Полупроводниковый прибор

 

Изобретение относится к устройствам преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и Изобретение относится к устройствам для преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и может быть использовано в радиотехнике, электронике, в интегральных схемах для подачи постоянного электрического напряжения на отдельные узлы схемы. Цель изобретения - преобразование переменн9го электрического напряжения в постоянное. На чертеже показан предлагаемый прибор. Он содержит полупроводниковую пластину 1, первый и второй металлические электроды 2 и 3, изолированные от пластины слоями 4 и 5 диэлекможет быть использовано в радиотехнике и электронике. Цель изобретения - преобразование переменного электрического напряжения в постоянное. Полупроводниковый прибор вьтолнен на основе барьера Шоттки. На одной стороне полупроводниковой пластины расположен изолированный полевой электрод , а на другой симметрично первому электроду расположен аналогичный второй электрод, и два электрода, расположенные в ряд и образз тощие с пластиной омические .контакты. Расстояние между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт, определено соотношением. Пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление которого определено соотношением Ср 0,2. 1 ил 10 (Л трика, электроды 6 и 7, образующие с пластиной омические контакты. Был изготовлен полупроводниковый прибор, в котором кремниевая пластина , п-типа проводимости имела удельное сопротивление 0,1 Ом-м и. размеры 20x10x0,5 мм. Изолированные металлические электроды были изготовлены из латуни с размерами 10x10 мм. Электроды 6 и 7 выполнены из вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм, при этом расстояние мм, Формула изобретения Полупроводниковый прибор на основе диода с барьером Шоттки, содержа

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Д1)g Н 01 L 29/68

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPGH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 3925214/24-25 (22) 05,07,85 (46) 15.03.90. Бюл. N - 10 (71) Рижский Краснознаменный институт инженеров гражданской авиации им, Ленинского комсомола (72) Э.Э.Аболтиньш,И.С.Эоловина и Х,И.Кугель (53) 621.382(088.8) (56) Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводникдиэлектрик. M. Энергия, 1976, Федотов Я,А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1969, с. 171. (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЬИ ПРИБОР (57) Изобретение относится к устройствам преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и

Изобретение относится к устройствам для преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и может быть использовано в радиотехнике, электронике, в интегральных схемах для подачи постоянного электрического напряжения на отдельные узлы схемы, Цель изобретения — преобразование переменнрго электрического напряжения в постоянное.

На чертеже показан предлагаемый прибор, Он содержит полупроводниковую пластину 1, первый и второй металлические электроды 2 и 3, изолированные от пластины слоями 4 и 5 диэлек„„SU„„1308119 А 1

2 может быть использовано в радиотехнике и электронике. Цель изобретения— преобразование переменного электрического напряжения в постоянное, Полупроводниковый прибор выполнен на основе барьера Шоттки. На одной стороне полупроводниковой пластины расположен изолированный полевой электрод, а на другой симметрично первому электроду расположен аналогичный второй электрод, и два электрода, расположенные в ряд и образующие с пластиной омические контакты. Расстояние между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт, определено соотношением, Пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление которого определено соотношением 10 < (р (0 2 ° 1 ил, трика, электроды 6 и 7, образующие с пластиной омические контакты.

Бып изготовлен полупроводниковый прибор, в котором кремниевая пластина, п-типа проводимости имела удельное сопротивление 0 1 Ом м и размеры 20х10х0,5 мм. Изолированные металлические электроды были изготовлены из латуни с размерами 10х10 мм.

Электроды 6 и 7 выполнены из вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм, при этом расстояние 1. — 1 мм, Формула изобретения

Полупроводниковый прибор на основе диода с барьером 1!!оттки, содержа1308119

dL = (2n + 1}

Л

4 где и .= О 1,2...,, ъ — длина волны деформации кристаллической решетки кремниевой пластины.

Составитель В.Хайновский

Редактор Т,Горячева Техред М.Ходанич - Корректор Т- Иал ец

Заказ 992 Тираж 444 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 с щий полупроводниковую пластину, на одной стороне которой .расположен первый металлический электрод, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью преобразования переменного электрического напряжения в постоянное,пластина выполнена иэ кремния, удельное сопротивление р которого определено следующим неравенством 1xl0 (р <0,2, 10 между первым металлическим электродом и пластиной сформирован слой диэлектрика, на противоположной стороне пластины расположены симметрично первому электроду второй электрод, отде- 15 ленный от полупроводниковой пластины слоем диэлектрика, а также два электрода, расположенные в ряд, и обра- . зующие с пластиной омические контакты при этом расстояние dL между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт с пластиной, определено соотношением

Полупроводниковый прибор Полупроводниковый прибор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к элементам микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резонатора в устройствах микро- и наноэлектроники как элемент, стабилизирующий несущую тактовую частоту

Изобретение относится к полупроводниковым переходным приборам, в частности к стабилитронам с регулировкой рабочего тока, и может быть использовано в многопереходных полупроводниковых приборах - биполярных транзисторах или тиристорах

Изобретение относится к электронной технике
Наверх