Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)00100-00x(aln)00x

Авторы патента:

C30B23/02 - выращивание эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)_4-x(AlN)_x методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса. Изобретение заключается в том, что сублимацию ведут из источника, в качестве которого используют поликристаллические спеки SiC+AlN, при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiC - 20-80, AlN - остальное.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллических эпитаксиальных слоев многокомпонентных полупроводниковых соединений, используемых для создания опто- и акустоэлектрических устройств. Целью изобретения является получение совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35-0,9 и удешевление процесса. П р и м е р. Выращивание монокристаллических эпитаксиальных слоев (SiC)_1-x(AlN)_x на подложке Al₂O₃ из источника с содержанием, в мас. AlN 40 и SiC 60. Источник помещают на дно контейнера из карбида циркония, а подложку Al₂O₃ располагают над источником на расстоянии приблизительно 1-3 мм. Температура процесса 2000^oC регулируется с помощью высокочастотного регулятора температуры ВРТ 3. Выращивание проводится в атмосфере, содержащей 70 об. Ar и 30 об. N₂. Скорость роста слоев составляет приблизительно 50 мкм/час. Состав полученных эпитаксиальных слоев (SiC)_0,45(AlN)_0,55 определяют на микроанализаторе "Geoscan". Ширина запрещенной зоны полученного твердого раствора составляет 4,8 эВ. Применение в качестве тигля для выращивания контейнера из карбида циркония позволяет проводить процесс в обычной высокотемпературной печи с графитовым нагревателем. Способ обеспечивает получение слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9.

Формула изобретения

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)₄_-_x(AlN)_х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100^oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас. SiC 20 80 AlN Остальное

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 14-2002

Извещение опубликовано: 20.05.2002

Патент 341519 // 341519

Способ получения монокристаллических пленок олова // 282298

Способ кристаллизации углерода // 117544

Способ получения высокочистых кристаллических соединений и устройство для его осуществления // 2143014

Способ приготовления шихты для получения твердых растворов халькогенидов свинца и олова парофазными методами // 2155830

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния // 2163273

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния

Устройство для формирования многослойных структур // 2175692

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln // 2260636

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Буля нитрида элемента iii-v групп для подложек и способ ее изготовления и применения // 2272090

Способ выращивания тонкой монокристаллической пленки, светоизлучающее устройство на основе ga2o 3 и способ его изготовления // 2313623

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике

Способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x // 2333300

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC)

Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия // 2372101

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов

Тигель для выращивания монокристаллического слитка карбида кремния с нитридом алюминия и гетероструктур на их основе // 2425914

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)00100-00x(aln)00x