Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников

 

Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта Холла и магниторезистивного эффекта. Цель .- повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик за счет выполнения в устройстве рабочего канала 2 прямоугольного сечения с выемками по оси корпуса, в которых имеются отверстия 6 для холловских и токовых зондов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. 3 Ш1, 1 табл. I (Л оо о 00 со О5 ю

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (I91SU(ii> 1 (51) 4 G 01 R 33/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР 10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3909528/24-21 (22) 13.06.85 (46) 07.05.87. Бюл. № 17 (71) Московский институт электронной техники (72) В.M.Ãëàçoâ, В.Б.Кольцов и В.А.Курбатов (53) 621.317.44 (088.3) (56) Казанджан Б.И., Лобанов А.А., Селин Ю.Н. Прецизионная ячейка для измерения эффекта Холла. — Заводская лаборатория, 1972, т.38, ¹ 7, с.884-885.

Казанджан Б.И., Лобанов А.А. и др.

Устройство для измерения электрофизических расплавов при высоких температурах (У-2): Труды Московского энергетического института, 1975,. с.65-67. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ГАЛЬВАH0MAI HHTHbE ХАРАКТЕРИСТИК РАСПЛАВОВ

ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (57) Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта

Холла и магниторезистивного эффекта.

Цель — повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик за счет выполнения в устройстве рабочего канала 2 прямоугольного сечения с выемками по оси корпуса, в которых имеются отверстия 6 для холловских и токовых зондов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. д

3 ил, 1 табл.

5 4

2 2 щие провода. Шлифы в верхней части позволяют предотвратить утечку исследуемого вещества при высоких температурах.

На предлагаемом устройстве получены результаты по исследованию температурной зависимости эффекта Холла на высокоомных соединениях при фазовом переходе кристалл-расплав.

В таблице представлены экспериментальные данные, характеризующие изменение относительного сопротивления

К /R от отношения длины устройства к ширине, а в соответствии с этим представлены экспериментальные данные по подвижности носителей в точке плавления (в жидкой фазе), полученные из данных по Холл-эффекту и магнитосопротивлению.

Таким образом, учитывая ошибку эксперимента, можно отметить, что отношение 1:3 является наиболее оптимальным.

Формула и з обретения

Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, содержащее цилиндрический корпус из изоляционного материала, в котором расположен рабочий канал прямоугольного сечения, проходящий через ось симметрии корпуса, загрузочную емкость со шлифами и отверстия для подвода холловских и токовых зондов, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения точности измерения, боковая поверхность рабочего канала выполнена с противолежащими симметричными выемками, расположенными на оси корпуса с отверстиями для потенциальных зондов, а торцы канала выполнены с выемками большего сечения, чем сечение рабочего канала по ширине и высоте для токовых зондов, причем длина рабочего канала относится к его ширине как 1:3.

1 130896

Изобретение относится к устройствам для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников, в частности эффекта

Холла и магниторезистивного эффекта.

Цель изобретения — повышение точности измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников за счет выполнения щелевидного рабочего канала прямо- 10 угольной формы с выемками, расположенными по оси корпуса, в которых имеются отверстия для холловских контактов, при соотношении длины рабочего канала к ширине 1:3. 15

На фиг.1 и 2 представлено устройство для исследования гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников на Фиг 3 разрез А-А на фиг.1 и 2. 20

Устройство представляет собой цилиндрический корпус 1, выполненный из изоляционного тугоплавкого материала карбонитрида бора, с внутренним рабочим каналом 2 прямоугольного

25 сечения с выемками 3, в верхней части устройства предусмотрена емкость

4 для загрузки исследуемого вещества, которое после плавления заполняет рабочий канал 2, и шлифты 5, для rep- 30 метиэации внутреннего объема. В нижней и верхней частях рабочего канала имеются отверстия 6 для подвода пары зондов (холловских), В боковых стенках канала, диаметрально противопо- 35 ложно, имеются отверстия 7 для токовых зондов, превышающие по длине ширину рабочего канала. В устройстве предусмотрены каналы 8 и 9, для закладки термопар и токовых проводов. 40

Устройство имеет конструкцию, которая позволяет изготовлять его серийно методом точного керамического литья, без какой-либо последующей доработки, выполненное в виде единого монолитно- 45 го тела, снабженного каналами на боковой поверхности, которые позволяют надежно фиксировать все подводя1308962

Отношение длины к ширине

1:а

Значение относитель2 — 2,0 2,0 2,0

2,0 2,24 4,2

Значение подвижности из данных магнитосопротивлению см ного сопротивления

Ra Ro

Значение подвижности из данных по Холлу з см

0 ° 10

71 41 21 1:1 12 127 13 134 14 15

24 51 72 99 10 104 128 14

1 - 1,05 1,42 1,83 2,0 2,0 2,0 2

1308962

Составитель Г.Павлов

ТехРеД H,Попович КоРРектоР А.ОбРУчаР

Редактор М. Бланар

Заказ 1795/38

Тираж 731 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãîðoä, ул.Проектная,4

Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников Устройство для измерения гальваномагнитных характеристик расплавов высокоомных полупроводников 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для магнитных измерений и предназначено для прецизионного измерения в широком диапазоне индукции постоянных магнитных полей

Изобретение относится к магнитным измерениям, в частности к измерению пространственного распределения магнитного поля в магнитных системах

Изобретение относится к области магнитоизмерительной техники и может быть использовано для измерения слабых импульсных(неоднородных и посто;янных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к магнитным измерениям, в частности к измерению магнитной индукции в малых зазорах , и может быть использовано для измерения поперечного магнитного по/ « t ля в зазоре контактов электрического коммутационного аппарата, например контактора

Изобретение относится к магнитоизмерительной технике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения слабых магнитных полей, в частности, при обнаружении магнитных аномалий, отображении функций головного мозга, разведки месторождений, измерении слабых токов и т.д

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использовано для обнаружения объектов из ферромагнитных материалов

Изобретение относится к приборостроению и контрольно-измерительной технике для автомобильной промышленности и может использоваться для измерения уровня жидкости, преимущественно в резервуарах закрытого типа, например топлива в баке

Изобретение относится к области широкополосных антенн, начиная от низкочастотного до ВЧ диапазонов волн, и может использоваться в радиоприемных устройствах и датчиках для измерения напряженности магнитного поля

Изобретение относится к области лабораторных электрических измерений и может быть применено для измерения напряженности неоднородных магнитных полей

Изобретение относится к магнитным измерениям в различной электрофизической аппаратуре, создающей плоское неоднородное магнитное поле, преимущественно в магнитных системах ускорителей заряженных частиц и системах проводки внешних пучков этих частиц

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано как датчик магнитной индукции в различных автоматизированных устройствах по определению магнитных параметров окружающей среды

Изобретение относится к технике электрических измерений магнитных, электрических, электромагнитных и неэлектрических величин в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды

Изобретение относится к устройствам регистрации положения, а именно положения объектов из магнитопроводящего материала, и может быть использовано в системах управления автоматизированными линиями, станках с числовым программным управлением, а также в промышленных роботах
Наверх