Селеновый фотоэлемент

Авторы патента:

H01L31/0296 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe

№ 132664

Класс 21а, 32.0

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная zpgnna № 8с

Иностранцы

Пауль Герлих, Альфред Крос и Гизберт Дицель (Германская Демократическая Республика) СЕЛЕНОВЫЙ ФОТОЭЛЕМЕНТ

За>(влево 3 декабря 1959 г. за ¹ 616051(26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Советс Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изоорстс(IHA» ¹ 20 за 1960 г.

Предмет изобретения

Селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и один или несколько дополнительных слоев, о т л и ч а ю щ и и " я тем, что, с целью

Известные методы воздействия на спектральное распределение чувствительности фотоэлементов не Осеспсчивают достаточного повышения чувствительности во всех областях спектра.

Предлагаемый селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и один или несколько дополнительных слоев, отличается повышенной чувствительностью. Это достигается тем, что между этими слоями нанесены разделительные слои из диэлектрика или из полупроводника, предназначенные для уменьшения взаимной диффузи(и материалов основного и дополнительного слоев.

Схематическое изсоражение конструкции описываемого фотоэлемента дано на чертеже.

На основной слой вЂ” пластинку 1 нанесен селеновый =лой 2. Этот слой покрыт разделительным слоем 8 из фторнстого кальция, на который в целях повышения чувствительности фотоэлемента нанесен методом катодного распыления или испарения промежуточный слой 4 из индия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачныи электрод

5, представляющий собой слой нз металла или полупроводникового материала. Разделительный слой 8 в данном случае служит для уменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4 в селеновый слой 2.

Описанная конструкц(ия позволяет значительно повысить чувст(вительность фотоэлемента не только в видимой области спектра, Но и в ближайшей инфракрасной области. повышения чувствительности, между этими слоями нанесены разделительные слои из изолятора (например, из фтористого кальция) или из полупроводника (например, нз какого-либо галогенида тяжелого металла), уменьшающие взаимную диффузи1о материалов основного и дополнительных слоев.

,? 7

Формат бум. 70 108 /)g Объем 0,17 п. л.

Тираж 700 Цена 25 коп.; с 1.1-61 г. -- 3 коп.

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Редактор H. С. Кутафина

Нодп. к печ. 6.XII-60 г.

Зак. 9891

Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Г. Е. Кудрявцева

Селеновый фотоэлемент // 122220

Фотоэлемент вентильного типа // 44288

Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531

Фоточувствительная структура // 2373606

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке фотоприемников инфракрасного (ИК) излучения на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути (КРТ)

Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления // 150951

Вентильный фотоэлемент // 168370

Селеновый фотоэлемент // 199283

Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках // 380684

Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения // 1436794

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×1016 см-3 при 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитаксиальных слоев. 1 табл.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.