс. от 2 R „„po R „„т в 2 раза. Таким образом, осуществляя поочередное управление полевыми транзисторами, возможно изменить об- 1р щее сопротивление регулируемого резистора в те же семь раз, т.е. от

7 R»„no „„„°

В первом поддиапазоне затухание нелинейности регулируемого резистора велико потому, что другой полевой транзистор имеет сопротивление, равное бесконечности, ток через неFo не идет (он зашунтирован одним полевым транзистором), поэтому затуха"ние нелинейности регулируемого резистора он не уменьшает. А один полевой транзистор изменяет свое сопротивление только в 3,5 раза от г „„, а не в 7 раз как в известном. 25 .Во втором поддиапазоне затухание нелинейности регулируемого резистора велико потому, что один полевой транзистор имеет минимальное сопротивление, а другой пока его сопро-30 тивление намного больше, чем r шунтируется первым полевым транзистором и не уменьшает общее затухание нелинейности. Уменьшение затухания нелинейности одного полевого транзистора 1 за счет другого полевого транзистора наступает тогда, когда он начинает отвлекать через .себя часть общего тока. Но это произойдет

1 лишь тогда, когда его сопротивление 40 приблизится к сопротивлению перво1

ro полевого транзистора, равному во втором поддиапазоне г„„„, т.е. тогда, когда собственное затухание нелинейности станет большим.

Таким образом, если регулировать сопротивление полевых транзисторов поочередно, то затухание нелинейности регулируемого резистора можно увеличить. Поочередное управление в зависимости от напряжения на выходе источника управляющего напряжения осуществляют элементы 6 и 7 сравнения за счет того, что их первые входы соединены с источником управляющего напряжения, а на вторые входы поданы различные опорные напряжения

Б<я„и У

Формула изобретения

Регулируемый резистор, выполненный на полевых транзисторах, объединенные стоки которых являются первым выводом, а объединенные истоки — вторым выводом регулируемого резистора, а также первого и второго конденсаторов и источника управляющего напряжения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений, между выходом источника управляющего напряжения и затвором каждого из полевых транзисторов включен элемент сравнения с соответствующим опорным напряжением, между первым и вторым выводами регулируемого ре-. зистора включен резистивный делитель напряжения, а первый и. втброй конденсаторы включены между отводом резис тивного делителя напряжения и затворами соответствующих полевых транзисторов °