Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем.

 

Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем. Способ золочения каршдлизобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.описываемый способ золочения карбида кремния il - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление. достигается зто тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя золота гальваническим путем. 



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к способам получения композиционных электрохимических покрытий на основе золота
Изобретение относится к медицине, а именно к области стоматологии, и может быть использовано при изготовлении зубных протезов для нанесения золотых покрытий на металлические каркасы

Изобретение относится к области гальваностегии, в частности, к способу получения основного компонента бесцианистого злектролита золочения - сульфитного золотосодержащего препарата в твердом состоянии
Изобретение относится к медицине, а именно к стоматологии
Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин. Электроосаждение меди проводят из электролита меднения, содержащего сульфат меди, спирт этиловый, этилендиамминтетрауксусную кислоту (ЭДТУ), лаурилсульфат аммония и аммиак в виде водного раствора. Электролит меднения не содержит ионов щелочных металлов и пригоден для нанесения слоев меди на подслой меди, кобальта или его сплавов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 пр.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления полупроводников. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, включает: а) контактирование с подложкой электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы I где каждый радикал R1 независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер, каждый радикал R2 независимо выбирается из R1 или алкила, Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z)m, где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена, n представляет собой целое число, больше или равное 0, m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%, и b) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента субмикронного размера. Технический результат: получение равномерного покрытия без пустот и швов. 9 з.п. ф-лы, 6 пр., 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия. Кроме того, иридиевые покрытия пригодны для защиты электрических контактов, работающих в условиях эрозионного износа, для защиты металлов от коррозии, в том числе при повышенной температуре. Способ приготовления электролита для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия включает растворение в деионизированной воде сульфаминовой кислоты и гексахлориридиевой кислоты при термообработке раствора на водяной бане с температурой 100 °C, при этом растворяют 30-60 г/л сульфаминовой кислоты и 3,0-6,5 г/л гексахлориридиевой кислоты в пересчете на иридий, а термообработку раствора проводят в течение 3-4 часов до перехода исходной окраски раствора в устойчивую оранжево-желтую, после чего раствор охлаждают, фильтруют и добавляют деионизированную воду до исходного содержания иридия. Техническим результатом является повышение качества покрытий с высоким выходом по току и высокой термической и атмосферной устойчивостью. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 табл., 1 ил.

Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, который содержит источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, который получают путем реакции аминного соединения, содержащего активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем указанный подавляющий агент имеет молекулярную массу 6000 г/моль или более, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%. Также предложен способ электролитического нанесения металлического слоя на подложку путем контакта электролитической ванны для нанесения металлического слоя, содержащей упомянутый состав, с подложкой, и создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для нанесения металлического слоя на подложку. Изобретения позволяет получить слой покрытия, обеспечивающий беспустотное заполнение элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил., 8 пр.

Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, содержащий источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, полученный путем реакции аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%. Также предложен способ электролитического нанесения металлического слоя на подложку путем контакта электролитической ванны для нанесения металлического слоя, содержащей упомянутый состав, с подложкой, и создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для нанесения металлического слоя на подложку. Изобретения позволяют получить слой покрытия, обеспечивающий беспустотное заполнение элементов поверхности нанометрового и микрометрового масштаба. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 15 ил., 1 табл., 12 пр.

Изобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление

Наверх