Устройство для замера уровня расплава в тигле

 

.Класс 4Ра 465о ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписнпя арг1ггггп X 151

Г. В. Никитина и В. H. Романенко

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАМЕРА УРОВНЯ РАСПЛАВА В ТИГЛЕ

Заявлено 26 октября 1969 г. за М 642137/22 в Когвигет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в Г>голлетене изобрете,нпй> X 14 за 1960 г.

В существующей промышленной и лабораторной практике нет пригодных устройств и точных методов для измерения уровня расплава металла в тигле, удовлетворяющих высоким требованиям чистоты прг! вытягивании полупроводных монокристаллов, Описываемое устройство позволяет контролировать уровень расплава в тигле с полупроводниковых! материалом и способствует предотвращению загрязнения расплава, так как определение положения уровня расплава и дача си гнала автоматизации управления процессом осуществлякгтся при помощи емкостного датчика расстояний, выполненного в виде плоского конденсатора, я не при помощи механического конт!!ктя датчика с расплавом.

1-1я чертеже схематически изображено предлагаемое устройство, в обгцем виде.

Одной из оокладок плоского конденсатора является расплав 1, другой — горизон гальная пластина 2, защищенная от воздействия паров расплава кварцевой прокладкой 3 (для случаев расплава тугоплавкнх полупроводников, подобны.; кремнию, реагирующих почти со всеми материалами, кроме некоторых окислов) и прикрепленная к вертикальному штоку 4, перемегцающемуся вдоль оси в вертикальном направлении при помоши реверсивного электродвигателя (стрелкой Л отмечено направление к двигателю) .

Пластина изготавливается из графита пли тугоплавкого металла, например тантала, игти из полупроводникового материала, аналогичного находящемуся l3 тигле. Токоподвод к пластине осуществляется при помощи гибкой узкой танталовой ленты через вакуумные вводы 5, я к распляву — через растущий кристалл 6 или же через конденсаторную пластину 7, аналогичную пластине 2. Со штоком жестко связан дер:катель 8 термопяры, предназначенной для замера температуры расплава и пе соприкасающейся с последним.

При гизменении урозня расплава меняется емкость конденсатора, что в свою очередь вызывает сигнал, который подается на одну из обмоток, автоматически включающих при этом двигатель. Последний выключается, когда емкость ко|нденсаторя приобретает первоначальное значение. Таким образом происходит регулирование проиесс вытягивания полупроводниковых монокристаллов, Преобразование и зменения емкости в сигнал осуществляется по одной из широко известных радиотехнических схем, Предмет изîonетения

1. Устройство для замера уровня расплава в тигле при вытягивании монокристаллов, о тл и ч а lo ш е е с я тем, что, с целью устранения возможности загрязнения расплава, оно выполнено ь виде плоского конденсатора, одной из обкладок которого является расплав, я другой — горизонтальная пластина, прикрепленная к вертикальному штоку, перемещающемуся вдоль оси 3 вертикальном направлении при помощи реверсивното электродвигателя, автоматически включающегося при изменении емкости конденсатора, обеспечиваюшего поддержание ее постоя иной.

2. Устройство по п. 1, отл ич а юще ес я тем, что га подвижной пластинке закреплена термопара, предназначенная для замера температуры расплава и не соприкясаюшаяся с последним.

Редактор Л. М. Струве Техред A. А. Камышиикова Корректор Г. Е. Кудрявцева

Зак. 5953 Цена 25 коп. Тираж 7 )0

Поди. к печ. 2Х11-60 г. Формат бум. 70 (108 /i6 Объем 0,17 п. л.

Информационно-издательский отдел Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР, Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Минисгров СССР

Москва, Петровка, 14.

Устройство для замера уровня расплава в тигле Устройство для замера уровня расплава в тигле 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройству для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к производству, для управления процессом выращивания монокристаллов из расплава по методу "Чохральского" и может быть использовано в полупроводниковом производстве, для получения монокристаллических слитков германия

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского

Изобретение относится к области выращивания крупногабаритных монокристаллов с использованием двойного тигля и подпитки расплава исходным материалом

Изобретение относится к технологии получения кристаллов и монокристаллов полупроводниковых и металлических материалов и может быть использовано при получении кристаллов для изготовления микроэлектронных приборов

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура в платиновый тигель, создание необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного градиентом температуры 1-2 град/см над расплавом, скачком в 2-3 град на границе раздела воздух-расплав, повышением температуры на 2-3 градуса до глубины 2 см и постоянством температуры по всей оставшейся толщине расплава, нахождение равновесной температуры при касании затравочным кристаллом поверхности расплава, рост кристалла при его вращении и вытягивании с заданным изменением площади поперечного сечения с использованием системы весового автоматического контроля и нагревательной печи с четырьмя независимыми нагревательными элементами по вертикали, отрыв кристалла от расплава и охлаждение кристалла до комнатной температуры, при этом используют печь, в которой средние нагревательные элементы выполнены в виде трех одинаковых сегментов по 120 градусов каждый, а рост кристалла ведут в условиях неоднородного радиального разогрева расплава повышением на 1-2 градуса температуры в 120-градусном секторе в нижней части ростового тигля. Изобретение позволяет получить крупногабаритные кристаллы парателлурита (массой до 1,8 кг) с пониженным светорассеянием и полностью свободные от газовых включений. 2 н. п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 1 пр.
Наверх