Способ получения пленок твердых растворов и устройство для его осуществления

 

1. Способ получения пленок твердых растворов, включающий напыление на подложку из молекулярного пучка элементов твердого состава, образуемого при их нагреве в источниках, в сверхвысоком вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения пленок с заданным профилем химического состава по толщине, на поверхность растущей пленки направляют монохроматический электронный пучок с энергией, в 1,5-3 раза превышающей энергию возбуждения характеристического рентгеновского излучения наиболее тяжелого химического элемента твердого раствора, под углом к поверхности подложки 1-5o, регистрируют возбуждаемый в поверхностном слое пленки спектр рентгеновского излучения, сравнивают отношение интенсивностей характеристических линий элементов с заданными величинами и корректируют температуры испарителей.

2. Устройство для получения пленок твердых растворов, включающее вакуумную камеру с системой испарителей для элементов твердого раствора, манипулятор для закрепления подложки, снабженный нагревателем, электронную пушку и управляющую ЭВМ, выход которой подключен к входу системы управления температурой испарителей и подложки, отличающееся тем, что, с целью получения пленок с заданным профилем химического состава по толщине, устройство снабжено системой регистрации рентгеновского излучения растущей пленки, для вывода которого камера снабжена окном из бериллиевой фольги толщиной 10-100 мкм, выход системы подключен к входу ЭВМ, а электронная пушка установлена так, что ее оптическая ось пересекает поверхность пленки под углом 1-5o.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза

Изобретение относится к усовершенствованному тиглю из нитрида бора и способу его получения

Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений

Изобретение относится к технологии получения интегральных микросхем и обеспечивает упрощение устройства и регулирование угла наклона

Изобретение относится к технике нанесения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и обеспечивает повышение производительности и качества выращиваемых структур

Изобретение относится к получению тонких пленок методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Наверх